半導體物理的發(fā)展(編輯修改稿)
2025-05-01 02:20 本頁面
【文章內容簡介】 中間p型層的電壓，就能調控電子或電洞的流動，這是一種進步很多的電晶體，也稱為雙極型電晶體(bipolar transistor)，但以當時的技術，還無法實際制作出來。 電晶體的確是由于科學發(fā)明而創(chuàng)造出來的一個新元件，但是工業(yè)界在1950年代為了生產電晶體，卻碰到許多困難。直到1954年5月，第一顆以硅做成的電晶體才由美國德州儀器公司(Texas Instruments)開發(fā)成功；約在同時，利用氣體擴散來把雜質摻入半導體的技術也由貝爾實驗室與奇異公司研發(fā)出來；在1957年底，各界已制造出六百種以上不同形式的電晶體，使用于包括無線電、收音機、電子計算機甚至助聽器等等電子產品。 早期制造出來的電晶體均屬于高臺式的結構。1958年，快捷半導體公司 (Fairchild SemIConductor)發(fā)展出平面工藝技術(planar technology)，藉著氧化、黃光微影、蝕刻、金屬蒸鍍等技巧，可以很容易地在硅晶片的同一面制作半導體元件。1960年，磊晶(epitaxy)技術也由貝爾實驗室發(fā)展出來了。至此，半導體工業(yè)獲得了可以批次生產的能力，終于站穩(wěn)腳步，開始快速成長。積體電路（1960~1970）積體電路就是把許多分立元件制作在同一個半導體晶片上所形成的電路。1958年9月12日，德州儀器公司(Texas Instruments)的基爾比 (Jack Kilby， 1923~ )，細心地切了一塊鍺作為電阻，再用一塊pn接面做為
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