半導(dǎo)體存儲器ppt課件-wenkub
2023-05-21 12:44:46 本頁面
【正文】 作 ， 刷新周期往往與讀 /寫周期相等 。 注： 動(dòng)態(tài)存儲器的結(jié)構(gòu)及組成 1）存儲矩陣 2）地址譯碼器 （分時(shí)復(fù)用） 注： 地址信號分時(shí)復(fù)用， RAS有效，用于行譯碼； CAS有效，用于列譯碼。 2）破壞性讀出。 W=1， Y=0， Q通 每行中所有數(shù)據(jù)位被讀出 ， 并放大和刷新 。 SRAM一般采用 “ 字結(jié)構(gòu) ” 存儲矩陣： 每個(gè)存儲單元存放多位 （ 16等 ） 每個(gè)存儲單元具有一個(gè)地址 SRAM 2114 SRAM 6264 * 構(gòu)成 （ 6個(gè) NMOS場效應(yīng)管 ） 圖 65 NMOS靜態(tài)基本存儲電路 工作過程 ? 讀出 –字線為高電平 ，從位線讀出數(shù)據(jù) 。 非讀 /寫操作： CS、 OE為低，三態(tài)雙向緩沖器對系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，使存儲器芯片與系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線完全隔離。 有效時(shí) ， 數(shù)據(jù)進(jìn)入被尋址的單元中 該控制端對應(yīng)系統(tǒng)的寫控制線 R/W 讀 /寫控制引線端 ,高電平進(jìn)行讀操作 。 雙譯碼方式 地址譯碼器有兩個(gè) 。 示例 存儲容量與地址 、 數(shù)據(jù)線個(gè)數(shù)有關(guān) ： 芯片的存儲容量 (N M) ＝ 存儲單元數(shù) 存儲單元的位數(shù) ＝ 2n M n：芯片的 地址線 根數(shù) M：芯片的 數(shù)據(jù)線 根數(shù) 譯碼器 A5 A4 A3 A2 A1 A0 63 0 1 存儲單元 64個(gè)單元 行譯碼 A2 A1 A0 7 1 0 列譯碼 A3A4A5 0 1 7 64個(gè)單元 單譯碼 雙譯碼 地址譯碼器 單譯碼結(jié)構(gòu) 雙譯碼結(jié)構(gòu) 雙譯碼可簡化芯片設(shè)計(jì) 主要采用的譯碼結(jié)構(gòu) 對地址信號譯碼 ， 有兩種譯碼編址方法 。 平均無故障間隔時(shí)間可達(dá)幾千小時(shí)以上 。 本章介紹采用半導(dǎo)體存儲器及其組成主存的方法 CPU CACHE 主存（內(nèi)存） 輔存（外存） 第 6章： 半導(dǎo)體存儲器的分類 按制造工藝分 雙極型存儲器： 速度快 、 集成度低 、 功耗大 MOS型存儲器：速度慢 、 集成度高 、 功耗低 按信息存儲方式分 隨機(jī)存取存儲器 RAM： 可讀可寫 、 斷電丟失 只讀存儲器 ROM：正常只讀 、 斷電不丟失 詳細(xì)分類，請看圖示 半導(dǎo)體 存儲器 只讀存儲器 （ ROM） 隨機(jī)存取存儲器 （ RAM） 靜態(tài) RAM（ SRAM） 動(dòng)態(tài) RAM（ DRAM） 非易失 RAM（ NVRAM） 掩膜式 ROM 一次性可編程 ROM（ PROM） 紫外線擦除可編程 ROM（ EPROM） 電擦除可編程 ROM（ EEPROM） 詳細(xì)展開，注意對比 第 6章： ⑴ 隨機(jī)存取 存儲器 RAM 組成單元 速度 集成度 應(yīng)用 SRAM 觸發(fā)器 快 低 小容量系統(tǒng) DRAM 極間電容 慢 高 大容量系統(tǒng) NVRAM 帶微型電池 慢 低 小容量非易失 第 6章： ⑵ 只讀存儲器 ROM 掩膜 ROM：信息制作在芯片中 ， 不可更改 PROM：允許一次編程 ， 此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除 ， 擦除后可編程；并允許用戶多次擦除和編程 EEPROM（ E2PROM） ：采用加電方法在線進(jìn)行擦除和編程 ，也可多次擦寫 Flash Memory（ 閃存 ） ：能夠快速擦寫的 EEPROM， 但只能按塊 （ Block） 擦除 半導(dǎo)體存儲器的性能指標(biāo) 存儲容量 存儲容量＝ 字?jǐn)?shù) 字長 ＝ N M （ M為 I/O電路數(shù)（ 數(shù)據(jù)線 根數(shù)））
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