存儲(chǔ)器種類大全與簡介(編輯修改稿)
2025-06-20 01:17 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 。 揮發(fā)性記憶體 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體 （ Synchronous DRAM） 這是一種與 CPU實(shí)現(xiàn)外頻 Clock同步的內(nèi)存模式，一般都采用168Pin的內(nèi)存模組，工作電壓為 。 所謂 clock同步是指內(nèi)存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t，因此可提升計(jì)算機(jī)的性能和效率。 揮發(fā)性記憶體 快速頁面模式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（簡稱 FPM DRAM） Fast Page Mode DRAM 改良版的 DRAM，大多數(shù)為 72Pin或 30Pin的模塊。傳統(tǒng)的 DRAM在存取一個(gè) BIT的數(shù)據(jù)時(shí)，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數(shù)據(jù)。而FRM DRAM在觸發(fā)了行地址后，如果 CPU需要的地址在同一行內(nèi)，則可以連續(xù)輸出列地址而不必再輸出行地址了。由于一般的程序和數(shù)據(jù)在內(nèi)存中排列的地址是連續(xù)的，這種情況下輸出行地址后連續(xù)輸出列地址就可以得到所需要的數(shù)據(jù)。 FPM將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù) Pages，從512B到數(shù) KB不等，在讀取一連續(xù)區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)時(shí)，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各 page內(nèi)的資料，從而大大提高讀取速度。在 96年以前，在 486時(shí)代和 PENTIUM時(shí)代的初期， FPM DRAM被大量使用。 揮發(fā)性記憶體 延伸資料輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（簡稱 EDO DRAM） Extended Data Out DRAM 這是繼 FPM之后出現(xiàn)的一種存儲(chǔ)器，一般為 72Pin、 168Pin的模塊。它不需要像 FPM DRAM那樣在存取每一 BIT 數(shù)據(jù)時(shí)必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時(shí)間，然后才能讀寫有效的數(shù)據(jù)，而下一個(gè) BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時(shí)間，其存取速度一般比 FPM模式快 15%左右。它一般應(yīng)用于中檔以下的 Pentium主板標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，后期的 486系統(tǒng)開始支持 EDO DRAM，到 96年后期， E
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