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正文內(nèi)容

[理學]第八章原子發(fā)射光譜分析(編輯修改稿)

2025-02-15 15:12 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 0 = x 104 2510K時, Ni/N0 = x 104 溫度升高 10K,相應(yīng)激發(fā)態(tài) Na原子數(shù)目數(shù)增加了 4%。 譜線強度與下列因素有關(guān): 激發(fā)溫度:溫度升高,譜線強度增大。但溫度升高, 體系中被電離的原子數(shù)目也增多,中性原子數(shù)相應(yīng)減少, 使原子線強度減弱。譜線各有其合適的溫度,在此溫度時, 譜線強度最大。 激發(fā)電位 :譜線強度與激發(fā)電位是負指數(shù)關(guān)系,激發(fā) 電位越大,譜線強度越小。 躍遷幾率:譜線強度與躍遷幾率成正比。 基態(tài)原子:譜線強度與基態(tài)原子數(shù)成正比,基態(tài)原子數(shù) 由元素濃度決定,因此譜線強度與元素濃度。 統(tǒng)計權(quán)重 :譜線強度與激發(fā)態(tài)和基態(tài)的統(tǒng)計權(quán)重之比成正比 三、譜線的自吸與自蝕 selfabsorption and self reversal of spectrum line A. 自吸 原子在高溫時被激發(fā),發(fā)射某一波長的譜線,而處于低溫狀態(tài)的同類原子又能吸收這一波長的輻射,這種現(xiàn)象稱為 自吸現(xiàn)象 I = I0ead I0 為弧焰中心發(fā)射的譜線強度 。 a 為吸收系數(shù) ( 與基態(tài)原子濃度有關(guān) ) 。 d 為弧層厚度 弧層越厚,弧焰中被測元素的原子濃度越大, 自吸現(xiàn)象越嚴重。 B. 自蝕 原子濃度較大時,自吸更加嚴重,其輻射強度明顯減弱,譜線輪廓中心下陷,甚至中心頻率處地輻射幾乎能被完全吸收,這現(xiàn)象稱為自蝕。 在譜線上,常用 r表示自吸, R表示自蝕。 一 .原子發(fā)射光譜法的分析過程 激發(fā)源 (光源 ) 單色器 檢測器 數(shù)據(jù)處理與顯示 167。 原子發(fā)射光譜儀 低壓交流電弧 ICP 平面衍射光柵攝譜儀 感光板 中階梯光柵交叉色散光學系統(tǒng) 全譜直讀 CID電荷注入式檢測器 2022/2/16 激發(fā)源 (光源 ) 單色器 檢測器 數(shù)據(jù)處理與顯示 發(fā)射光譜儀結(jié)構(gòu)示意圖 二 .光源(激發(fā)源) 1. 光源的作用 :光源具有使試樣蒸發(fā) 、 解離 、 原子化 、激發(fā) 、 躍遷產(chǎn)生光輻射的作用 。 的影響:決定光譜分析的檢出限 、 靈敏度和準確度 。 ? ? ? ? nm解離nm蒸發(fā)nm NMgNMsNM ??? ???? ?? ?nm發(fā)射原子光譜發(fā)射離子光譜*)(n*)(m激發(fā)**激發(fā)原子化NMNMNMNMNM?????? ?????? ????? ????? ????? ???? 的類型 : 光源 電弧 電感耦合等離子體, ICP 現(xiàn)代光源 經(jīng)典光源 火花 直流電弧 交流電弧 火焰 激光光源 提供足夠的能量使試樣蒸發(fā)、原子化、激發(fā),產(chǎn)生光譜 18 ( 1)、直流電?。?接觸引燃,二次電子發(fā)射放電 V A E L G 220~380V 5~30A R 直流電作為激發(fā)能源,電壓 150 ~ 380V,電流 5~ 30A; 兩支石墨電極,試樣放置在一支電極 (下電極 )的凹槽內(nèi); 陰極釋放的電子不斷撞擊陽極 , 產(chǎn)生高溫陽極斑 ( 4000 K) ; 產(chǎn)生的電弧溫度: 4000~7000K 電弧點燃后 , 熱電子流高速通過分析間隔沖擊陽極 , 產(chǎn)生高熱 ,試樣蒸發(fā)并原子化 , 電子與原子碰撞電離出正離子沖向陰極 。電子 、 原子 、 離子間的相互碰撞 , 使原子躍遷到激發(fā)態(tài) , 返回基態(tài)時發(fā)射出該原子的光譜
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