半導(dǎo)體物理基本概念大全(編輯修改稿)
2025-05-01 02:20 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 子分布函數(shù)偏離平衡態(tài)分布，電子和空穴不具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)，載流子濃度也比平衡時(shí)多出一部分，但可認(rèn)為它們各自達(dá)到平衡，可引入準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)表示。電中性條件半導(dǎo)體在任何情況下都維持體內(nèi)電中性，即單位體積內(nèi)正電荷數(shù)與負(fù)電荷數(shù)相等。非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體半導(dǎo)體中載流子分布可由經(jīng)典的玻爾茲曼分布代替費(fèi)米分布描述時(shí)，稱(chēng)之為非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。簡(jiǎn)并半導(dǎo)體半導(dǎo)體重?fù)诫s時(shí)，其費(fèi)米能級(jí)有可能進(jìn)入到導(dǎo)帶或價(jià)帶中，此時(shí)載流子分布必須用費(fèi)米分布描述，稱(chēng)之為簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。簡(jiǎn)并半導(dǎo)體有如下性質(zhì)：1）雜質(zhì)不能充分電離；2）雜質(zhì)能級(jí)擴(kuò)展為雜質(zhì)能帶。如果雜質(zhì)能帶與導(dǎo)帶或價(jià)帶相連，則禁帶寬度將減小。本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體即純凈半導(dǎo)體，其載流子濃度隨溫度增加呈指數(shù)規(guī)律增加。雜質(zhì)半導(dǎo)體在半導(dǎo)體中人為地，有控制地?fù)饺肷倭康臏\能級(jí)雜質(zhì)的半導(dǎo)體，可在較大溫度范圍內(nèi)保持半導(dǎo)體內(nèi)載流子濃度不隨溫度改變。即摻雜的主要作用是在較大溫度范圍維持半導(dǎo)體中載流濃度不變。多數(shù)載流子與少數(shù)載流子多數(shù)載流子是在半導(dǎo)體輸運(yùn)過(guò)程中起主要作用的載流子，如n型半導(dǎo)體中的電子。而少數(shù)載流子在是在半導(dǎo)體輸運(yùn)過(guò)程中起次要作用的載流子，如n型半導(dǎo)體中的空穴。費(fèi)米分布費(fèi)米分布是費(fèi)米子（電子）在平衡態(tài)時(shí)的分布，其物理意義是在溫度T時(shí)，電子占據(jù)能量為E的狀態(tài)的幾率，或能量為E的狀態(tài)上的平均電子數(shù)。費(fèi)米能級(jí)費(fèi)米能級(jí)是T=0 K時(shí)電子系統(tǒng)中電子占據(jù)態(tài)和 未占據(jù)態(tài)的分界線，是T=0 K時(shí)系統(tǒng)中電子所能具有的最高能量。漂移速
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