等離子刻蝕工藝原理介紹(編輯修改稿)
2025-06-19 03:34 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 SC He ? (Gap) 化學(xué)性腐蝕工藝的六個(gè)步驟 Plasma flowing gas Generation of etchant species 1 Diffusion to surface Adsorption Reaction Film Desorption Diffusion into bulk gas 2 3 4 5 6 STEP 1. 活性粒子由電子和分子的碰撞產(chǎn)生 STEP 2. 活性粒子擴(kuò)散到反應(yīng)膜層附近 STEP 3. 活性粒子被表面吸附 STEP 4. 反應(yīng)發(fā)生 STEP 5. 反應(yīng)生成物能解吸附 STEP 6. 反應(yīng)生成物擴(kuò)散到氣體當(dāng)中被泵抽走 各向異性腐蝕工藝的兩大機(jī)理 能量，方向性的離子提供各向異性腐蝕 , 它有兩種不同的模式 : 損傷機(jī)理和屏蔽機(jī)理 . 損傷機(jī)理 屏蔽機(jī)理 微負(fù)載效應(yīng)機(jī)理 ? 為了保證 Open和 Dense區(qū)相同的 Etch Rate， 維持工藝 Open和Dense區(qū)相同的腐蝕劑和生存物通量是非常重要的。 ? 該工藝工作在腐蝕氣體耗盡還是飽和區(qū)域 ? ? 反應(yīng)副產(chǎn)物在小尺寸區(qū)域逃離速度是否與大尺寸區(qū)域一致 ? ? 離子在小尺寸和大尺寸區(qū)域 Sidewall上散射不同，對 Profile微負(fù)載效應(yīng)造成較大影響。 ? Polymer在小尺寸和大尺寸區(qū)域形成速度不同，也對微負(fù)載效應(yīng)造成較大貢獻(xiàn)。 Etch的方向性 ? Etch的方向由方向性的離子決定。 ? Plasma與電極（陰極）之間的電壓差控制離子的能量和方向性。 ? 對離子的能量和方向性起關(guān)鍵作業(yè)的兩個(gè)參數(shù)是功率和壓力。 Poly Etch平衡圖 氣體 Wafer溫度 Bias/TCP 功率 壓力 (磁場 ) 物理 化學(xué) 離子轟擊 HBr+ 化學(xué)腐蝕 Cl* 化學(xué)淀積 SiBr/HBr(+PR) 腐蝕 淀積 Poly Etch各氣體作用 M a t e r i a l F e e d G a s e s C o m m e n t sP o l y s i l i c o n o r S i n g l e C r y s t a l S iB C l 3 / C l 2 C l e t c h e s S i ,B i m p r o v e s p a s s i v a t i o nH B r / C l 2 H B r p r o v i d e s p a s s i v i a t i o na n d s e l e
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