[工學(xué)]第5章_存儲器(已修改)
2024-10-31 00:24 本頁面
【正文】 第 5章 存儲器 主要內(nèi)容 : ? 存儲器及半導(dǎo)體存儲器的分類 ? 隨機(jī)存取存儲器（ RAM） ? 存儲器的擴(kuò)展 存儲器及半導(dǎo)體存儲器的分類 存儲器是計(jì)算機(jī)用來存儲信息的部件。 存儲器的分類 按存取速度和用途可把存儲器分為兩大類：內(nèi)存儲器和外存儲器。 內(nèi)存 ：把通過系統(tǒng)總線直接與 CPU相連的存儲器稱為內(nèi)存儲器，簡稱內(nèi)存。 特點(diǎn)：具有一定容量、存取速度快，且掉電數(shù)據(jù)將丟失。 作用：計(jì)算機(jī)要執(zhí)行的程序和要處理的數(shù)據(jù)等都必須事先調(diào)入內(nèi)存后方可被 CPU讀取并執(zhí)行。 外存 ：把通過接口電路與系統(tǒng)相連的存儲器稱為外存儲器，簡稱外存，如硬盤、軟盤和光盤等。 特點(diǎn)：存儲容量大而存取速度較慢，且掉電數(shù)據(jù)不丟失。 作用：外存用來存放當(dāng)前暫不被 CPU處理的程序或數(shù)據(jù)，以及一些需要永久性保存的信息。 通常將外存歸入計(jì)算機(jī)外部設(shè)備，外存中存放的信息必須調(diào)入內(nèi)存后才能被 CPU使用。 早期的內(nèi)存使用磁芯。隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，半導(dǎo)體存儲器集成度大大提高，成本迅速下降，存取速度大大加快，所以在微型計(jì)算機(jī)中，目前內(nèi)存一般都使用半導(dǎo)體存儲器。 半導(dǎo)體存儲器的分類 從應(yīng)用角度可將半導(dǎo)體存儲器分為兩大類：隨機(jī)存取存儲器 RAM(Random Access Memory)和只讀存儲器 ROM(Read Only Memory)。 RAM是可讀、可寫的存儲器， CPU可以對 RAM的內(nèi)容隨機(jī)地讀寫訪問， RAM中的信息斷電后即丟失。 ROM的內(nèi)容只能隨機(jī)讀出而不能寫入，斷電后信息不會丟失，常用來存放不需要改變的信息(如某些系統(tǒng)程序 )，信息一旦寫入就固定不變了。 根據(jù)制造工藝的不同，隨機(jī)讀寫存儲器 RAM主要有 雙極型 和 MOS型 兩類。 雙極型存儲器具有存取速度快、集成度較低、功耗較大、成本較高等特點(diǎn)，適用于對速度要求較高的高速緩沖存儲器； MOS型存儲器具有集成度高、功耗低、價(jià)格便宜等特點(diǎn)，適用于內(nèi)存儲器。 MOS型存儲器按信息存放方式又可分為靜態(tài)RAM(Static RAM，簡稱 SRAM)和動態(tài) RAM(Dynamic RAM，簡稱 DRAM)。 只讀存儲器 ROM在使用過程中，只能讀出存儲的信息而不能用通常的方法將信息寫入存儲器。目前常見的有： 掩膜式 ROM，用戶不可對其編程，其內(nèi)容已由廠家設(shè)定好，不能更改； 可編程 ROM(Programmable ROM，簡稱 PROM)，用戶只能對其進(jìn)行一次編程，寫入后不能更改； 可擦除的 PROM(Erasable PROM，簡稱 EPROM)，其內(nèi)容可用紫外線擦除，用戶可對其進(jìn)行多次編程； 電擦除的 PROM(Electrically Erasable PROM，簡稱 EEPROM或 E2PROM)，能以字節(jié)為單位擦除和改寫。 靜態(tài) RAM 動態(tài) RAM MOS型 雙極型 不可編程掩膜 存儲器 MROM 可編程存儲器 PROM 可擦除、可再 編程存儲器 紫外線擦除的 EPROM 電擦除的 E 2 PROM 隨機(jī)讀寫 存儲器 RAM 只讀存儲器 ROM 半導(dǎo)體 存儲器 圖 半導(dǎo)體存儲器的分類 北京理工大學(xué) 宇航學(xué)院 飛行器系 微機(jī)原理與接口技術(shù) 半導(dǎo)體存儲器的主要技術(shù)指標(biāo) (1)存儲容量 (2)存儲速度 (3)可靠性 (4)功耗 北京理工大學(xué) 宇航學(xué)院 飛行器系 微機(jī)原理與接口技術(shù) (1)存儲容量 存儲容量 是指一塊存儲芯片上所能存儲的二進(jìn)制位數(shù)。 假設(shè)存儲芯片的存儲單元數(shù)是 M， 一個(gè)存儲單元所存儲的信息的位數(shù)是 N，則其存儲容量為M N。 1位1 個(gè)存儲單元163。168。 設(shè)N ＝ 8位 163。172。 即一個(gè)字節(jié)）存儲芯片中的存儲體共有M 個(gè)存儲單元163。168。 可編址單元 163。169。D7 … D 1D0 例題 北京理工大學(xué) 宇航學(xué)院 飛行器系 微機(jī)原理與接口技術(shù) 例題 已知單片 6116芯片的地址線是 11位， 每個(gè)存儲單元是 8位，求其存儲容量 ? 解 : 因?yàn)榭删幹贩秶?211 ，即 M＝ 211 ， 每個(gè)存儲單元可存 8位，即 N＝ 8， 所以， 6116的存儲容量 = 211 8 = 2 1024 8 = 2K 8 ＝ 2KB 北京理工大學(xué) 宇航學(xué)院 飛行器系 微機(jī)原理與接口技術(shù) 例題 若要組成 64K字節(jié)的存儲器，
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