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[工學(xué)]第5章_存儲(chǔ)器(完整版)

  

【正文】 CS D 7 ~ D 4 WR A 9 ~ A 0 圖 字位同時(shí)擴(kuò)展連接圖 擴(kuò)展存儲(chǔ)器所需存儲(chǔ)芯片的數(shù)量計(jì)算:若用一個(gè)容量為 mK n位的存儲(chǔ)芯片構(gòu)成容量為 MK N位(假設(shè) M> m, N> n,即需字位同時(shí)擴(kuò)展)的存儲(chǔ)器,則這個(gè)存儲(chǔ)器所需要的存儲(chǔ)芯片數(shù)為 : (M/ m) (N/ n) 對(duì)于位擴(kuò)展: 因?yàn)? M= m, N> n, 則所需芯片數(shù)為 N/ n; 對(duì)于字?jǐn)U展: 因?yàn)? N= n, M> m, 則所需芯片數(shù)為 M/ m。 【 解 】 根據(jù)以上分析,可畫(huà)出 RAM與 CPU的連接圖,如圖所示。 2.連接實(shí)例 例 8088系統(tǒng)工作于最小模式下時(shí),用 128K 8的 SRAM芯片構(gòu)成 512K 8的存儲(chǔ)體,要求該存儲(chǔ)體地址占系統(tǒng) 1M地址空間的低 512K,畫(huà)出數(shù)據(jù)線、地址線及有關(guān)控制信號(hào)的連接方法。A 0A1 3161。 193。194。擴(kuò)展的方法是將每片的地址線、控制線并聯(lián),數(shù)據(jù)線分別引出。用于鎖存行地址 CAS: 列地址選通信號(hào) 地址總線上先送上行地址,后送上列地址,它們 分別在 RAS和 CAS有效期間被鎖存在鎖存器中 DIN: 數(shù)據(jù)輸入 DOUT: 數(shù)據(jù)輸出 WE: 寫(xiě)允許信號(hào) WE=0 數(shù)據(jù)寫(xiě)入 WE=1 數(shù)據(jù)讀出 NC DIN WE A 0 A 1 1 2 3 4 5 6 7 8 RAS A 2 GND VCC CAS D OUT A 3 A 4 16 15 14 13 12 11 10 9 A 6 A 5 A 7 2164 北京理工大學(xué) 宇航學(xué)院 飛行器系 微機(jī)原理與接口技術(shù) 工作原理 數(shù)據(jù)讀出 數(shù)據(jù)寫(xiě)入 北京理工大學(xué) 宇航學(xué)院 飛行器系 微機(jī)原理與接口技術(shù) 工作原理 刷新 :將存放于每位中的信息讀出再照原樣寫(xiě)入原單元的過(guò)程 刷新 將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的每一位信息讀出并寫(xiě)入的過(guò)程。 ?1 全地址譯碼方式 A19A18 A17A16 A15A14A13A12 A11A10A9A8 A7A6A5A4 A3A2A1A0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 3E000H …… …… … 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 3FFFFH 8088系統(tǒng) BUS SRAM6264 D0 ~ D7 D0 ~ D7 A0 A0 A12 A12 MEMW MEMR WE CS2 +5V OE 1 1 CS1 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 amp。 北京理工大學(xué) 宇航學(xué)院 飛行器系 微機(jī)原理與接口技術(shù) 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 要求掌握: SRAM與 DRAM的主要特點(diǎn) 幾種常用存儲(chǔ)器芯片及其與系統(tǒng)的連接 了解存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù) 、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 SRAM 保持信息 寫(xiě)操作 讀操作 六管靜態(tài)基本存儲(chǔ)電路 — 雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器 T3 T4 T1 T2 T5 T6 VCC T7 T8 A B Y地址選擇線 I/O I/O X地址選擇線 T1 T2工作管 。169。 假設(shè)存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)單元數(shù)是 M, 一個(gè)存儲(chǔ)單元所存儲(chǔ)的信息的位數(shù)是 N,則其存儲(chǔ)容量為M N。 RAM是可讀、可寫(xiě)的存儲(chǔ)器, CPU可以對(duì) RAM的內(nèi)容隨機(jī)地讀寫(xiě)訪問(wèn), RAM中的信息斷電后即丟失。 作用:計(jì)算機(jī)要執(zhí)行的程序和要處理的數(shù)據(jù)等都必須事先調(diào)入內(nèi)存后方可被 CPU讀取并執(zhí)行。 特點(diǎn):具有一定容量、存取速度快,且掉電數(shù)據(jù)將丟失。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi) 從應(yīng)用角度可將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為兩大類(lèi):隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM(Random Access Memory)和只讀存儲(chǔ)器 ROM(Read Only Memory)。 靜態(tài) RAM 動(dòng)態(tài) RAM MOS型 雙極型 不可編程掩膜 存儲(chǔ)器 MROM 可編程存儲(chǔ)器 PROM 可擦除、可再 編程存儲(chǔ)器 紫外線擦除的 EPROM 電擦除的 E 2 PROM 隨機(jī)讀寫(xiě)
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