光刻過(guò)程圖片解說(shuō)ppt課件(編輯修改稿)
2025-01-31 19:32 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ?通常和前烘一起進(jìn)行 ?勻膠前硅片要冷卻 硅片冷卻 ?勻膠前硅片需冷卻 ?硅片在冷卻平板上冷卻 ?溫度會(huì)影響光刻膠的黏度 –影響光刻膠的厚度 勻膠 ?硅片吸附在真空卡盤(pán)上 ?液態(tài)的光刻膠滴在硅片的中心 ?卡盤(pán)旋轉(zhuǎn)，離心力的作用下光刻膠擴(kuò)散開(kāi) ?高速旋轉(zhuǎn)，光刻膠均勻地覆蓋硅片表面 ?先低速旋轉(zhuǎn) ~500 rpm ?再上升到 ~30007000 rpm ?硅片自動(dòng)輸送軌道系統(tǒng)；真空卡盤(pán)吸住硅片；膠盤(pán) ?排氣系統(tǒng)；可控旋轉(zhuǎn)馬達(dá)；給膠管和給膠泵 ?邊緣清洗（去邊） 去邊 (EBR) ?光刻膠擴(kuò)散到硅片的邊緣和背面 ?在機(jī)械搬送過(guò)程中光刻膠可能回剝落成為微粒 ?正面和背面去邊 EBR ?正面光學(xué)去邊 EBR 勻膠后烘 ?使光刻膠中的大部分溶劑蒸發(fā)。 ?溶劑幫助得到薄的光刻膠膜但是吸收光且 影響?zhàn)じ叫? ?曝光后烘時(shí)間和溫度取決于工藝條件 ?過(guò)烘 :聚合 ,光敏性降低 ?后烘不足 :影響?zhàn)じ叫院推毓? 硅片冷卻 ?需要冷卻到環(huán)境溫度 ?硅片在冷卻板上冷卻 ?硅的熱膨脹率 : 106/176。 C ?對(duì)于 8英寸硅片 ,改變 1176。 C引起 徑差 對(duì)準(zhǔn)和曝光 ?接觸式曝光： 分辨率較高，但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。 ?接近式曝光： 在硅片和掩膜版之間有一個(gè)很小的間隙(10～ 25?m)，可以大大減小掩膜版的損傷，分辨率較低 ?投影式曝光： 利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上，優(yōu)點(diǎn)：掩模版與晶片不接觸，掩模不受損傷；對(duì)準(zhǔn)是觀(guān)察掩模平面上的反射圖像，不存在景深問(wèn)題；掩模版上的圖形是通過(guò)光學(xué)技影的方法縮小，并聚焦于感光膠膜上，掩模版上可以有比實(shí)際尺寸大得多的圖像 (
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