icp刻蝕工藝要點(編輯修改稿)
2025-07-22 06:53 本頁面
【文章內容簡介】 lectPower(W)50505050505050BRFReflectPower(W)50505050505050C5SetPoint40404040404040答：Pressure(mTorr)工藝腔室壓力，SRFPower(W)上電極加載功率，BRFPower下電極加載功率，HeliumPressure(Torr)氦氣壓力，GasBCL3(300sccm)三氯化硼流量，Time(sec)蝕刻時間，PenvlvPositionDelayTime PV擺閥位置，SRFReflectPower(W)上電極反射功率，BRFReflectPower(W)下電極反射功率，C5SetPoint等離子體密度。5．簡述CORIAL ICP作業(yè)流程圖檢查N2 、BCl3 、O2 、He壓力，PCW壓力，溫度等是否正常系統(tǒng)開機打開傳輸腔室放置托盤選擇刻蝕程序蝕刻作業(yè)蝕刻結束，卸下晶片6．簡述CORIAL ICP裝片工藝步驟1． 裝備好材料，包括石英托盤、帶密封圈的鋁蓋、藍寶石晶片；2． 用無塵布蘸IPA擦拭石英托盤、鋁蓋；3． 將密封圈均勻內陷于鋁板小槽中；4． 石英托盤背面朝上，用真空吸筆吸取晶片背面，按一定順序放在晶片位置上，晶片平邊對準托盤平邊；5． 將鋁蓋放在晶片頂部，并輕壓，使鋁板嵌入托盤小槽中；6． 裝好后，用無塵布蘸些許IPA擦拭托盤背面，將托盤翻轉，輕輕擦拭托盤邊緣，小心碰到晶片表面。7. 簡述CORIAL ICP清洗托盤作業(yè)流程圖DIW浸泡石英托盤DIW沖洗無塵布擦拭N2吹干IPA擦拭8. 簡述CORIAL ICP清洗反應室作業(yè)流程圖打開反應室DI水清洗腔壁和石英窗口IPA擦拭用真空硅脂涂抹真空密封橡皮條放置真空密封橡皮條安裝石英細管關閉反應室9．簡述CORIAL ICP托盤清洗標準作業(yè)流程A. 用DI水浸泡石英托盤20min；B. 用DI水沖洗一遍；C. 用N2吹干；D．用IPA擦拭；E. 用真空硅脂涂抹真空密封圈。10. 簡述CORIAL ICP清洗反應室方法及步驟A. 進入maintenance狀態(tài)，選擇Sequence ”Vent Reactor”；B. 點擊Load Sequence顯示步驟，再點擊Run Sequence；C. 等待Sequence結束，反應室處于破真空狀
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