dram存儲(chǔ)器ppt課件(完整版)
【正文】 某個(gè)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)為 1024?1024的存儲(chǔ)矩陣。 字?jǐn)U展加大了字?jǐn)?shù)，數(shù)據(jù)線，低地址線個(gè)數(shù)前后不變，但增加高地址線 29 3 字位擴(kuò)展法 ? 一個(gè)存儲(chǔ)器的容量為 M N位，若使用L k位的芯片，需要在字向和位向同時(shí)擴(kuò)展，此時(shí)共需要 (M/L) (N/K)個(gè)芯片。 ? EDRAM的特點(diǎn)及其優(yōu)點(diǎn)。 38 說(shuō)明 CDRAM結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)： ●在 SRAM讀出期間可同時(shí)對(duì) DRAM陣列進(jìn)行刷新。 使用 8K 1的 RAM芯片組成 8K 8的存儲(chǔ)器。 ? 刷新周期： 典型值 2ms、 8ms?16ms；某些器件可大于 100ms 17 有關(guān) DRAM的刷新 ? 刷新操作與讀操作的類似， 但不同。 ? 有 控制信號(hào)，而沒(méi)有 片選信號(hào)。DRAM存儲(chǔ)器與高性能存儲(chǔ)器 第 3章 存儲(chǔ)系統(tǒng) 2 教學(xué)內(nèi)容 ? DRAM存儲(chǔ)器 ? 高性能存儲(chǔ)器 3 教學(xué)要求 ? 掌握 DRAM存儲(chǔ)器的讀寫過(guò)程和刷新過(guò)程的原理。擴(kuò)展時(shí)用 信號(hào)代替 信號(hào)。刷新僅給柵極電容補(bǔ)充電荷，不需要信息輸出。 位擴(kuò)展只加大了字長(zhǎng)，地址線個(gè)數(shù)前后不變，數(shù)據(jù)線增加了。 ●芯片內(nèi)的數(shù)據(jù)輸出路徑與輸入路徑是分開的，允許在寫操作完成的同時(shí)來(lái)啟動(dòng)同一行的讀操作。 ? 刷新方式的圖，并能進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。 使用 16K 8的芯片組成64K 8的存儲(chǔ)器。 ? 無(wú)論刷新是由控制邏輯產(chǎn)生地址逐行循環(huán)刷新，還是芯片內(nèi)部自動(dòng)刷新，都 不依賴于外部的訪問(wèn) ，對(duì) CPU是透明的。 WE CSRAS CS14 實(shí)例 例 1：某一動(dòng)態(tài) RAM芯片，容量為 64K 1，
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