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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器ppt課件(完整版)

  

【正文】 A9~ A0 2114 ( 2) A9~ A0 I/O4~ I/O1 CE CE 多個(gè)位擴(kuò)充的存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)線連接于系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的不同位數(shù) 其它連接都一樣 這些芯片應(yīng)被看作是一個(gè)整體 , 常被稱為 “ 芯片組 ” 例 用 1K 4的芯片 → 1K 8的存儲(chǔ)器 第 6章: 存儲(chǔ)芯片地址線的連接 芯片的地址線通常應(yīng)全部與系統(tǒng)的 低位地址 總線相連 尋址時(shí) , 這部分地址的譯碼是在存儲(chǔ)芯片內(nèi)完成的 , 我們稱為 “ 片內(nèi)譯碼 ” 第 6章: 片內(nèi)譯碼 A9~ A0 存儲(chǔ)芯片 000H 001H 002H … 3FDH 3FEH 3FFH 全 0 全 1 0000000000 0000000001 0000000010 … 1111111101 1111111110 1111111111 范圍( 16進(jìn)制 ) A9 ~ A0 字?jǐn)U展方式 存儲(chǔ)系統(tǒng)常需利用多個(gè)存儲(chǔ)芯片擴(kuò)充容量 , 也就是擴(kuò)充了 主存儲(chǔ)器地址 范圍 , 這種擴(kuò)充簡(jiǎn)稱為 “ 地址擴(kuò)展 ” 或“ 字?jǐn)U展 ” 進(jìn)行 “ 地址擴(kuò)充 ” , 需要利用存儲(chǔ)芯片的 片選端對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)芯片 ( 組 ) 進(jìn)行尋址 這個(gè)尋址方法 , 主要通過(guò)將存儲(chǔ)芯片的片選端與系統(tǒng)的高位地址線 相關(guān)聯(lián)來(lái)實(shí)現(xiàn) 用 16K 8的芯片 → 64K 8的存儲(chǔ)器 圖 612 字?jǐn)U充連接方式 字?jǐn)U展 例 用 1K 8的芯片 → 2K 8的存儲(chǔ)器 片選端 D7~ D0 A19~ A10 A9~ A0 A9~ A0 D7~ D0 CE 1K 8 ( 1) A9~ A0 D7~ D0 CE 譯碼器 0000000001 0000000000 1K 8 ( 2) 字位擴(kuò)展 當(dāng)存儲(chǔ)芯片的 位數(shù) 和 單元數(shù) 都不能滿足存儲(chǔ)要求時(shí) ,就要同時(shí)進(jìn)行位擴(kuò)展和字?jǐn)U展 , 即 字位擴(kuò)展 。 注: 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)及組成 1)存儲(chǔ)矩陣 2)地址譯碼器 (分時(shí)復(fù)用) 注: 地址信號(hào)分時(shí)復(fù)用, RAS有效,用于行譯碼; CAS有效,用于列譯碼。 W=1, Y=0, Q通 每行中所有數(shù)據(jù)位被讀出 , 并放大和刷新 。 非讀 /寫(xiě)操作: CS、 OE為低,三態(tài)雙向緩沖器對(duì)系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線呈現(xiàn)高阻狀態(tài),使存儲(chǔ)器芯片與系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線完全隔離。 雙譯碼方式 地址譯碼器有兩個(gè) 。 平均無(wú)故障間隔時(shí)間可達(dá)幾千小時(shí)以上 。 存取周期愈 短 , 其存取速度愈 高 功耗 包括 “ 維持功耗 ” 和 “ 操作功耗 ” 。 單譯碼方式 地址譯碼器只有一個(gè) , 存儲(chǔ)單元呈線性排列 。低電平進(jìn)行寫(xiě)操作 三態(tài)雙向緩沖器 1)數(shù)據(jù)輸入 /輸出采用三態(tài)雙向緩沖器控制,可方便地與系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線相連接。 ? 寫(xiě)入 –字線為高電平 ,從位線寫(xiě)入 *2. 靜態(tài) RAM電路構(gòu)成 圖 67 靜態(tài) RAM芯片的結(jié)構(gòu)示意圖 第 6章: SRAM芯片 2114 存儲(chǔ)容量為 1024 4 18個(gè) 引腳: 10根地址線 A9~ A0 4根數(shù)據(jù)線 I/O4~ I/O1 片選 CS 讀寫(xiě) WE 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 1716 15 14 13 12 11 10 Vcc A7 A8 A9 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 WE* A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS* GND 功能
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