第7章ic工藝圖形刻蝕技術(shù)(編輯修改稿)
2025-03-12 20:49 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 Anisotropic etch Isotropic etch – 氧的作用：加快 – 氫的作用：減慢 – 高分子生成：刻蝕速度、選擇性 – 反應(yīng)氣體： CF CHF CF6 See Table InGaAs刻蝕仿真 刻蝕前結(jié)構(gòu) PIN結(jié)構(gòu)。 10um厚的本征 InP襯底，在襯底上生長 3um厚的摻雜 Si濃度為 2 1018的 InP層（ N＋ ），然后再淀積 3um厚的 Si摻雜 4 1016的n－ ,InGaAs， InGaAs中 In的組分為 。上層淀積 1um厚的 InP，摻雜為 2 1018（ P＋ ）?？涛g阻擋層采用 Si3N4，厚度 1um。 Machine=PEMach \ Plasma \ Pressure = Tgas = Tion = Vpdc = Vpac = \ Lshdc = Lshac = \ Freq = Nparticles = 4000 \ Mgas = Mion = \ Constant \ = 50 \ Qio = Qcht = Define the plasma etch parameters for InGaAs Machine=PEMach \ Plasma \ Material=InGaAs \ = = = 等離子體刻蝕中可以改變的參數(shù)及默認(rèn)值 等離子體腔及刻蝕 氣體的物理特性 刻蝕氣體的化學(xué)特性 [PRESSURE=n] ＃定義等離子體刻蝕機反應(yīng)腔的壓強 [TGAS=n] ＃定義等離子體刻蝕機反應(yīng)腔中氣體的溫度 [TION=n] ＃定義等離子體刻蝕機反應(yīng)腔中離子的溫度 [VPDC=n] ＃等離子體外殼的 DC偏壓 [VPAC=n] ＃等離子外殼和電珠之間的AC電壓 [LSHDC=n] ＃外殼的平均厚度 [LSHAC=n] ＃外殼厚度的 AC組成 [FREQ=n] ＃ AC電流的頻率 [NPARTICLES=n] ＃用蒙托卡諾計算來自等離子體的離子流的顆粒數(shù) [MGAS=n] ＃氣體原子的原子質(zhì)量 [MION=n] ＃等離子體離子的原子量 [(|COLLISION|LINEAR|CONSTANT)]＃計算等離子體外殼的電壓降的模型，默認(rèn)為 CONSTANT [=n] [=n] [=n] ＃定義等離子體刻蝕速率的線性系數(shù) [] 定義化學(xué)流相關(guān)的等離子刻蝕速率 [] 定義淀積流量相關(guān)的等離子體刻蝕速率 各參數(shù)的意義： 改變刻蝕腔壓強 刻蝕腔壓強越大，刻蝕速率變小、刻蝕效果也變差。 這從離子的能量－角度分布中也可以得出結(jié)論 改變氣體溫度 刻蝕腔中氣體的溫度高時刻蝕剖面要好，但影響較小 改變離子溫度 離子溫度低時刻蝕效果要好，但刻蝕速率幾乎不變 改變
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