icp刻蝕工藝要點-wenkub
2023-07-10 06:53:57 本頁面
【正文】 (sec)蝕刻時間，PenvlvPositionDelayTime PV擺閥位置，SRFReflectPower(W)上電極反射功率，BRFReflectPower(W)下電極反射功率，C5SetPoint等離子體密度。 刮花：1裝片調(diào)整時鑷子刮到晶片，2目檢時遺漏了刮花缺陷，3擰螺絲時手指衣袖等碰到晶片。ICP刻蝕機的分子泵正常運行時的轉(zhuǎn)速大約在（B ）RPM A 20000 B 32000 C 40000 D 18000北微ICP本底真空和漏率指標(biāo)為（A ）時，設(shè)備能夠正常工作 A 0— 1mT/min B 2mT/min C D NMC 刻蝕機當(dāng)前SRF時間為（ C ）時，要求對設(shè)備進(jìn)行開腔清潔A 50H B 100HC 200H D 2000HSLR ICP托盤、螺絲等清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程(ABC)A:用DI水噴淋托盤（底盤和蓋子）、耐高溫橡皮條（7根）、螺絲B:用N2吹干C:螺絲使用一次后清洗；托盤和橡皮條使用三次后清洗；當(dāng)天全部聲波清洗ELEDE ICP鋁盤、石英蓋、密封圈清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程( ABCD )A. 用DI水浸泡石英托盤20minB. 用DI水沖洗一遍C. 用N2吹干D．用IPA擦拭密封圈ELEDE ICP卸晶片標(biāo)準(zhǔn)操作流程( ABC )A．用專用螺絲刀把托盤的螺絲擰松，用手?jǐn)Q開，放回固定位置B．用手輕輕地取出石英蓋C．用專用鑷子將晶片夾放到相應(yīng)的盒子里CORIAL ICP卸晶片工藝步驟( ABC )A． 用小起子將鋁蓋輕輕翹開B． 移開鋁板C． 用真空吸筆將蝕刻片吸到相應(yīng)的盒子里二， 填空題。 會報警氦漏 RPM 吹掃腔體 氦氣的作用時 冷卻晶片(托盤) 氧氣的作用是 清潔腔室 三氯化硼的作用是 蝕刻晶片 5. 1 Torr = 133 P a 有機物 異丙醇的作用是清洗 丙酮 ，正膠 光照 地方，負(fù)膠 未被光照 地方，光刻膠被顯影液反應(yīng)掉 死區(qū)盲區(qū) 等缺陷 晶片的平整度 ， 勻膠的均勻性 ， 曝光臺的清潔度 5 小時需要做Dryclean11. 每周五檢查冷凍機冷凍液剩余情況，低于第一個金屬環(huán)時應(yīng)添加異丙醇12. 當(dāng)機臺閑置2小時以上再生產(chǎn)時，應(yīng)對機臺進(jìn)行一次預(yù)熱動作，杜絕晶片放錯片盒，以工藝記錄本的刻號為準(zhǔn)14. 實驗時裝片要仔細(xì)查看晶片，避免把好晶片當(dāng)成廢片作為陪片刻蝕15. 實驗片刻蝕完放回原來的盒子中，不可另外單獨存放16. 每蝕刻完一個RU
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