等離子刻蝕工藝原理介紹-文庫吧
2025-04-24 03:34 本頁面
【正文】 al )0ti m ewafe r vol ta gepla sm a pote n ti a l? 電容耦合 : RF功率通過 RF電場直接傳導(dǎo)到 Plasma，涉及到的電極也直接暴露在 Plasma中 (但是一般有 Wafer在基座 /電極上 ). ? 電感 /變壓器耦合 : RF功率通過 RF磁場傳導(dǎo)到 Plasma, 該磁場誘導(dǎo)產(chǎn)生起電離作用的電場 . ? 電容耦合對(duì)產(chǎn)生電離作用不是很有效，因?yàn)樗暮艽笠徊糠帜芰坑糜谙螂姌O表面運(yùn)動(dòng)的離子加速 . ?電感耦合對(duì) Plasma的產(chǎn)生很有效，因?yàn)樗哪芰繋缀跞坑糜陔x化 . 但是電感耦合點(diǎn)燃 Plasma不是很有效 . ?在 MERIE中，外加磁場也用于提高 Plasma的濃度 . Plasma刻蝕中的功率耦合 電容耦合 plasma rf electric field wafer 電感耦合 RF current in coil RF magic field ionizing Efield (induced) 電容 /電感耦合 inductive source defines density P source/TCP wafer capacitive rf bias gives ions directed energy P bias ? Plasma Etch是多變量的工藝 Bias/TCP(Source)功率 Pressure Gas Flow Temperature BSC He (Gap) (BField) Process Time Plasma刻蝕的復(fù)雜性 工藝控制和結(jié)果 工藝可控變量 Plasma 參數(shù) ? Temperature ? Gas Flows ? Pressure ? Power ? Time ? (Magic Field) ? Etch Rate ? Uniformity ? Selectivity ? Profile ? Loading Effects ? Particulates ? Residue ? Damage 結(jié)果 ? Gas density ? Residence time ? Ion density ? DC bias ? Free radicals ? Ion energy and directionality ? B
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