存儲器種類大全與簡介(存儲版)
【正文】 （ Double Data Rate RAM，簡稱為 DDRSDRAM） 作為 SDRAM的換代產(chǎn)品，它具有兩大特點：其一，速度比 SDRAM有一倍的提高；其二，采用了 DLL（ Delay Locked Loop：延時鎖定回路）提供一個數(shù)據(jù)濾波信號。它采用雙數(shù)據(jù)口設(shè)計，其中一個數(shù)據(jù)口是并行式的數(shù)據(jù)輸出入口，另一個是串行式的數(shù)據(jù)輸出口。 1 同步靜態(tài)隨機存取記憶體（ Sync SRAM） 與系統(tǒng)相同時鐘頻率的記憶體。每 6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態(tài)隨機處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定，往往用來做高速緩存。 Rambus DRAM 同步圖形動態(tài)隨機存取記憶體（簡稱 SGRAM） Synchronous Graphics RAM SDRAM的改良版，它以區(qū)塊 Block，即每 32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內(nèi)存整體讀寫的次數(shù)，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，并提供區(qū)塊搬移功能（ BitBlt），效率明顯高于 SDRAM。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比 FPM模式快 15%左右。 揮發(fā)性記憶體 快速頁面模式動態(tài)隨機存取記憶體（簡稱 FPM DRAM） Fast Page Mode DRAM 改良版的 DRAM，大多數(shù)為 72Pin或 30Pin的模塊。 非揮發(fā)性記憶體 快閃式唯讀記憶體（ Flash ROM） 這是一種可以直接在主機板上修改內(nèi)容而不需要將 IC拔下的內(nèi)存，當電源關(guān)掉后儲存在里面的資料并不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然后才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。 EPROM芯片在寫入資料后，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。如果發(fā)現(xiàn)資料有任何錯誤，則只有舍棄不用，重新訂做一份。最初從工
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