[工學(xué)]第5章_存儲(chǔ)器-wenkub
2022-11-03 00:24:20 本頁面
【正文】 已由廠家設(shè)定好，不能更改； 可編程 ROM(Programmable ROM，簡稱 PROM)，用戶只能對(duì)其進(jìn)行一次編程，寫入后不能更改； 可擦除的 PROM(Erasable PROM，簡稱 EPROM)，其內(nèi)容可用紫外線擦除，用戶可對(duì)其進(jìn)行多次編程； 電擦除的 PROM(Electrically Erasable PROM，簡稱 EEPROM或 E2PROM)，能以字節(jié)為單位擦除和改寫。168。168。 ( 2K 8)=32(片 ) ② (64K 8) 247。 MTBF即 Mean Time Between Failures —— 平均故障間隔時(shí)間， MBTF越長，表示可靠性越高。 T5 T6 T7 T8是控制管 1. 6264存儲(chǔ)芯片 Vcc WE CS2 A8 A9 A11 OE A10 CS1 D7 D6 D5 D4 D3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 1. 13根地址信號(hào)線通常接系統(tǒng)地址總線的低 13位； 2. 8根數(shù)據(jù)線，與系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線相連； 3. CS1， CS2兩根片選信號(hào)線； 4. OE輸出允許信號(hào)； 5. WE寫允許信號(hào)； 北京理工大學(xué) 宇航學(xué)院 飛行器系 微機(jī)原理與接口技術(shù) 6264的工作過程 6264的讀操作和寫操作 CS1 片選信號(hào) OE 輸出允許 WE 寫允許信號(hào) D0 D7 0 0 1 寫入 1 0 1 讀出 0或 1 0或 1 三態(tài) 片選信號(hào) CS2 0 6264真值表 未選中 北京理工大學(xué) 宇航學(xué)院 飛行器系 微機(jī)原理與接口技術(shù) 6264的工作過程 — 寫操作 (1)將寫入單元的地址送到 A0A12上 。 北京理工大學(xué) 宇航學(xué)院 飛行器系 微機(jī)原理與接口技術(shù) 6264芯片與系統(tǒng)的連接 D0~D7 A0 A12 ? ? ? WE OE CS1 CS2 ? ? ? A0 A12 MEMW MEMR 譯碼 電路 高位地址信號(hào) D0~D7 北京理工大學(xué) 宇航學(xué)院 飛行器系 微機(jī)原理與接口技術(shù) 譯碼電路 作用： 將輸入的一組二進(jìn)制編碼變換為一個(gè)特定的輸出信號(hào)，即：將輸入的一組高位地址信號(hào)通過變換，產(chǎn)生一個(gè)有效的輸出信號(hào)，用于選中某一個(gè)存儲(chǔ)器芯片，從而確定了該存儲(chǔ)器芯片在內(nèi)存中的地址范圍。 ≥1 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 CS1 Y7 G1 G2B G2A C B A SRAM6264 A19A18 A17A16 A15A14A13A12 A11A10A9A8 A7A6A5A4 A3A2A1A0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 3E000H …… …… … 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 3FFFFH 138譯碼器 若 Y7=0，必需使： CBA=111 G2A=0 G2B=0 G1=1 amp。 地址線采用分時(shí)復(fù)用，由 CAS（ 列選通）和RAS（ 行選通），從而實(shí)現(xiàn) 16位地址線， M＝ 216 ＝64K。 每次送出不同的行地址就可以刷新不同行的存儲(chǔ)單元，將行地址循環(huán)一遍，則刷新了整個(gè)芯片的所有存儲(chǔ)單元。 1. 存儲(chǔ)芯片的擴(kuò)展 存儲(chǔ)芯片的擴(kuò)展包括位擴(kuò)展 、 字?jǐn)U展和字位同時(shí)擴(kuò)展等三種情況 。 下圖 8片 8K?1位的 RAM芯片通過位擴(kuò)展構(gòu)成 8K?8位的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的連線圖。 2 4210。198。 8( 1 )CEWE161。 1 6 161。 193。 171。 I/O 1 ～ I/O 4 RAM 1 2114 A 9 ～ A 0 2 4 譯碼器 A 11 A 10 D 3 ～ D 0
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