【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 相位偏移量精確值計(jì)算由以下公式給出： 當(dāng) RAM 使能位被置位，即 CFR131=1，和 RAM 目標(biāo)控制位被清零，即 CFR130=0時(shí)由 RAM 提供相位偏置字， POW 寄存器不起任何作用。 頻率調(diào)整控制字 1（ FTW1） FTW1 為 32位寄存器在線性掃頻工作模式下提供上限頻率值。 負(fù)數(shù)和正數(shù)線性掃頻控制字（ NLSCW、 RLSCW） 寄存器 0X07 和 0X08 是多功能寄存器。當(dāng)線性掃頻控制位 CFR121置“ 1”時(shí)，寄存器 0X07 作為負(fù)數(shù)線性掃頻控制字（ NLSCW）、寄存器 0X08 作為正數(shù)線性掃頻控制字（ PLSCW）。每個(gè)線性掃頻控制字都包含一個(gè) 32 位 DELTA 頻率調(diào)整字（ FDFTW、 RDFTW）和一個(gè) 8位掃速控制字（ FSRRW、 RSRRW）。 DELTA 頻率調(diào)整字決定頻率加法器對(duì)結(jié)果字加減數(shù)值。掃速控制字決定加法器進(jìn)行加減速率，用同步時(shí)鐘周期數(shù)表示。 RAM 段控制字（ RSCW0、 RSCW RSCW RSCW3） 當(dāng)線性掃頻控制位 CFR121被清零，寄存器 0X0 0X0 0X0 0X0A 作 為每個(gè) RAM段的段控制字。每個(gè) RAM段控制字由 RAM 段地址更新速率、終止地址值、起始地址值、一個(gè) RAM 段模式控制位和一個(gè) NODWELL 位組成。 RAM 段地址更新速率控制字（ RSCW39:24）， RAM 模式， 16 位字定義 RAM 控制器在每個(gè)地址停留時(shí)間（停留多少個(gè) SYNCCLK 周期），有效數(shù)值范圍 165535。 RAM 段終止地址 RSCW9: RSCW23:16，這非連續(xù) 10 位序列定義了所給 RAM 段終止地址值。 RAM 段起始地址 RSCW3:0、 RSCW15:10。 RAM 段模式控制字 RSCW7:5， 3 位序列值決定 RAM 段的工作模式。由于只有五種工作模式，所以有效數(shù)字為 05。詳細(xì)情況見(jiàn)表 9。 RAM 段 NODwell 位（ RSCW4）： 這位建立具有 NODWELL 掃頻信號(hào)輸出外形。從定義的起始點(diǎn)到終止點(diǎn)， RAM 控制器使輸出停留在終止地址，或者使 RSCW4置位，這時(shí) RAM 控制器使輸出返回到起始地址并停留直到下一個(gè)輸出外形被選擇。 RAM 存儲(chǔ)器 AD9954 內(nèi)部包含了 1024*32 位 SRAM。可以對(duì) SRAM 進(jìn)行讀寫操作，但兩者不能同時(shí)進(jìn)行。從串行 I/O 進(jìn)行寫操作具 有優(yōu)先權(quán)，如果試圖在 RAM 讀操作期間進(jìn)行寫操作，讀操作將會(huì)被暫停。 RAM 可以通過(guò)多種方式控制，工作方式的選擇由 RAM 段控制字 7： 5決定。對(duì) RAM 的讀 /寫控制在各種方式給予講解。 第 13 頁(yè) 共 58 頁(yè) 當(dāng) RAM使能后，即 CFR131=1， RAM 輸出是送往相位累加器還是送往相位偏置加法器處決于 RAM 輸出目標(biāo)單元控制位的狀態(tài)（ CFR130）。如果 CFR130=1， RAM 輸出連接相位偏置加法器提供相位偏置控制字； CFR130=0（默認(rèn)狀態(tài)）， RAM 輸出連接相位累加器提供頻率調(diào)整控制字。當(dāng) RAM 輸出接相位累加器時(shí)，相位 偏置字（ POW、 0X05）驅(qū)動(dòng)相位偏置加法器；同理當(dāng) RAM 輸出驅(qū)動(dòng)相位偏置加法器時(shí)，頻率調(diào)整控制字（ FTW、 0X04）驅(qū)動(dòng)相位累加器。當(dāng) CFR131=0 時(shí)， RAM 是非活動(dòng)的除非通過(guò)串口對(duì)它進(jìn)行寫操作。AD9954 上電進(jìn)入單一模式， RAM 使能位處于非活動(dòng)狀態(tài)。 RAM 被分成四個(gè)單獨(dú)段，段的選擇是通過(guò)外部輸入引腳 Profile1:0控制。 所有的 RAM讀 /寫，除特殊情況下，由外部輸入引腳 Profile1:0選擇相應(yīng) RAM 段控制字。 RAM 的寫操作可以在常規(guī)工作模式下進(jìn)行，但是命令對(duì) RAM立即寫操作，延緩 對(duì) RAM的讀操作的各種 I/O操作，將會(huì)引起當(dāng)前工作模式停止工作。在單一模式下，對(duì) RAM 不能進(jìn)行讀操作。 寫 RAM按以下步驟完成。在通過(guò) PS1:0引腳選擇配置好自己想要的 RAM 段控制字后。在指令字節(jié)寫 RAM 地址 0X0B。串口和 RAM 控制器聯(lián)合工作決定外形寬度和串口將會(huì)接受從起始地址到終止地址中連續(xù)的 32 位字。參照下面例子： （ 1） RAM 段控制字 1 寫起始地址為 25終止地址為 511。 (2)PS0= PS1=0。 (3)指令字節(jié)數(shù)為： 10001001。 RAM 控制器要配置串口期待 256 個(gè) 32 位字。