等離子刻蝕工藝原理介紹(已修改)
2025-05-30 03:34 本頁(yè)面
【正文】 等離子刻蝕工藝原理介紹 Etch/CSMC 等離子刻蝕工藝原理介紹包含以下幾個(gè)方面： ? 等離子體基本概念 ? 等離子刻蝕基本原理 ? 等離子刻蝕應(yīng)用 概述 ? Plasma就是等離子體 (臺(tái)灣一般稱(chēng)為電漿 ), 由氣體電離后產(chǎn)生的正負(fù)帶電離子以及分子 , 原子和原子團(tuán)組成 . 只有強(qiáng)電場(chǎng)作用下雪崩電離發(fā)生時(shí) , Plasma才會(huì)產(chǎn)生 . ? 氣體從常態(tài)到等離子體的轉(zhuǎn)變 , 也是從絕緣體到導(dǎo)體的轉(zhuǎn)變 . ? Plasma 一些例子 : 熒光燈 ,閃電 , 太陽(yáng)等 . 什么是 Plasma energy gas plasma e e e e ? Plasma產(chǎn)生激活態(tài)的粒子以及離子 . 激活態(tài)粒子（自由基）在干法刻蝕中主要用于提高化學(xué)反應(yīng)速率 , 而離子用于各向異性腐蝕 (Anisotropic etch). ? 在固定 Power輸入的氣體中 , 電離和復(fù)合處于平衡狀態(tài) . 在正負(fù)離子復(fù)合或電子從高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的過(guò)程中發(fā)射光子 . 這些光子可用于終點(diǎn)控制的檢測(cè)。 ? 半導(dǎo)體工藝 Plasma一般都是部分電離 , 常規(guī)%~10% 的原子 /分子電離 . 為什么 Plasma運(yùn)用在干法刻蝕中 各向異性刻蝕中的圓片偏壓 ?射頻功率通過(guò)隔直電容加到圓片背面，這樣隔離直流而能通過(guò)射頻，使圓片和基座充電為負(fù)偏壓狀態(tài) (平均 ). ? 半導(dǎo)體圓片不一定是電導(dǎo)體 (因?yàn)楸砻婵赡艿矸e一層 SiO2或 SiN膜 ), 直流偏壓不能工作 , 因?yàn)镻lasma很快補(bǔ)償了絕緣體上的偏壓 . + + + + + + + ? 非對(duì)稱(chēng)的腔體中，圓片面積 腔體面積， 所以較高的鞘層 /暗區(qū) (Sheath/Dark Space)電壓出現(xiàn)在 Plasma到圓片之間。 圓片偏壓的產(chǎn)生 1 plasma sheath a sheath b Sheath b sheath a plasma p 圓片偏壓的產(chǎn)生 2 ti m e0+ 1 1v2v1ti m e0+ 1 1(kV)(kV)fa st ele c trons de cay vo lt ag e ra p i dl yhea v y ions d eca y voltage slowl yV1V2“ dc bia s ”(a ver age wafe r pot ent i
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