存儲(chǔ)器種類大全與簡(jiǎn)介(更新版)
【正文】 寬等。 Rambus DRAM 虛擬通道同步動(dòng)態(tài)存取記憶體（ VCM） (Virtual Channel Memory) 是 NEC于 1999年推出的一種“緩沖式 DRAM”內(nèi)存架構(gòu)。 揮發(fā)性記憶體 延伸資料輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（簡(jiǎn)稱 EDO DRAM） Extended Data Out DRAM 這是繼 FPM之后出現(xiàn)的一種存儲(chǔ)器，一般為 72Pin、 168Pin的模塊。 揮發(fā)性記憶體 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體 （ Synchronous DRAM） 這是一種與 CPU實(shí)現(xiàn)外頻 Clock同步的內(nèi)存模式，一般都采用168Pin的內(nèi)存模組，工作電壓為 。 Play）。EPROM芯片有一個(gè)很明顯的特征，在其正面的陶瓷封裝上，開(kāi)有一個(gè)玻璃窗口，透過(guò)該窗口，可以看到其內(nèi)部的集成電路，紫外線透過(guò)該孔照射內(nèi)部芯片就可以擦除其內(nèi)的數(shù)據(jù)，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。 非揮發(fā)性記憶體 唯讀記憶體（簡(jiǎn)稱 ROM） Read Only Memory 在微機(jī)的發(fā)展初期， BIOS都存放在 ROM（ Read Only Memory，只讀存儲(chǔ)器）中。 非揮發(fā)性記憶體 可消除性可程式化唯讀記憶體（簡(jiǎn)稱 EPROM） Erasable Programmable ROM 芯片可重復(fù)擦除和寫入，解決了 PROM芯片只能寫入一次的弊端。 EEPROM,一般用于即插即用（ Plug amp。因?yàn)槌杀颈容^便宜，通常都用作計(jì)算機(jī)內(nèi)的主存儲(chǔ)器。在 96年以前，在 486時(shí)代和 PENTIUM時(shí)代的初期， FPM DRAM被大量使用。但使用該內(nèi)存后內(nèi)存控制器需要作相當(dāng)大的改變，因此它們一般應(yīng)用于專業(yè)的圖形加速適配卡或者電視游戲機(jī)的視頻內(nèi)存中。在嵌入式系統(tǒng)中， ESDRAM代替了 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），其速度與 SRAM相當(dāng)，但成本和耗電量卻比后者低
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