最先 32bit 作為一個(gè)字送往 RAM256 地址處， 接下來(lái)的 32bit 送往 RAM257 地址處，以下依次類推直到 256 字送完為止。 內(nèi)部工作模式使用說(shuō)明 單一模式 在單一模式下， DDS 核只用了一個(gè)調(diào)整字。無(wú)論什么時(shí)候存儲(chǔ)在 FTW0 中的數(shù)據(jù)都提供給相位累加器。 FTW0 中的數(shù)據(jù)只能通過(guò)手動(dòng)改變 —— 在寫完一個(gè)新數(shù)據(jù)后要發(fā)出一個(gè)I/O UPDATA 脈沖。相位調(diào)整可通過(guò)相 位偏置寄存器完成。 Direct Switch Mode 在 Direct Switch Mode 下可實(shí)現(xiàn) FSK 或 PSK 調(diào)制。通過(guò)對(duì) RAM 使能位有效和RAM 段模式控制位寫 000b 可以使 AD9954 進(jìn)入這模式。要完成 4tone FSK 調(diào)制，用戶只需對(duì)各 RAM 段控制字為 Direct Switch Mode 并各自有一個(gè)不同的起始地址值。 特別注意：當(dāng)采用高位數(shù)據(jù)在前的串行傳輸模式傳輸數(shù)據(jù)時(shí)， RAM 段在輸入終止地址和起始地址時(shí)必須使終止地址和起始地址相同 。 此 外， RAM 使能位必為真 —— 即 RAM 可用，RAM 目 標(biāo)單元控制位必為假 —— 即 RAM 輸出作頻率調(diào)整字。 Profile1:0為 4tone FSK數(shù)值輸入。當(dāng) Profile 值改變，存在新 Profile 下的頻率調(diào)整控制字被裝入相位累加器和在相位連續(xù)方式下常常用作當(dāng)前存儲(chǔ)值的增量。相位偏置字驅(qū)動(dòng)著相位偏置加法器。 第 14 頁(yè) 共 58 頁(yè) Twotone FSK 只需應(yīng)用一個(gè) Profile 引腳。 使 AD9954 工作于 PSK 調(diào)制與 FSK 相似，不同之處是 RAM 目標(biāo)單元控制位必為“ 1”， RAM 輸出送相位偏置加法器。 FTW0 驅(qū)動(dòng)相位累加器輸入。 Continuous Recirculate 在 Continuous Recirculate下可以完成自動(dòng)非線性連續(xù)掃頻、自動(dòng)連續(xù)跳頻功能。使用者可根據(jù)自己所需頻點(diǎn)存入 AD9954 內(nèi)部 RAM 中，具體實(shí)現(xiàn)是將 RAM 使能位有效和RAM 段模式控制位寫 100b，往 AD9954 送入使用者所須地址范圍，通過(guò)外部引腳 IO UPDATA 啟動(dòng)從 RAM 起始地址到終止地址循環(huán)掃描。 線性掃頻模式 只須設(shè)置好掃頻范圍、頻率更新數(shù)率、頻率更新步進(jìn)值，是 AD9954 工作與這模式下，即可實(shí)現(xiàn)線性掃頻。 I/O 傳輸控制時(shí)序 控 制字 表 控制字表 R/WR：讀寫控制位，為“ 0”表示寫，為“ 1”表示讀。 A A A A A0 表示要對(duì)那個(gè)寄存器操作，即為要操作的寄存器地址 讀寫時(shí)序 圖 寫時(shí)序圖 圖 讀時(shí)序圖 SCLK 最大支持傳輸頻率為 25MHz。 外部管腳圖 第 15 頁(yè) 共 58 頁(yè) 圖 AD9954 外部管腳圖 4 AT89C5 EPF706 TLC0820ACWD 簡(jiǎn)介 AT89C55 AT89C55WDATMEL 公司 51 系列片內(nèi)大容量 ROM 單片機(jī)，片內(nèi) RAM 容量 256BYTE, 20KBYTE 在系統(tǒng)可編程 Flash 存儲(chǔ)器，三個(gè) 16 位定時(shí)記數(shù)器， 8 個(gè)中斷源，具有節(jié)電掉電模式。 AT89C55WD 管腳如圖 41。單片機(jī)工作時(shí)鐘 0Hz33MHZ。 圖 AT89C55 外部引腳圖 EPF7064SLC4410 第 16 頁(yè) 共 58 頁(yè) EPF7064SLC4410 是由 altera 公司 MAX7000 系列產(chǎn)品之一，支持 ISP在系統(tǒng)可編程、JTAG 邊界掃描測(cè)試功能，可用邏輯門 1250，宏單元 64，內(nèi)部 16 位計(jì)數(shù)器全局時(shí)鐘高達(dá)175MHz， 5V 電源供電， I/O 輸入輸出電平支持 、 5V，兼容 TLL、 LVTTL、 LV COMS邏輯電平， 44PLCC 封裝。外部管腳圖 如 42所示 圖 EPF7064SLC4410 外部引腳圖 TLC0820ACWD TLC0820ACWD 簡(jiǎn)要描述 TLC0820ACWD 8 位 AD 轉(zhuǎn)換器，無(wú)須外部時(shí)鐘源，并行接口，差分電壓基準(zhǔn)輸入，單 5V 電源供電，輸入信號(hào)高出基準(zhǔn)電壓提示，轉(zhuǎn)換速率 390K。 SOIC20 封裝， 外部管腳圖如 43 圖 TLC0820ACWD 外部引腳圖 第 17 頁(yè) 共 58 頁(yè) TLC0820ACWD 內(nèi)部結(jié)構(gòu) 圖 TLC0820ACWD 內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 TLC0820ACWD 讀寫時(shí)序 圖 讀寫時(shí)序圖