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正文內(nèi)容

篇第八章光刻膠ppt課件(編輯修改稿)

2025-05-26 02:45 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 影液為二甲苯。 正膠和負(fù)膠的工藝溫度: 1. 正膠 前烘: 90176。 C, 20分;堅(jiān)膜: 130 176。 C, 30分。 2. 負(fù)膠 前烘: 85 176。 C, 10分;堅(jiān)膜: 140 176。 C, 30分; 過(guò)高的前烘溫度,將會(huì)使光刻膠的光敏劑失效。 兩種光刻膠的性能 3. 對(duì)比度曲線 用對(duì)比度來(lái)描述光刻膠的曝光性能,即區(qū)分掩模上亮區(qū) 和暗區(qū)能力的衡量標(biāo)準(zhǔn)。用 D0表示光刻膠開始光化學(xué)反應(yīng) 的曝光能量, D100 表示所有光刻膠完全去除需要的最低曝光 量。對(duì)比度定義為: )/Dl og (D1γ0100? 對(duì)比度越大,光刻后的線條邊緣越陡。 典型的光刻膠的對(duì)比度在 24。意味著 D100比 D0大 101/3101/2倍 .其實(shí),對(duì)一定的光刻膠,對(duì)比度曲線并不固定,它隨顯影過(guò)程、前烘條件、曝光波長(zhǎng)、圓片表面的反射率等情況改變。 光刻工藝的任務(wù)就是調(diào)節(jié)工藝條件,使一定的光刻膠具有最大的、最穩(wěn)定的對(duì)比度。 理想的對(duì)比度曲線 DQN正膠的實(shí)測(cè)對(duì)比度曲線 3s 曝光后的剖面分布 簡(jiǎn)單的區(qū)域圖象 光刻膠的吸收 在低曝光劑量,光刻膠的剖面分布主要決定于對(duì)比度曲線的低曝光區(qū)和過(guò)渡區(qū)。當(dāng)曝光劑量大于 150J/cm2時(shí),光刻膠的剖面主要取決于光學(xué)圖象及光在膠中的吸收,且剖面分布十分陡峭,圖象清晰,但代價(jià)是曝光時(shí)間長(zhǎng)、產(chǎn)量低。一般選擇在中高曝光量區(qū)域光刻。 光在膠中的 吸收服從指數(shù)規(guī)律 : ?為吸收系數(shù), z 為深度, D0與膠的厚度無(wú)關(guān), D100反比與吸收率 A。 zα0 eII??RT0 oTαI( z) ] d z[IAR?
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