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正文內(nèi)容

10lecture10等離子顯示工藝(編輯修改稿)

2025-02-25 18:04 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 工作穩(wěn)定性,但它們?cè)诳諝庵械姆€(wěn)定性也較差。( 3) Ⅲ B及 Ⅳ 族氧化物: Al2O3, SiO2, TiO2,ZrO2, HfO2等,工作穩(wěn)定性好,但工作電壓高。 新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)46( 4) La系金屬氧化物: La2O CeO2等,工作電壓低,工作穩(wěn)定,但放電延時(shí)大。 以上材料中, MgO薄膜不僅具有很強(qiáng)的抗濺射能力,而且有很高的二次電子發(fā)射系數(shù),有利于提高 PDP的壽命和降低 PDP的工作電壓; MgO薄膜最適合作為 PDP的介質(zhì)保護(hù)薄膜。 新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)47MgO晶體的性質(zhì)MgO是一種面心立方晶體,其晶格常數(shù)為 ,主要以 (111)、 (200)、 (220)三種晶面取向存在。 MgO的禁帶寬度為 , 逸出功為 。(1)物理特性:熔點(diǎn)為 2827℃ , 折射率為 ,對(duì)紫外區(qū)強(qiáng)烈的吸收,對(duì)可見(jiàn)光區(qū)透明,介電常數(shù)為 9~10,表面電阻率 ρs1012Ω/口,體電阻率高 ρv=1011~新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)48(2)化學(xué)性質(zhì)在室溫下空氣中發(fā)生以下反應(yīng):在高溫下將發(fā)生以下反應(yīng):新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)49(六)障壁? 作用 :① 保證兩塊基板間的放電間隙,確保一定的放電空間;② 防止相鄰單元間的光電串?dāng)_。? 技術(shù)要求 : 對(duì)障壁的要求是高度一致(偏差在 ?5?m以內(nèi) ),形狀均勻。障壁寬度應(yīng)盡可能窄,以增大單元的開(kāi)口率,提高器件亮度。新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)50? 障壁材料 :低熔點(diǎn)玻璃漿料(七)熒光粉層將 VUV轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢?jiàn)光,實(shí)現(xiàn)彩色顯示。 要求 : 發(fā)光效率高,色彩飽和度高,厚度均勻 .(八)放電氣體用于產(chǎn)生真空紫外輻射( VUV)。 新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)51彩色 ACPDP制作工藝前基板制作工 序后基板制作工 序基板玻璃檢查、清洗透明電極( ITO)制作匯流電極制作透明介質(zhì)層制作封接邊制作介質(zhì)保護(hù)膜制作基板玻璃檢查、打孔基板玻璃檢查、清洗尋址電極制作介質(zhì)層制作障壁制作熒光粉層制作總裝工序前后基板對(duì)位、封接排氣、充氣老 練驅(qū)動(dòng)線路裝配新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)52絲網(wǎng)印刷原理示意圖1.絲網(wǎng)印版( a.網(wǎng)框 ,b.絲網(wǎng)上非圖文部分 (簡(jiǎn)稱版膜 ),c.絲網(wǎng)上圖文部分) , 2. 刮板 , 3.漿料 ,4.基板絲網(wǎng)印刷的工藝流程: 絲印制版 ?絲網(wǎng)印刷 ?漿料烘干 ?漿料燒結(jié) 用絲網(wǎng)印刷法制作 PDP的各個(gè)部件,其質(zhì)量取決于多種因素:( 1)漿料方面 漿料的性質(zhì)、成分、顆粒度及均勻性、載體材料、粘度及觸變性等。abc 1234新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)53( 2)基板方面 基板材料、尺寸精度、平整度和光潔度等。( 3)刮板方面 刮板材料的種類、硬度、形狀等。( 4)絲網(wǎng)方面 絲網(wǎng)材料的種類、性質(zhì)、絲網(wǎng)目數(shù)、絲網(wǎng)線徑、絲網(wǎng)張力、版膜的種類、框架平整度、框架與網(wǎng)線夾角等。( 5)印刷方式方面 印刷接觸角、印刷壓力、印刷速度、印刷間隙等;在印刷環(huán)境條件方面,有溫度、濕度和清潔度等。( 6)其他方面 干燥時(shí)間和溫度以及燒結(jié)工藝等。新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)54印刷工藝的優(yōu)點(diǎn): 具有設(shè)備低價(jià),工藝簡(jiǎn)易,生產(chǎn)率高、成本低等優(yōu)點(diǎn)。