chap擴(kuò)散工藝,ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 12:02 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ? 擴(kuò)散是向半導(dǎo)體中摻雜的重要方法之一，也是集成電路制造中的重要工藝。 ? 目前擴(kuò)散工藝已廣泛用來形成晶體管的基極、發(fā)射極、集電極，雙極器件中的電阻，在 MOS制造中形成源和漏、互連引線，對(duì)多晶硅的摻雜等。 ? 2022/6/2 ? 離子注入是目前 VLSI優(yōu)越的摻雜工藝。就目前我國(guó)生產(chǎn)集成電路來看，離子注入不能說完全代替了擴(kuò)散工藝，但至少許多原來由擴(kuò)散工藝所完成的加工工序，都已經(jīng)被離子注入取代了，這是時(shí)代發(fā)展的必然結(jié)果。 2022/6/2 167。 雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)構(gòu) ? 雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)構(gòu)主要有兩種： 1）間隙式擴(kuò)散，（ 2）替位式擴(kuò)散 ? 一、間隙式擴(kuò)散 ? 間隙式雜質(zhì)：存在于晶格間隙的雜質(zhì)。 ? 主要那些半徑較小、并且不容易和硅原子鍵合的原子，它們?cè)诰w中的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)主要是以間隙方式進(jìn)行的。如下圖所示。圖中黑點(diǎn)代表間隙雜質(zhì)，圓圈代表晶格位置上的硅原子。 ? 間隙式擴(kuò)散：間隙式雜質(zhì)從一個(gè)間隙位置到另一個(gè)間隙位置上的運(yùn)動(dòng)。 2022/6/2 1 2 3 4 5 6 7 間隙雜質(zhì)運(yùn)動(dòng) 2022/6/2 間隙雜質(zhì)要從一個(gè)間隙位置運(yùn)動(dòng)到相鄰的間隙位置上，必須要越過一個(gè)勢(shì)壘，勢(shì)壘高度 Wi一般為 ~。 間隙雜質(zhì)只能依靠熱漲落才能獲得大于 Wi的能量，越過勢(shì)壘跳到近鄰的間隙位置上。 跳躍率： Pi=v0ewi/kT ? 溫度升高時(shí) Pi指數(shù)地增加。 ? 振動(dòng)頻率 ?0＝ 1013～ 1014/s Na、 K、 Fe、 Cu、 Au 等元素 擴(kuò)散系數(shù)要比替位式擴(kuò)散大 6～ 7個(gè)數(shù)量級(jí) 2022/6/2
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