半導(dǎo)體存儲器ppt課件(完整版)
【正文】 A9～ A0 2114 （ 2） A9～ A0 I/O4～ I/O1 CE CE 多個位擴充的存儲芯片的數(shù)據(jù)線連接于系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的不同位數(shù) 其它連接都一樣 這些芯片應(yīng)被看作是一個整體 ， 常被稱為 “ 芯片組 ” 例 用 1K 4的芯片 → 1K 8的存儲器 第 6章： 存儲芯片地址線的連接 芯片的地址線通常應(yīng)全部與系統(tǒng)的 低位地址 總線相連 尋址時 ， 這部分地址的譯碼是在存儲芯片內(nèi)完成的 ， 我們稱為 “ 片內(nèi)譯碼 ” 第 6章： 片內(nèi)譯碼 A9～ A0 存儲芯片 000H 001H 002H … 3FDH 3FEH 3FFH 全 0 全 1 0000000000 0000000001 0000000010 … 1111111101 1111111110 1111111111 范圍（ 16進(jìn)制 ) A9 ~ A0 字?jǐn)U展方式 存儲系統(tǒng)常需利用多個存儲芯片擴充容量 ， 也就是擴充了 主存儲器地址 范圍 ， 這種擴充簡稱為 “ 地址擴展 ” 或“ 字?jǐn)U展 ” 進(jìn)行 “ 地址擴充 ” ， 需要利用存儲芯片的 片選端對多個存儲芯片 （ 組 ） 進(jìn)行尋址 這個尋址方法 ， 主要通過將存儲芯片的片選端與系統(tǒng)的高位地址線 相關(guān)聯(lián)來實現(xiàn) 用 16K 8的芯片 → 64K 8的存儲器 圖 612 字?jǐn)U充連接方式 字?jǐn)U展 例 用 1K 8的芯片 → 2K 8的存儲器 片選端 D7～ D0 A19～ A10 A9～ A0 A9～ A0 D7～ D0 CE 1K 8 （ 1） A9～ A0 D7～ D0 CE 譯碼器 0000000001 0000000000 1K 8 （ 2） 字位擴展 當(dāng)存儲芯片的 位數(shù) 和 單元數(shù) 都不能滿足存儲要求時 ，就要同時進(jìn)行位擴展和字?jǐn)U展 ， 即 字位擴展 。 注： 動態(tài)存儲器的結(jié)構(gòu)及組成 1）存儲矩陣 2）地址譯碼器 （分時復(fù)用） 注： 地址信號分時復(fù)用， RAS有效，用于行譯碼； CAS有效，用于列譯碼。 W=1， Y=0， Q通 每行中所有數(shù)據(jù)位被讀出 ， 并放大和刷新 。 非讀 /寫操作： CS、 OE為低，三態(tài)雙向緩沖器對系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，使存儲器芯片與系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線完全隔離。 雙譯碼方式 地址譯碼器有兩個 。 平均無故障間隔時間可達(dá)幾千小時以上 。 存取周期愈 短 ， 其存取速度愈 高 功耗 包括 “ 維持功耗 ” 和 “ 操作功耗 ” 。 單譯碼方式 地址譯碼器只有一個 ， 存儲單元呈線性排列 。低電平進(jìn)行寫操作 三態(tài)雙向緩沖器 1）數(shù)據(jù)輸入 /輸出采用三態(tài)雙向緩沖器控制，可方便地與系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線相連接。 ? 寫入 –字線為高電平 ，從位線寫入 *2. 靜態(tài) RAM電路構(gòu)成 圖 67 靜態(tài) RAM芯片的結(jié)構(gòu)示意圖 第 6章： SRAM芯片 2114 存儲容量為 1024 4 18個 引腳： 10根地址線 A9～ A0 4根數(shù)據(jù)線 I/O4～ I/O1 片選 CS 讀寫 WE 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 1716 15 14 13 12 11 10 Vcc A7 A8 A9 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 WE* A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS* GND 功能
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