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正文內(nèi)容

光刻工藝概述ppt課件(編輯修改稿)

2025-03-20 12:23 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 刻膠 , 稱為負(fù)膠 。 同樣還有對(duì)光有正效應(yīng)的光刻膠 , 稱為正膠 。 用正膠和亮場(chǎng)掩膜版在晶圓表面建立凸起圖形的情況如圖所示 。 右圖顯示了用不同極 性的掩膜版和不同極 性的光刻膠相結(jié)合而 產(chǎn)生的結(jié)果 。 通常是 根據(jù)尺寸控制的要求 和缺陷保護(hù)的要求來(lái) 選擇光刻膠和掩膜版 極性的 。 第 8章 光刻工藝概述 2022年 3月 13日 7時(shí) 42分 23 Ultraviolet light Island Areas exposed to light bee crosslinked and resist the developer chemical. Resulting pattern after the resist is developed. Window Exposed area of photoresist Shadow on photoresist Chrome island on glass mask Silicon substrate Photoresist Oxide Photoresist Oxide Silicon substrate 負(fù)性光刻 第 8章 光刻工藝概述 2022年 3月 13日 7時(shí) 42分 24 正性光刻 photoresist silicon substrate oxide oxide silicon substrate photoresist Ultraviolet light Island Areas exposed to light are dissolved. Resulting pattern after the resist is developed. Shadow on photoresist Exposed area of photoresist Chrome island on glass mask Window Silicon substrate Photoresist Oxide Photoresist OxSilicon substrate 第 8章 光刻工藝概述 2022年 3月 13日 7時(shí) 42分 25 正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別 ? 負(fù)性光刻:產(chǎn)生和掩模版相反的圖形 ? 正性光刻:產(chǎn)生和掩模版相同的圖形 Desired photoresist structure to be printed on wafer Window Substrate Island of photoresist Quartz Chrome Island Mask pattern required when using negative photoresist (opposite of intended structure) Mask pattern required when using positive photoresist (same as intended structure) 第 8章 光刻工藝概述 2022年 3月 13日 7時(shí) 42分 26 基本光刻工藝流程 八步基本的光刻工藝 氣 相 成 底 膜 處 理旋 轉(zhuǎn) 涂 膠軟 烘 ( 前 烘 )對(duì) 準(zhǔn) 和 曝 光曝 光 后 烘 焙顯 影堅(jiān) 膜 顯 影顯 影 檢 查第 8章 光刻工藝概述 2022年 3月 13日 7時(shí) 42分 27 8) Develop inspect 5) Postexposure bake 6) Develop 7) Hard bake UV Light Mask ? ? 4) Alignment and Exposure Resist 2) Spin coat 3) Soft bake 1) Vapor prime HMDS 第 8章 光刻工藝概述 2022年 3月 13日 7時(shí) 42分 28 光刻軌道系統(tǒng) 第 8章 光刻工藝概述 2022年 3月 13日 7時(shí) 42分 29 光刻技術(shù) 表面準(zhǔn)備 為確保光刻膠能和晶圓表面很好粘結(jié),必須進(jìn)行表面處理,包括三個(gè)階段: 微粒清除、脫水和涂底膠。 第 8章 光刻工藝概述 2022年 3月 13日 7時(shí) 42分 30 光刻技術(shù) ? 微粒清除 雖然光刻前的每一步工藝 ( 氧化 、 摻雜等 )都是在清潔區(qū)域完成的 , 但晶圓表面有可能吸附一些顆粒狀的污染物 , 所以必須給以清除 。微粒清除方法見(jiàn)下圖 高壓氮?dú)獯党瘜W(xué)濕法清洗旋轉(zhuǎn)刷刷洗高壓水流第 8章 光刻工
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