主要用來(lái)制造匯流電極、尋址電極、介質(zhì)層、熒光粉層、障壁、封接層等部件。缺點(diǎn): 與光刻技術(shù)相比,印刷工藝的缺點(diǎn)是精度較差,分辨率不易做高。 新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)55 光刻工藝:掩模板的制造、圖形從掩模板至待刻蝕材料的轉(zhuǎn)移?;迩疤幚砜刮g劑涂 覆待刻蝕材料涂覆掩模對(duì)準(zhǔn)曝光顯影、堅(jiān)膜刻 蝕去 膠掩模制作掩模圖形設(shè)計(jì)掩模原圖主 掩 模工作掩模新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)56影響圖形加工精度主要因素:掩模板的質(zhì)量和精度、抗蝕劑的性能、圖形的形成方法及裝置精度、位置的對(duì)準(zhǔn)方法及精度、刻蝕方法等。光刻工藝的特點(diǎn):能夠?qū)崿F(xiàn)大面積、高精度的圖形,且工藝成熟。如用來(lái)制作 PDP絲網(wǎng)印刷漏印版,以及 PDP的 ITO電極、 CrCuCr電極等部件。新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)57浮法工藝過(guò)程:玻璃板制造工藝新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)58前基板的關(guān)鍵制造工藝(一 )透明電極的制作ITO連續(xù)薄膜的形成:磁控濺射鍍 ITO膜的特點(diǎn) :高速(沉積速度高)、低溫(靶和基板的溫度都較低)、低損傷(基板表面受高能電子轟擊損傷?。?。新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)59光刻出 ITO電極圖形:新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)60(二 )匯流電極的制作 富士通公司采用 CrCuCr薄膜材料制作匯流電極。底層 Cr用來(lái)增加電極和玻璃基板的附著力,頂層 Cr用來(lái)防止 Cu的氧化, Cu是電極導(dǎo)電的主體。 Cr和Cu薄膜用濺射法制作。 特點(diǎn):圖形精細(xì)準(zhǔn)確,邊緣整齊導(dǎo)電性能優(yōu)良,但其制作工藝復(fù)雜,成本較高。 新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)61采用厚膜技術(shù)制作匯流電極的方法:( 1)絲網(wǎng)印刷法 把金屬漿料印刷在透明 ITO膜的邊緣上,再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。這是厚膜技術(shù)中普遍采用的制作方法,最常用的金屬漿料是 Ag漿料。( 2)厚膜光刻技術(shù) 使用的材料是光敏 Ag漿料(主要由顆粒極細(xì)的 Ag粉和感光樹(shù)脂構(gòu)成),用絲網(wǎng)印刷的方法形成幾微米厚的連續(xù)膜層,然后用光刻法形成電極,最后經(jīng)燒結(jié)而成。新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)62(三 )上基板介質(zhì)層的制作 要求 :(1)透過(guò)率高。(2)燒成膜表面光滑、致密、無(wú)絲網(wǎng)印刷痕跡 (3)絕緣性要求比下板更高。(4)與電極反應(yīng)小。(5)與玻璃附著牢固。新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)63介質(zhì)層的缺陷:? 厚度均勻性差? 介質(zhì)層表面粗糙度大? 針孔、氣泡? 由于異物而造成的下陷和突起等新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)64? 印刷壓力? 刮刀角度? 介質(zhì)漿料? 絲網(wǎng)厚度? 絲網(wǎng)開(kāi)口率? 絲網(wǎng)與基板之間的間隙影響介質(zhì)層厚度的因素:新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)65影響介質(zhì)層表面粗糙度的因素:? 介質(zhì)層表面有粗糙度,這是由于介質(zhì)膜是通過(guò)絲網(wǎng)形成的,因此印刷完畢后,在介質(zhì)表面會(huì)產(chǎn)生絲網(wǎng)痕跡。? 由于介質(zhì)層下面有電極,也會(huì)導(dǎo)致介質(zhì)表面起伏不平。為了克服這一點(diǎn),有必要在介質(zhì)印完以后室溫下放置10分鐘,使?jié){料自行流平。新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)66造成針孔的原因:? 絲網(wǎng)堵孔? 玻板表面有突起? 有 污染物等氣泡的產(chǎn)
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