存儲器種類大全與簡介(完整版)
【正文】 來存放硬件設置數(shù)據(jù)，也常用在防止軟件非法拷貝的 硬件鎖 上面。 EPROM內(nèi)資料的寫入要用專用的編程器，并且往芯片中寫內(nèi)容時必須要加一定的編程電壓（ VPP=12— 24V，隨不同的芯片型號而定）。 ROM內(nèi)部的資料是在 ROM的制造工序中，在工廠里用特殊的方法被燒錄進去的，其中的內(nèi)容只能讀不能改，一旦燒錄進去，用戶只能驗證寫入的資料是否正確，不能再作任何修改。 PROM的特性和 ROM相同，但是其成本比 ROM高，而且寫入資料的速度比 ROM的量產(chǎn)速度要慢，一般只適用于少量需求的場合或是 ROM量產(chǎn)前的驗證。EEPROM的一種特殊形式是閃存，其應用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重編程。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。 FPM將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù) Pages，從512B到數(shù) KB不等，在讀取一連續(xù)區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各 page內(nèi)的資料，從而大大提高讀取速度。 Rambus DRAM Rambus DRAM，簡稱為 RDRAM 高頻動態(tài)隨機存取存儲器 Rambus公司獨立設計完成的一種內(nèi)存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是 DRAM的 10倍以上。 Rambus DRAM 加強型同步動態(tài)存取記憶體（簡稱 ESDRAM） Enhanced Synchronous DRAM Enhanced Memory Systems, Inc 公司開發(fā)的一種 SDRAM，帶有一個小型的靜態(tài)存儲器。 延伸資料輸出動態(tài)隨機存取記憶體 。 Rambus DRAM 1 快速循環(huán)週期同步動態(tài)隨機存取記憶體（ FCRAM） Fast Cycle RAM FCRAM的主要優(yōu)勢包括 DRAM密度與接近 SRAM速度的隨機循環(huán)性能、可實現(xiàn)快速隨機存取循環(huán)時間的專有核心技術、可提供更短隨機存取及循環(huán)時間的架構以及結合傳統(tǒng) DDR接口 (采用一種成本效益更高的DRAM技術 )的高帶
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