存儲器種類大全與簡介(文件)
【正文】 可以達(dá)到500~530MB/s，是 DRAM的 10倍以上。 Rambus DRAM 同步圖形動態(tài)隨機(jī)存取記憶體（簡稱 SGRAM） Synchronous Graphics RAM SDRAM的改良版，它以區(qū)塊 Block，即每 32bit為基本存取單位，個(gè)別地取回或修改存取的資料，減少內(nèi)存整體讀寫的次數(shù)，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，并提供區(qū)塊搬移功能（ BitBlt），效率明顯高于 SDRAM。 Rambus DRAM 加強(qiáng)型同步動態(tài)存取記憶體（簡稱 ESDRAM） Enhanced Synchronous DRAM Enhanced Memory Systems, Inc 公司開發(fā)的一種 SDRAM，帶有一個(gè)小型的靜態(tài)存儲器。每 6顆電子管組成一個(gè)位存儲單元，因?yàn)闆]有電容器，因此無須不斷充電即可正常運(yùn)作，因此它可以比一般的動態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定，往往用來做高速緩存。 延伸資料輸出動態(tài)隨機(jī)存取記憶體 。 1 同步靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體（ Sync SRAM） 與系統(tǒng)相同時(shí)鐘頻率的記憶體。 Rambus DRAM 1 快速循環(huán)週期同步動態(tài)隨機(jī)存取記憶體（ FCRAM） Fast Cycle RAM FCRAM的主要優(yōu)勢包括 DRAM密度與接近 SRAM速度的隨機(jī)循環(huán)性能、可實(shí)現(xiàn)快速隨機(jī)存取循環(huán)時(shí)間的專有核心技術(shù)、可提供更短隨機(jī)存取及循環(huán)時(shí)間的架構(gòu)以及結(jié)合傳統(tǒng) DDR接口 (采用一種成本效益更高的DRAM技術(shù) )的高帶寬等。它采用雙數(shù)據(jù)口設(shè)計(jì)，其中一個(gè)數(shù)據(jù)口是并行式的數(shù)據(jù)輸出入口，另一個(gè)是串行式的數(shù)據(jù)輸出口。 Rambus DRAM 虛擬通道同步動態(tài)存取記憶體（ VCM） (Virtual Channel Memory) 是 NEC于 1999年推出的一種“緩沖式 DRAM”內(nèi)存架構(gòu)。 揮發(fā)性記憶體 雙倍數(shù)同步動態(tài)隨機(jī)存取
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