《半導(dǎo)體存儲(chǔ)器》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 13 12 11 10 9 DRAM芯片 2164 地址鎖存1 2 8 1 2 8存儲(chǔ)矩陣1 2 8 個(gè)讀出再生放大器1 2 8 選1 （1 /2 ）列譯碼1 2 8 讀出再生放大器1 2 8 1 2 8存儲(chǔ)矩陣1 2 8 1 2 8存儲(chǔ)矩陣1 2 8 個(gè)讀出再生放大器1 2 8 選1 （1 /2 ）列譯碼1 2 8 讀出再生放大器1 2 8 1 2 8存儲(chǔ)矩陣1 2 8 選1行譯碼1 2 8 選1行譯碼I/O門（1 / 4 ）輸出緩沖行時(shí)鐘緩沖列時(shí)鐘緩沖輸入緩沖寫允許時(shí)鐘緩沖A 0A 1A 2A 3A 4A 5A 6A 7RASCASWED O UTD IN (b) 2164的內(nèi)部結(jié) 構(gòu) 動(dòng)態(tài) RAM的刷新 注： 1） 刷新按行進(jìn)行 ， 一個(gè)刷新周期（往往與讀 /寫周期相等 ）對(duì)一行的所有基本存儲(chǔ)電路都刷新一遍。 根據(jù)刷新周期時(shí)間的不同 ， 通常有三種刷新方式： （ 1） 定時(shí)集中刷新方式 。 設(shè)芯片容量 J K 存儲(chǔ)器容量 M N ， 其中 JM且 KN 擴(kuò)展方法：用 N/K塊芯片組成一個(gè)芯片組實(shí)現(xiàn)位擴(kuò)展 ， 用M/J個(gè)這種芯片組滿足存儲(chǔ)單元數(shù)的要求 。 2114與 8088CPU的連接（最小模式） DB A0? A9 A0? A9 A0? A9 A0? A9 A0? A9 CS CS CS CS WE WE WE WE D3?D0 D7?D4 D7?D4 D3?D0 2114 2114 2114 2114 D7?D0 CPU A19? A10 IO/M 1K 1K WR AB CB 片選譯碼 ? ? ? ? ? 第 6章： 教學(xué)要求 1. 了解各類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的應(yīng)用特點(diǎn) 2. 熟悉半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的結(jié)構(gòu) SRAM 211 DRAM 411 EPROM 276 EEPROM 2817A的引腳功能； 4. 掌握存儲(chǔ)芯片與 CPU連接的方法 ， 特別是片選端的處理 習(xí)題 （ 第 232頁(yè) ） 3 。 每個(gè)存儲(chǔ)單元將對(duì)應(yīng)多個(gè)地址 （ 地址重復(fù) ） ， 需要 選取一個(gè)可用地址 可簡(jiǎn)化譯碼電路的設(shè)計(jì) ， 但系統(tǒng)的部分地址空間將被浪費(fèi) 示例 *第 6章： ⑷ 線選譯碼 線選譯碼：只用少數(shù)幾根高位地址線進(jìn)行芯片的譯碼 ， 且每根負(fù)責(zé)選中一個(gè)芯片 （ 組 ） 雖構(gòu)成簡(jiǎn)單 ， 但地址空間嚴(yán)重浪費(fèi) 必然會(huì)出現(xiàn)地址重復(fù) （ 一個(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)多個(gè)存儲(chǔ)地址 ） 一個(gè)存儲(chǔ)地址會(huì)對(duì)應(yīng)多個(gè)存儲(chǔ)單元 多個(gè)存儲(chǔ)單元共用的存儲(chǔ)地址不應(yīng)使用 示例 存儲(chǔ)器系統(tǒng)與 CPU系統(tǒng)連接實(shí)例 一、 EPROM、 RAM子系統(tǒng)與 CPU主系統(tǒng)的連接 二、 8086CPU的最小模式與靜態(tài) RAM的連接 CPU與 RAM存儲(chǔ)器系統(tǒng)連接時(shí)主要需要解決 : 數(shù)據(jù)總線 (DB) 地址總線 (AB) 控制總線 (CB) 的問(wèn)題 存儲(chǔ)器的地址分配和片選問(wèn)題； 控制信號(hào)的連接問(wèn)題； CPU總線的負(fù)載能力問(wèn)題； CPU的時(shí)序和存儲(chǔ)器芯片的存取速度的配合問(wèn)題。 （ 3） 同步刷新方式 。 3） 刷新次數(shù) 等于 單個(gè) 存儲(chǔ)矩陣的 行數(shù) N 設(shè) N=2n， n為刷新地址計(jì)數(shù)器的觸發(fā)器位數(shù)。 因未選通時(shí)，泄漏電流使 C1不斷放電，同時(shí) C1很小，所以存儲(chǔ)電荷的保存時(shí)間很短，通常不超過(guò) 2ms，故必須在 2ms時(shí)間內(nèi)對(duì)存儲(chǔ)信息進(jìn)行周期性再生或刷新。 因： C2/C1≈10( 芯片容量越大， C2越
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