【文章內容簡介】 相位偏移量精確值計算由以下公式給出： 當 RAM 使能位被置位，即 CFR131=1，和 RAM 目標控制位被清零，即 CFR130=0時由 RAM 提供相位偏置字， POW 寄存器不起任何作用。 頻率調整控制字 1（ FTW1） FTW1 為 32位寄存器在線性掃頻工作模式下提供上限頻率值。 負數(shù)和正數(shù)線性掃頻控制字（ NLSCW、 RLSCW） 寄存器 0X07 和 0X08 是多功能寄存器。當線性掃頻控制位 CFR121置“ 1”時，寄存器 0X07 作為負數(shù)線性掃頻控制字（ NLSCW）、寄存器 0X08 作為正數(shù)線性掃頻控制字（ PLSCW）。每個線性掃頻控制字都包含一個 32 位 DELTA 頻率調整字（ FDFTW、 RDFTW）和一個 8位掃速控制字（ FSRRW、 RSRRW）。 DELTA 頻率調整字決定頻率加法器對結果字加減數(shù)值。掃速控制字決定加法器進行加減速率，用同步時鐘周期數(shù)表示。 RAM 段控制字（ RSCW0、 RSCW RSCW RSCW3） 當線性掃頻控制位 CFR121被清零，寄存器 0X0 0X0 0X0 0X0A 作 為每個 RAM段的段控制字。每個 RAM段控制字由 RAM 段地址更新速率、終止地址值、起始地址值、一個 RAM 段模式控制位和一個 NODWELL 位組成。 RAM 段地址更新速率控制字（ RSCW39:24）， RAM 模式， 16 位字定義 RAM 控制器在每個地址停留時間（停留多少個 SYNCCLK 周期），有效數(shù)值范圍 165535。 RAM 段終止地址 RSCW9: RSCW23:16，這非連續(xù) 10 位序列定義了所給 RAM 段終止地址值。 RAM 段起始地址 RSCW3:0、 RSCW15:10。 RAM 段模式控制字 RSCW7:5， 3 位序列值決定 RAM 段的工作模式。由于只有五種工作模式，所以有效數(shù)字為 05。詳細情況見表 9。 RAM 段 NODwell 位（ RSCW4）： 這位建立具有 NODWELL 掃頻信號輸出外形。從定義的起始點到終止點， RAM 控制器使輸出停留在終止地址，或者使 RSCW4置位，這時 RAM 控制器使輸出返回到起始地址并停留直到下一個輸出外形被選擇。 RAM 存儲器 AD9954 內部包含了 1024*32 位 SRAM?？梢詫?SRAM 進行讀寫操作，但兩者不能同時進行。從串行 I/O 進行寫操作具 有優(yōu)先權，如果試圖在 RAM 讀操作期間進行寫操作，讀操作將會被暫停。 RAM 可以通過多種方式控制，工作方式的選擇由 RAM 段控制字 7： 5決定。對 RAM 的讀 /寫控制在各種方式給予講解。 第 13 頁 共 58 頁 當 RAM使能后，即 CFR131=1， RAM 輸出是送往相位累加器還是送往相位偏置加法器處決于 RAM 輸出目標單元控制位的狀態(tài)（ CFR130）。如果 CFR130=1， RAM 輸出連接相位偏置加法器提供相位偏置控制字； CFR130=0（默認狀態(tài)）， RAM 輸出連接相位累加器提供頻率調整控制字。當 RAM 輸出接相位累加器時，相位 偏置字（ POW、 0X05）驅動相位偏置加法器；同理當 RAM 輸出驅動相位偏置加法器時，頻率調整控制字（ FTW、 0X04）驅動相位累加器。當 CFR131=0 時， RAM 是非活動的除非通過串口對它進行寫操作。AD9954 上電進入單一模式， RAM 使能位處于非活動狀態(tài)。 RAM 被分成四個單獨段，段的選擇是通過外部輸入引腳 Profile1:0控制。 所有的 RAM讀 /寫，除特殊情況下，由外部輸入引腳 Profile1:0選擇相應 RAM 段控制字。 RAM 的寫操作可以在常規(guī)工作模式下進行，但是命令對 RAM立即寫操作，延緩 對 RAM的讀操作的各種 I/O操作，將會引起當前工作模式停止工作。在單一模式下，對 RAM 不能進行讀操作。 寫 RAM按以下步驟完成。在通過 PS1:0引腳選擇配置好自己想要的 RAM 段控制字后。在指令字節(jié)寫 RAM 地址 0X0B。串口和 RAM 控制器聯(lián)合工作決定外形寬度和串口將會接受從起始地址到終止地址中連續(xù)的 32 位字。參照下面例子： （ 1） RAM 段控制字 1 寫起始地址為 25終止地址為 511。 (2)PS0= PS1=0。 (3)指令字節(jié)數(shù)為： 10001001。 RAM 控制器要配置串口期待 256 個 32 位字。