icp刻蝕工藝要點(diǎn)-wenkub
2023-07-10 06:53:57 本頁(yè)面
【正文】 (sec)蝕刻時(shí)間，PenvlvPositionDelayTime PV擺閥位置，SRFReflectPower(W)上電極反射功率，BRFReflectPower(W)下電極反射功率，C5SetPoint等離子體密度。 刮花：1裝片調(diào)整時(shí)鑷子刮到晶片，2目檢時(shí)遺漏了刮花缺陷，3擰螺絲時(shí)手指衣袖等碰到晶片。ICP刻蝕機(jī)的分子泵正常運(yùn)行時(shí)的轉(zhuǎn)速大約在（B ）RPM A 20000 B 32000 C 40000 D 18000北微ICP本底真空和漏率指標(biāo)為（A ）時(shí)，設(shè)備能夠正常工作 A 0— 1mT/min B 2mT/min C D NMC 刻蝕機(jī)當(dāng)前SRF時(shí)間為（ C ）時(shí)，要求對(duì)設(shè)備進(jìn)行開(kāi)腔清潔A 50H B 100HC 200H D 2000HSLR ICP托盤(pán)、螺絲等清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程(ABC)A:用DI水噴淋托盤(pán)（底盤(pán)和蓋子）、耐高溫橡皮條（7根）、螺絲B:用N2吹干C:螺絲使用一次后清洗；托盤(pán)和橡皮條使用三次后清洗；當(dāng)天全部聲波清洗ELEDE ICP鋁盤(pán)、石英蓋、密封圈清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程( ABCD )A. 用DI水浸泡石英托盤(pán)20minB. 用DI水沖洗一遍C. 用N2吹干D．用IPA擦拭密封圈ELEDE ICP卸晶片標(biāo)準(zhǔn)操作流程( ABC )A．用專(zhuān)用螺絲刀把托盤(pán)的螺絲擰松，用手?jǐn)Q開(kāi)，放回固定位置B．用手輕輕地取出石英蓋C．用專(zhuān)用鑷子將晶片夾放到相應(yīng)的盒子里CORIAL ICP卸晶片工藝步驟( ABC )A． 用小起子將鋁蓋輕輕翹開(kāi)B． 移開(kāi)鋁板C． 用真空吸筆將蝕刻片吸到相應(yīng)的盒子里二， 填空題。 會(huì)報(bào)警氦漏 RPM 吹掃腔體 氦氣的作用時(shí) 冷卻晶片(托盤(pán)) 氧氣的作用是 清潔腔室 三氯化硼的作用是 蝕刻晶片 5. 1 Torr = 133 P a 有機(jī)物 異丙醇的作用是清洗 丙酮 ，正膠 光照 地方，負(fù)膠 未被光照 地方，光刻膠被顯影液反應(yīng)掉 死區(qū)盲區(qū) 等缺陷 晶片的平整度 ， 勻膠的均勻性 ， 曝光臺(tái)的清潔度 5 小時(shí)需要做Dryclean11. 每周五檢查冷凍機(jī)冷凍液剩余情況，低于第一個(gè)金屬環(huán)時(shí)應(yīng)添加異丙醇12. 當(dāng)機(jī)臺(tái)閑置2小時(shí)以上再生產(chǎn)時(shí)，應(yīng)對(duì)機(jī)臺(tái)進(jìn)行一次預(yù)熱動(dòng)作，杜絕晶片放錯(cuò)片盒，以工藝記錄本的刻號(hào)為準(zhǔn)14. 實(shí)驗(yàn)時(shí)裝片要仔細(xì)查看晶片，避免把好晶片當(dāng)成廢片作為陪片刻蝕15. 實(shí)驗(yàn)片刻蝕完放回原來(lái)的盒子中，不可另外單獨(dú)存放16. 每蝕刻完一個(gè)RU
法律信息相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1