【文章內容簡介】 讀取此時的電壓值，即為閥值電壓。完成模塊高低溫沖擊測試后，在室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下按照以上步驟重新測試柵射極閥值電壓VGE(th)。測試過程中需要注意以下事項：l 測試時保證接線正確。l 在增加集電極電壓過程中，一旦發(fā)現(xiàn)電流突然迅猛增大（突然超過IC額定值幾倍以上時），必須直接將集電極電源電壓歸零，以保護儀器和器件。l 儀器HC端和COM端為大電流主回路，連線應盡量短，且必須保證和器件接觸良好。l 測試結束后必須及時退出軟件，注意退出前集電極電源必須先回零，退出軟件后才能關主機。l 模塊老化測試前后室溫環(huán)境下測量VGE(th)電壓均在模塊廠商要求規(guī)格范圍內方為合格。 IGBT內置二極管正向壓降VF測試室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下，將待測的IGBT柵射極短路。模塊測試接線方式為儀器HC端（主電流回路）及Hcsen端（電壓感測）接IGBT發(fā)射極、儀器COM端（主電流回路）及COMsen端（電壓感測）接IGBT集電極、儀器SGV端接IGBT柵極。集電極電源設置的極性選擇設為NPN+HC脈沖，峰值功率選擇設為3kW。階梯發(fā)生器設置的階數(shù)設為0，顯示設置中的水平檔設為VCE、500mV/格，垂直檔按需求設置。測量方法先設為單次方式，點擊軟件的開始測試按鈕，將集電極電源掃描調節(jié)設為合適檔位（一般可設為1），緩慢地增加集電極電源的掃描電壓。觀察電流，使電流達到1~2倍的IF額定值左右時（由于儀器的限制，電流最大不可超過400A），再把測量方法設為掃描方式，并設置合適的掃描步長。讀取電流在IF額定值時候的電壓數(shù)據(jù)，此電壓即為實際VF。完成模塊高低溫沖擊測試后，在室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下按照以上步驟重新測試內置二極管正向壓降VF。測試過程中需要注意以下事項：l 測試多管IGBT時，必須同時將每個管子的柵射極獨立短路。l 測試時保證接線正確。l 在增加集電極電壓過程中，一旦發(fā)現(xiàn)電流突然迅猛增大（突然超過IC額定值幾倍以上時），必須直接將集電極電源電壓歸零，以保護儀器和器件。l 儀器HC端和COM端為大電流主回路，連線盡量短，而且必須保證和器件接觸良好。l 測試100A以上時，使用4分鐘儀器要休息10分鐘以上。l 測試結束必須及時退出軟件，退出前集電極電源必須先回零，退出軟件后再關主機。l 模塊老化測試前后室溫環(huán)境下測量VF電壓均小于模塊廠商規(guī)格的最大允許值方為合格。 Ices和IR測試評判模塊晶體管電特性是否符合產(chǎn)品設計要求，確認模塊晶體管電特性與廠商宣稱規(guī)格一致性。25℃85℃120℃℃4H4H12Ht在室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下，將待測的IGBT門極端子短路，分別在輸入/輸出主端子與直流側主端子之間反向施加測試電壓。測試電壓等級為廠商器件數(shù)據(jù)表給定的Vces/VRRM值。電壓上升時間設定為10S，電壓持續(xù)時間為60S，電壓下降時間設定為10S，漏電流上限設定為Ices或IR值，漏電流下限設定為0。記錄測試過程的最大漏電流，具體數(shù)據(jù)記錄格式請參見附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。完成室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下Ices和IR測試后，將模塊放置于溫箱中設定溫度85℃、濕度85%，模塊在設置溫濕度環(huán)境穩(wěn)定后保持4小時，保持溫濕度環(huán)境不變按照以上測試步驟進行Ices和Ir測試。并記錄測試數(shù)據(jù)，具體數(shù)據(jù)記錄格式請參見附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。完成濕熱（溫度85℃、濕度85%）環(huán)境下Ices和IR測試后，將模塊放置于溫箱中設定溫度120℃，模塊在設置溫濕度環(huán)境穩(wěn)定后保持4小時，保持溫濕度環(huán)境不變按照以上測試步驟進行Ices和IR測試。并記錄測試數(shù)據(jù)，具體數(shù)據(jù)記錄格式請參見附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。完成高溫（溫度120℃）環(huán)境下Ices和IR測試后，將模塊放置于室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下，模塊在室溫環(huán)境放置12小時后，在室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下按照以上測試步驟進行Ices和IR測試。并記錄測試數(shù)據(jù)，具體數(shù)據(jù)記錄格式請參見附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。測試過程中需要注意以下事項：l 測試所用電源誤差小于177。2%測試電壓。l 測試多管IGBT時，必須同時將每個管子的門極端子獨立短路。l 測試時保證接線正確，在測試樣品旁邊放高壓警示，注意人身安全。l 測試完成后必須使儀器復位；測試結束后須及時關閉儀器。l Ices和IR測試包括模塊中所有晶元。