電子顯微鏡修改ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-11 04:39 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 40 3．信號(hào)檢測(cè)放大系統(tǒng) p 信號(hào)電子進(jìn)入閃爍體后即引起電離，當(dāng)離子和自由電子復(fù)合后就產(chǎn)生可見光?？梢姽庑盘?hào)通過光導(dǎo)管送入光電倍增器，光信號(hào)放大，即又轉(zhuǎn)化成電流信號(hào)輸出，電流信號(hào)經(jīng)視頻放大器放大后就成為調(diào)制信號(hào)。 （ 1）． 放大倍數(shù) 熒光屏上的掃描振幅 電子束在樣品上的掃描振幅 放大倍數(shù)與掃描面積的關(guān)系： (若熒光屏畫面面積為 10 10cm2) 放大倍數(shù) 掃描面積 10 (1cm) 2 100 (1mm) 2 1,000 (100μm) 2 10,000 (10μm) 2 100,000 (1μm) 24. SEM的主要性能指標(biāo)42 4. SEM的主要性能指標(biāo)（ 2） 分辨率 ： 樣品上可以分辨的兩個(gè)鄰近的質(zhì)點(diǎn)或線條間的距離。 如何測(cè)量：拍攝圖象上，亮區(qū)間最小暗間隙寬度除以放大倍數(shù)。 影響 SEM圖像分辨率的主要因素有 ： ① 掃描電子束斑直徑 ； ② 入射電子束在樣品中的擴(kuò)展效應(yīng)； ③ 操作方式及其所用的調(diào)制信號(hào)； ④ 信號(hào)噪音比； ⑤ 雜散磁場(chǎng)； ⑥ 機(jī)械振動(dòng)將引起束斑漂流等，使分辨率下降。 （ 3） 景深 SEM（二次電子像）的景深比光學(xué)顯微鏡的大，成像富有立體感。 43 4. SEM的主要性能指標(biāo)（ 2） 分辨率 ： 樣品上可以分辨的兩個(gè)鄰近的質(zhì)點(diǎn)或線條間 的距離。 如何測(cè)量 ： 拍攝圖象上，亮區(qū)間最小暗間隙寬度除以放大倍數(shù)。 影響 SEM圖像分辨率的主要因素有 ： ① 掃描電子束斑直徑 ； ② 入射電子束在樣品中的擴(kuò)展效應(yīng)； ③ 信號(hào)噪音比； ④ 雜散磁場(chǎng)； ⑤ 機(jī)械振動(dòng)將引起束斑漂流等，使分辨率下降。 44 掃描電子顯微鏡景深45 日立 S4800 場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 主要性能：二次電子像分辨率： (15kv)； (1kv,減速模式 )； (1kV)普通模式加速電壓： ~ 30kV放大倍率： 20 ~ 800,000束流強(qiáng)度： 1pA~2nA 物鏡光欄：加熱自清潔式、四孔、可移動(dòng)物鏡光欄 樣品室和樣品臺(tái)：移動(dòng)范圍： X： 0~50mm； Y： 0~5mm； Z： ~30mm； T： 5~700旋轉(zhuǎn) R：3600，最大樣品尺寸： 100mm 探測(cè)器 : 高位探頭可選擇接受二次電子像或背散射像，并混合 INCA Energy 350 X射線能譜儀技術(shù)指標(biāo)：Xsight Si(Li) 探測(cè)器 (專利 )， SuperATW 窗口 30mm2 活區(qū)，分辨率優(yōu)于 133eV (MnKα處 ,計(jì)數(shù)率為 4000cps)，分析元素范圍： Be4U9246 第二節(jié) 像襯原理與應(yīng)用 p 一、像襯原理 p 像的襯度 ：像的各部分 (即各像元 )強(qiáng)度相對(duì)于其平均強(qiáng)度的變化。 p SEM可以用二次電子、背散射電子、吸收電子、特征 X射線（帶 EDS或 WDS）、俄歇電子（單獨(dú)的俄歇電子能譜儀）等信號(hào)成像。 47 1．二次電子像襯度及特點(diǎn) p 二次電子信號(hào)主要來(lái)自樣品表層 5~10nm深度范圍，能量較低 (小于 50eV)。 p 影響二次電子產(chǎn)額的因素主要 有： (1)入射電子的能量； (2)材料的原子序數(shù)； (3)樣品傾斜角 ?。 48 二次電子像的襯度可以分為以下幾類： (1)形貌襯度 (2)成分襯度 (3)電壓襯度 (4)磁襯度 (第一類 )形貌襯度原理樣品傾斜角 ? 入射電子束 表面法線樣品傾斜角 ?越大 二次電子產(chǎn)額越大 圖像越明亮49 二次電子像襯度的特點(diǎn)： （ 1）分辨率高 （ 2）景深大，立體感強(qiáng)
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