存儲器種類大全與簡介-wenkub
2023-05-26 01:17:21 本頁面
【正文】 24V，隨不同的芯片型號而定）。最初從工廠中制作完成的 PROM內(nèi)部并沒有資料，用戶可以用專用的編程器將自己的資料寫入，但是這種機會只有一次，一旦寫入后也無法修改，若是出了錯誤，已寫入的芯片只能報廢。 ROM內(nèi)部的資料是在 ROM的制造工序中，在工廠里用特殊的方法被燒錄進去的，其中的內(nèi)容只能讀不能改，一旦燒錄進去，用戶只能驗證寫入的資料是否正確，不能再作任何修改。如果發(fā)現(xiàn)資料有任何錯誤，則只有舍棄不用，重新訂做一份。 PROM的特性和 ROM相同，但是其成本比 ROM高，而且寫入資料的速度比 ROM的量產(chǎn)速度要慢，一般只適用于少量需求的場合或是 ROM量產(chǎn)前的驗證。 EPROM芯片在寫入資料后，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。EEPROM的一種特殊形式是閃存，其應(yīng)用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重編程。 非揮發(fā)性記憶體 快閃式唯讀記憶體（ Flash ROM） 這是一種可以直接在主機板上修改內(nèi)容而不需要將 IC拔下的內(nèi)存，當電源關(guān)掉后儲存在里面的資料并不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然后才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。 揮發(fā)性記憶體 快速頁面模式動態(tài)隨機存取記憶體（簡稱 FPM DRAM） Fast Page Mode DRAM 改良版的 DRAM，大多數(shù)為 72Pin或 30Pin的模塊。 FPM將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù) Pages，從512B到數(shù) KB不等，在讀取一連續(xù)區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各 page內(nèi)的資料，從而大大提高讀取速度。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比 FPM模式快 15%左右。 Rambus DRAM Rambus DRAM，簡稱為 RDRAM 高頻動態(tài)隨機存取存儲器 Rambus公司獨立設(shè)計完成的一種內(nèi)存模式，速度一般
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