dram存儲(chǔ)器ppt課件-免費(fèi)閱讀
【正文】 43 3 SDRAMsynchronous DRAM ? 優(yōu)點(diǎn) :與系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)同步 省去了ＣＰＵ與內(nèi)存進(jìn)行握手的控制信號(hào) ,而是由ＣＰＵ告訴內(nèi)存芯片需要進(jìn)行幾個(gè)時(shí)鐘周期 ,然后啟動(dòng)訪問 .提高處理器與內(nèi)存之間數(shù)據(jù)傳輸速度 . 44 小結(jié) ? 主要掌握 DRAM芯片讀寫，刷新的工作過程，能計(jì)算相應(yīng)的引線。 28 2 字?jǐn)U展 通過增加單位數(shù)，增加容量，即字向擴(kuò)充。刷新時(shí)整個(gè)存儲(chǔ)器 所有芯片 一起刷新。 ? 地址線引腳只引出一半，因此內(nèi)部有兩個(gè)鎖存器，行地址選通信號(hào)和列地址選通信號(hào)在時(shí)間上錯(cuò)開進(jìn)行復(fù)用。 ? 理解各個(gè)周期的特點(diǎn)，并能繪制圖。 8 一 DRAM存儲(chǔ)最小單元 9 DRAM存儲(chǔ)元的記憶原理 MOS管作為開關(guān)使用，信息由電容器上的電荷量體現(xiàn) —— 電容器充滿電荷代表存儲(chǔ)了 1；電容器放電沒有電荷代表存儲(chǔ)了 0 寫 0—— 輸出緩沖器和刷新緩沖器關(guān)閉；輸入緩沖器打開，輸入數(shù)據(jù)DIN=0送到存儲(chǔ)元位線上；行選線為高，打開 MOS管，電容上的電荷通過MOS管和位線放電 讀出 1后存儲(chǔ)位元重寫 1 (1的讀出是破壞性的 )—— 輸入緩沖器關(guān)閉，刷新緩沖器和輸出緩沖器 /讀放打開，DOUT=1經(jīng)刷新緩沖器送到位線上，再經(jīng) MOS管寫到電容上 讀出 —— 輸入緩沖器和刷新緩沖器關(guān)閉；輸出緩沖器 /讀放打開 (R/W為高 )；行選線為高，打開 MOS管，電容上存儲(chǔ)的 1送到位線上，通過輸出緩沖器 /讀出放大器發(fā)送到 DOUT，即 DOUT=1 寫 1—— 輸出緩沖器和刷新緩沖器關(guān)閉；輸入緩沖器打開 (R/W為低 )， DI
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