chap8光刻與刻蝕工藝(編輯修改稿)
2025-06-15 23:47 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 o o (1) (2) h? N2 重新排列 O=S=O OR O=S=O OR c o OH c o (4) (3) +H2O 22 （ 1） 感光度 （ 2） 分辨率 （ 3） 抗蝕性 （ 4） 粘附性 （ 5） 針孔密度 （ 6） 留膜率 （ 7） 性能穩(wěn)定 三、光刻膠的性能指標(biāo) 23 24 多層光刻膠工藝（ MLR） 采用性質(zhì)不同的多層光刻膠，分別利用其抗蝕平坦化等方面的不同特性完成圖形的轉(zhuǎn)移。 雙層光刻膠工藝：頂層光刻膠經(jīng)過曝光和顯影后形成曝光圖形，并在后續(xù)的刻蝕工藝中作為刻蝕掩蔽層。底層光刻膠用來在襯底上形成平坦化的圖形。 25 硅化學(xué)增強(qiáng)工藝 對比增強(qiáng)層 硅烷基化光刻膠表面成像工藝 26 抗反射涂層工藝 使用抗反射涂層（ ARC）工藝，可以降低駐波效應(yīng)的影響。 駐波效應(yīng)：曝光光波在進(jìn)入到光刻膠層之后，如果沒有被完全吸收，就會有一部分光波穿過光刻膠膜達(dá)到襯底表面，這一部分光波在襯底表面被反射之后，又回到光刻膠中。這樣，反射光波與光刻膠中的入射光波發(fā)生干涉，從而形成駐波。 表現(xiàn)為以 λ /2n為間 隔， 在光刻膠中形成強(qiáng)弱相間的曝光區(qū)域。會導(dǎo)致線寬發(fā)生變化，減低分辨率。 27 改善駐波效應(yīng)的技術(shù)：在光刻膠層底部或頂部使用抗反射涂層，同時(shí)在曝光后進(jìn)行烘焙。 28 紫外線曝光 接觸式光刻： 分辨率較高 ， 但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷 。 接近式曝光 ：在硅片和掩膜版之間有一個(gè)很小的間隙 (10～ 25?m)， 可以大大減小掩膜版的損傷 ， 分辨率較低 。 投影式曝光： 利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的曝光方法 ，目前用的最多的曝光方式 。 29 三種光刻方式 30 接近式曝光是以犧牲分辨率來延長了掩膜版的壽命。 大尺寸和小尺寸器件上同時(shí)保持線寬容限還有困難 。 另外 ， 與接觸式曝光相比 ， 接近式曝光的操作比較復(fù)雜 。 一、接近式曝光 （裝置示意圖見書圖 ） 31 二、接觸式曝光 ? 系統(tǒng)同接近式曝光，唯一的區(qū)別是掩膜版與硅片是緊密接觸。 ? 曝光由于掩膜版與硅片相接觸磨損，使掩膜版的壽命降低。 ? 其分辨率優(yōu)于接近式曝光。 ? 容易引入大量的工藝缺陷，成品率低，目前已處于被
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