最先 32bit 作為一個字送往 RAM256 地址處， 接下來的 32bit 送往 RAM257 地址處，以下依次類推直到 256 字送完為止。 內部工作模式使用說明 單一模式 在單一模式下， DDS 核只用了一個調整字。無論什么時候存儲在 FTW0 中的數(shù)據都提供給相位累加器。 FTW0 中的數(shù)據只能通過手動改變 —— 在寫完一個新數(shù)據后要發(fā)出一個I/O UPDATA 脈沖。相位調整可通過相 位偏置寄存器完成。 Direct Switch Mode 在 Direct Switch Mode 下可實現(xiàn) FSK 或 PSK 調制。通過對 RAM 使能位有效和RAM 段模式控制位寫 000b 可以使 AD9954 進入這模式。要完成 4tone FSK 調制，用戶只需對各 RAM 段控制字為 Direct Switch Mode 并各自有一個不同的起始地址值。 特別注意：當采用高位數(shù)據在前的串行傳輸模式傳輸數(shù)據時， RAM 段在輸入終止地址和起始地址時必須使終止地址和起始地址相同 。 此 外， RAM 使能位必為真 —— 即 RAM 可用，RAM 目 標單元控制位必為假 —— 即 RAM 輸出作頻率調整字。 Profile1:0為 4tone FSK數(shù)值輸入。當 Profile 值改變，存在新 Profile 下的頻率調整控制字被裝入相位累加器和在相位連續(xù)方式下常常用作當前存儲值的增量。相位偏置字驅動著相位偏置加法器。 第 14 頁 共 58 頁 Twotone FSK 只需應用一個 Profile 引腳。 使 AD9954 工作于 PSK 調制與 FSK 相似，不同之處是 RAM 目標單元控制位必為“ 1”， RAM 輸出送相位偏置加法器。 FTW0 驅動相位累加器輸入。 Continuous Recirculate 在 Continuous Recirculate下可以完成自動非線性連續(xù)掃頻、自動連續(xù)跳頻功能。使用者可根據自己所需頻點存入 AD9954 內部 RAM 中，具體實現(xiàn)是將 RAM 使能位有效和RAM 段模式控制位寫 100b，往 AD9954 送入使用者所須地址范圍，通過外部引腳 IO UPDATA 啟動從 RAM 起始地址到終止地址循環(huán)掃描。 線性掃頻模式 只須設置好掃頻范圍、頻率更新數(shù)率、頻率更新步進值，是 AD9954 工作與這模式下，即可實現(xiàn)線性掃頻。 I/O 傳輸控制時序 控 制字 表 控制字表 R/WR：讀寫控制位，為“ 0”表示寫，為“ 1”表示讀。 A A A A A0 表示要對那個寄存器操作，即為要操作的寄存器地址 讀寫時序 圖 寫時序圖 圖 讀時序圖 SCLK 最大支持傳輸頻率為 25MHz。 外部管腳圖 第 15 頁 共 58 頁 圖 AD9954 外部管腳圖 4 AT89C5 EPF706 TLC0820ACWD 簡介 AT89C55 AT89C55WDATMEL 公司 51 系列片內大容量 ROM 單片機，片內 RAM 容量 256BYTE, 20KBYTE 在系統(tǒng)可編程 Flash 存儲器，三個 16 位定時記數(shù)器， 8 個中斷源，具有節(jié)電掉電模式。 AT89C55WD 管腳如圖 41。單片機工作時鐘 0Hz33MHZ。 圖 AT89C55 外部引腳圖 EPF7064SLC4410 第 16 頁 共 58 頁 EPF7064SLC4410 是由 altera 公司 MAX7000 系列產品之一，支持 ISP在系統(tǒng)可編程、JTAG 邊界掃描測試功能，可用邏輯門 1250，宏單元 64，內部 16 位計數(shù)器全局時鐘高達175MHz， 5V 電源供電， I/O 輸入輸出電平支持 、 5V，兼容 TLL、 LVTTL、 LV COMS邏輯電平， 44PLCC 封裝。外部管腳圖 如 42所示 圖 EPF7064SLC4410 外部引腳圖 TLC0820ACWD TLC0820ACWD 簡要描述 TLC0820ACWD 8 位 AD 轉換器，無須外部時鐘源，并行接口，差分電壓基準輸入，單 5V 電源供電，輸入信號高出基準電壓提示，轉換速率 390K。 SOIC20 封裝， 外部管腳圖如 43 圖 TLC0820ACWD 外部引腳圖 第 17 頁 共 58 頁 TLC0820ACWD 內部結構 圖 TLC0820ACWD 內部結構圖 TLC0820ACWD 讀寫時序 圖 讀寫時序圖