dram存儲器ppt課件-wenkub
2023-01-21 14:02:21 本頁面
【正文】 ?優(yōu)點： 對存儲器的平均讀 /寫時間影響不大，適用于高速存儲器 ?缺點： 在集中刷新時間內(nèi)不能進(jìn)行存取訪問 ——死時間 讀 /寫 /保持 刷新 tc tc 0 1 2 14975 0 1 1023 8ms 集中刷新方式 8ms分成 16000個 TC(=)，只需 1024個 TC進(jìn)行刷新 分散刷新方式 ?分散式刷新 ：前先用刷新的行數(shù)對刷新周期進(jìn)行分割，再將分割好的時間分為兩部分 ——前段時間用于讀 /寫，后一小段時間用于刷新 讀 /寫 8ms 刷新 讀 /寫 刷新 異步刷新方式 將 8ms分割成 1024個時間段，每段時間為8ms/1024=(取 )， 每隔 ，8ms內(nèi)完成對所有 1024行的一次刷新 21 四 刷新方式 例 3：有一個 16K 16的存儲器，用 1K 4位的 DRAM芯片 (內(nèi)部結(jié)構(gòu)與 2114SRAM一致 )構(gòu)成，設(shè)讀 /寫周期為 ,如單元刷新間隔不超過 2ms，問： 若采用集中式刷新方式 ，存儲器刷新一遍最少用多少讀 /寫周期？死時間率是多少？ 22 五 標(biāo)準(zhǔn)的刷新操作控制方式 ? 只用 信號刷新， 信號無動作，這種方法消耗的電流小，但是需要外部刷新地址計數(shù)器。 位擴展只加大了字長，地址線個數(shù)前后不變，數(shù)據(jù)線增加了。 30 綜合例子 例 1：若某 RAM芯片，其存儲容量為 16K 8位，問：該芯片引出線的最小數(shù)目應(yīng)為多少？存儲芯片的地址范圍是多少？ 31 綜合例子 例 2：模塊化存儲器的設(shè)計，已知某 8位機主存采用半導(dǎo)體存儲器，地址碼為 18位，若用 4K 4位的 RAM芯片組成該機所允許的最大主存空間，并選用模塊條的形式 .
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