刻蝕工序作業(yè)指導(dǎo)書簡(jiǎn)述(編輯修改稿)
2025-08-28 20:30 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 量不合格，冷熱探針測(cè)試30mV，方阻提升異常）均要返工?？涛g崗位下料后作業(yè)指導(dǎo)書相關(guān)夾具：無(wú)操作提示：填寫生產(chǎn)數(shù)據(jù)與生產(chǎn)記錄表，包括流出數(shù)目，碎片等。參看表格電池生產(chǎn)記錄表：SHQM3Eng003F01相關(guān)夾具：承載盒 小推車操作提示：下料硅片滿一單，由小推車推到PECVD，硅片和小推車一起留在PECVD間相關(guān)夾具：承載盒 小推車操作提示：把載有空盒的小推車推回刻蝕間相關(guān)夾具：電腦操作提示：MES系統(tǒng)提交流程單相關(guān)夾具：承載盒 吸筆操作提示：每生產(chǎn)完一張流程單硅片留一段間隔后繼續(xù)投下一張流程單硅片。相關(guān)夾具：無(wú)操作提示：當(dāng)班生產(chǎn)結(jié)束后，整理小推車碎片，并將本班碎片及返工片包好，按《各工序返工片和碎片處理作業(yè)指導(dǎo)書》要求處理（碎片送至統(tǒng)計(jì)差異處登記，返工片送回返工工序登記返工）。、返工片處理刻蝕崗位方塊電阻測(cè)試作業(yè)指導(dǎo)書相關(guān)夾具：無(wú)操作提示：打開電源開關(guān)，初次測(cè)量時(shí)，要先預(yù)熱15min。相關(guān)夾具：四探針測(cè)試儀操作提示：使“R□”“I”各個(gè)指示燈亮。1. 操作準(zhǔn)備2. 檢查指示燈相關(guān)夾具：無(wú)操作提示：。相關(guān)夾具：承載盒、吸筆操作提示：測(cè)試刻蝕前方阻如圖，任意取5片（注意顏色深為擴(kuò)散面）。 相關(guān)夾具：無(wú)操作提示：擴(kuò)散面向上,把硅片放到測(cè)試臺(tái)上,片子輕輕靠住定位塊,確保了測(cè)試點(diǎn)正好是硅片的中心點(diǎn)。相關(guān)夾具：四探針測(cè)試儀操作提示：用手按下“下降”按鈕使針頭平壓在硅片上。6. 放置硅片“下降”按鈕相關(guān)夾具：四探針測(cè)試儀操作提示用手輕輕旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)按鈕，用手旋轉(zhuǎn)粗調(diào)旋鈕“Rough”或者細(xì)調(diào)旋鈕“Fine”。 相關(guān)夾具：四探針測(cè)試儀操作提示（單晶電流校對(duì)值）9. 電流顯示相關(guān)夾具：四探針測(cè)試儀操作提示：把“I”的指示燈切換至R□/P相關(guān)夾具：四探針測(cè)試儀操作提示：待R□數(shù)值穩(wěn)定時(shí)讀取數(shù)值。方阻提升28正常，異常通知工藝。備注：通?？糖胺阶璨桓哂?0，刻蝕不高于55，異常聯(lián)系工藝。相關(guān)夾具：吸筆操作提示：按下“上升”按鈕，取出測(cè)試好的硅片。相關(guān)夾具：無(wú)操作提示：將R□的測(cè)試數(shù)值記錄在電池生產(chǎn)數(shù)據(jù)記錄表上，見“電池生產(chǎn)記錄表” SHQM3Eng003F01，并MES系統(tǒng)提交數(shù)據(jù)。14. 按“上升”按鈕15. 記錄數(shù)值17 / 17減薄量測(cè)試作業(yè)指導(dǎo)書相關(guān)夾具：電子天平操作提示：稱量前調(diào)試天平顯示為0相關(guān)夾具：電子天平操作提示：推開右側(cè)窗口1. 電子天枰調(diào)試2. 推開窗口相關(guān)夾具：電子天平操作提示：硅片輕輕平放，然后并關(guān)閉右側(cè)窗口，讀取數(shù)據(jù)?？涛g后稱重加戴一次性手套。相關(guān)夾具：電子天平操作提示：依次稱量硅片。 3. 輕放于天枰上 相關(guān)夾具：無(wú)操作提示：按順序記錄硅片重量與生產(chǎn)記錄表，參看文件SHQM3Eng003F01，并提交于MES系統(tǒng)。（125S）正常，異常通知工藝。相關(guān)夾具：無(wú) 操作提示：歸還給上下料人員。 刻通效果測(cè)試作業(yè)指導(dǎo)書
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