Ices和Ir測試應同時滿足以下要求方為合格：l 室溫環(huán)境下：測試電壓為額定Vces/VRRM時，漏電流≤額定常溫Ices/IR。l 濕熱環(huán)境下：測試電壓為額定Vces/VRRM時，漏電流≤額定常溫Ices/IR。l 高溫環(huán)境下：測試電壓為額定Vces/VRRM時，漏電流≤常溫Ices/IR的3倍。注：如器件資料中給定了85℃或120℃時Ices和IR的值，則依器件Ices和IR的值判定；如器件資料中未給定85℃或120℃時Ices和IR的值，則以上述標準判定。評判模塊晶體管電特性是否符合產(chǎn)品設計要求，確認模塊晶體管電特性與廠商宣稱規(guī)格一致性。25℃85℃120℃℃4H4H12Ht在室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下測試，將IGBT模塊主端子和門極端子分別短接起來，在主端子的短接線和模塊基板之間施加測試電壓。測試電壓等級為廠商器件數(shù)據(jù)表給定的VISO/VISOL和安規(guī)耐壓測試等級中的最大值。安規(guī)耐壓測試等級請參見表二：表二：安規(guī)耐壓測試等級電壓表系統(tǒng)電壓等級耐壓測試電壓等級系統(tǒng)電壓等級耐壓測試電壓等級ACDCACDC2201500212066018002550380150021206901800255059018002550114035004800電壓等級可采用內差法計算。耐壓測試時，模塊所有端子的短接端作為一極，模塊基板作為另一極。電壓上升時間設定為10S，電壓持續(xù)時間為60S，電壓下降時間設定為10S，漏電流上限設定為5mA，漏電流下限設定為0mA。記錄測試過程的最大漏電流，具體數(shù)據(jù)記錄格式請參見附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。完成室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下耐壓測試以及模塊老化測試后，將模塊放置于溫箱中設定溫度85℃、濕度85%，模塊在設置溫濕度環(huán)境穩(wěn)定后保持4小時，保持溫濕度環(huán)境不變按照以上測試步驟進行耐壓測試。記錄測試過程的最大漏電流，具體數(shù)據(jù)記錄格式請參見附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。完成濕熱（溫度85℃、濕度85%）環(huán)境下耐壓測試后，將模塊放置于溫箱中設定溫度120℃，模塊在設置溫濕度環(huán)境穩(wěn)定后保持4小時，保持溫度環(huán)境不變按照以上測試步驟進行耐壓測試。記錄測試過程的最大漏電流，具體數(shù)據(jù)記錄格式請參見附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。完成以上設定環(huán)境下耐壓測試后，將模塊放置于室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下，模塊在室溫環(huán)境穩(wěn)定后保持12小時，在室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下按照以上測試步驟進行耐壓測試。記錄測試過程的最大漏電流，具體數(shù)據(jù)記錄格式請參見附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。測試過程中需要注意以下事項：l 測試所用電源誤差小于177。2%測試電壓。l 按照儀器使用說明書正確接線。l 在如果功率模塊集成了整流、逆變單元，整流模塊絕緣測試和逆變模塊絕緣測試可以合并進行，但注意另外把IGBT的門極端子全部短接好，在主端子和基板之間施加測試電壓。l 耐壓測試結束，模塊未擊穿損壞，且漏電流≤2mA，方為測試合格。評判模塊晶體管電特性是否符合產(chǎn)品設計要求，確認模塊晶體管電特性與廠商宣稱規(guī)格一致性。高溫（85℃，濕度85%）環(huán)境下，將門極端子短路好的IGBT樣品，在輸入/輸出功率端子與直流側功率端子之間，分別施加廠商器件數(shù)據(jù)表給定的Vces/VRRM測試電壓，維持此種狀態(tài)持續(xù)4小時。如模塊正常，則維持溫度不變然后分別進行規(guī)范“ Ices和IR測試”中高溫85℃時的Ices/IR測試，和“”中高溫85℃時的絕緣耐壓測試，并記錄測試過程中的最大漏電流，具體數(shù)據(jù)記錄格式請參見附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。注：此項測試可在 “ Ices和IR測試”中高溫85℃測試完成后直接進行。測試過程中需要注意以下事項：l 測試所用電源誤差在177。1%以內。l 測試多管IGBT時，必須同時將每個管子的門極端子獨立短路。l 測試時保證接線正確，注意人身安全。須在測試樣品旁邊放高壓警示，避免旁人靠近測試樣品。l 測試完成后必須使儀器復位，測試結束后須及時關閉儀器。l 高溫電應力老化測試須包括模塊中所有晶元。l IGBT功能性正常，無損壞。l 高溫（85℃）環(huán)境下，測試電壓為額定Vces/VRRM時，漏電流≤額定常溫Ices/IR。l 高溫（85℃）環(huán)境下：測試電壓為額定VISO時，漏電流≤2mA。對IGBT模塊施加溫度老化應力，確認IGBT模塊各項性能指標在老化試驗前后一致性。完成規(guī)范中室溫（25℃177。2℃）模塊測試后，將模塊放到溫度沖擊箱中，進行40℃—120℃溫度沖擊測試。高低溫駐留時間為30分鐘，共