【文章內(nèi)容簡介】 Ag(NH3)2+ AgCL Ag+ + CL AgCL + CL AgCL2 AgCL2 + CL AgCL3 練習 例：計算 AgI 在 解： )( 21237 ???? ?? KKNHAgK Ag ISP ，的，已知 ）（39。]39。[])([])([][ 233 SAgNHAgNHAgAg ???? ????3232131)( ][][1][]39。]3?????? ??NHKKNHKAgAgNHAg?Lm o lKS NHAgSP /39。 7317)(23?? ??????????5. 其他因素： A．溫度 ： T↑ ， S ↑ ，溶解損失 ↑ （合理控制） B． 溶劑極性 ： 溶劑極性 ↓ ， S↓， 溶解損失 ↓ （ 加入有機溶劑 ） C． 沉淀顆粒度大小 ： 同種沉淀 ， 顆粒 ↑ ， S↓ ， 溶解損失 ↓（ 粗大晶體 ） D． 膠體形成 ： “ 膠溶 ” 使 S↑， 溶解損失 ↑（ 加入大量電解質(zhì)可破壞之 ） E． 水解作用 ： 某些沉淀易發(fā)生水解反應 ， 對沉淀造成影響 圖示 溫度對沉淀溶解度的影響 ? 注： 根據(jù)沉淀受溫度影響程度選擇合適溫度 ? 沉淀 → 加熱溶液 ? 陳化 → 加熱微沸 ? 過濾 、 洗滌沉淀 ? 溫度影響大的沉淀 → 冷至室溫 再過濾洗滌 ? 溫度影響小的沉淀 → 趁熱過濾 洗滌 四、沉淀的類型和形成 1. 沉淀的類型 2. 沉淀的形成 1. 沉淀的類型 （ 1） 晶形沉淀：顆粒直徑 ～ 1μm， 排列整齊 ， 結構緊密 ， 比表面積小 ， 吸附雜質(zhì)少 易于過濾 、 洗滌 例： BaSO4↓（ 細晶形沉淀 ） MgNH4PO4↓（ 粗晶形沉淀 ） （ 2） 無定形沉淀：顆粒直徑 ﹤ 結構疏松 比表面積大 ， 吸附雜質(zhì)多 不易過濾 、 洗滌 例： Fe2O3?2H2O↓ （ 3） 凝乳狀沉淀：顆粒直徑界于兩種沉淀之間 例： AgCL↓ 2． 沉淀的形成 ? 晶核的生長 ? 晶核的形成 成核作用 均相 、 異相 生長過程 擴散 、 沉積 聚集 定向排列 構晶離子 晶核 沉淀微粒 無定形沉淀 晶形沉淀 續(xù)前 ? 晶核的形成 均相成核 （自發(fā)成核）：過飽和溶液中，構晶離子通過相互 靜電作用締和而成晶核 異相成核 ：非過飽和溶液中，構晶離子借助溶液中固體微粒 形成晶核 ? 晶核的生長 影響沉淀顆粒大小和形態(tài)的因素： 聚集速度 ：構晶離子聚集成晶核后進一步堆積成沉淀微粒的 速度 定向速度 ：構晶離子以一定順序排列于晶格內(nèi)的速度 注： 沉淀顆粒大小和形態(tài)決定于聚集速度和定向速度比率大小 聚集速度＜ 定向排列速度 → 晶形沉淀 聚集速度＞ 定向排列速度 → 無定形沉淀 五、影響沉淀純凈的因素 1．共沉淀現(xiàn)象 2．后沉淀 3．提高沉淀純度措施 1． 共沉淀現(xiàn)象 （ 1）表面吸附 吸附共沉淀 ：沉淀表面吸附引起雜質(zhì)共沉淀 ? 吸附規(guī)則 第一吸附層：先吸附過量的構晶離子 再吸附與構晶離子大小接近 、 電荷相同的離子 濃度較高的離子被優(yōu)先吸附 第二吸附層：優(yōu)先吸附與構晶離子形成的鹽溶解度小的離子 離子價數(shù)高 、 濃度大的離子 ， 優(yōu)先被吸附 ? 減小方法 制備大顆粒沉淀或晶形沉淀 適當提高溶液溫度 洗滌沉淀，減小表面吸附 圖示 BaSO4晶體表面吸附示意圖 沉淀表面形成雙電層： ? 吸附層 —— 吸附剩余構晶離子 SO42 ? 擴散層 —— 吸附陽離子或抗衡離子 Fe3+ 續(xù)前 （ 2）形成混晶：存在與構晶離子晶體構型相同、離 子半徑相近、電子層結構相同的雜質(zhì)離子，沉 淀時進入晶格中形成混晶 ? 減小或消除方法 將雜質(zhì)事先分離除去； 加入絡合劑或改變沉淀劑 ， 以消除干擾離子 ? 例： BaSO4與 PbSO4 ， AgCL與 AgBr 同型混晶 BaSO4中混入 KMnO4（粉紅色） 異型混晶 續(xù)前 （ 3） 吸留 或 包埋 ：沉淀速度過快，表面吸附的雜質(zhì) 來不及離開沉淀表面就被隨后沉積下來的沉淀 所覆蓋，包埋在沉淀內(nèi)部，這種因吸附而留在 沉淀內(nèi)部的共沉淀現(xiàn)象稱～ ? 減少或消除方法 改變沉淀條件 ， 重結晶或陳化 2． 后沉淀（繼沉淀） ： 溶液中被測組分析出沉淀之后在與母液放置過程中， 溶液中其他本來難以析出沉淀的組分（雜質(zhì)離子） 在該沉淀表面繼續(xù)沉積的現(xiàn)