緒論帶電質(zhì)點(diǎn)的產(chǎn)生(編輯修改稿)
2025-06-18 00:29 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 易積聚足夠的動(dòng)能。 iee WVm ?221Wi為氣體分子的游離能 光游離 由光輻射引起氣體分子游離的過程 光游離產(chǎn)生的電子稱為光電子 來源： x射線、 γ射線、宇宙射線、紫外線等 異號(hào)帶電質(zhì)點(diǎn)復(fù)合成中性質(zhì)點(diǎn)釋放出光子 條件： iWhv ?激勵(lì)態(tài)分子回復(fù)到正常態(tài)釋放出光子 熱游離 本質(zhì)：氣體分子熱狀態(tài)引起的碰撞游離和光游離的綜合。 ? 常溫下，氣體分子發(fā)生熱游離概率極小。 當(dāng) t10000K時(shí)，才需考慮熱游離； 當(dāng) t20210K時(shí)，幾乎全部的分子都處于熱游離狀態(tài) ? 以上三種游離發(fā)生在氣體空間中，故也稱為 空間游離 氣體中金屬表面游離 含義： 形式： 金屬陰極表面發(fā)射電子的過程。 ? 氣體中的主要游離形式為碰撞游離 正離子碰撞陰極表面； 光電子發(fā)射； 強(qiáng)場(chǎng)發(fā)射； 熱電子發(fā)射； 二、帶電質(zhì)點(diǎn)的消失 作用： 既促進(jìn)又阻礙放電的進(jìn)行 都以光子的形式放出多余的能量。一定條件下會(huì)導(dǎo)致其他氣體分子產(chǎn)生光游離，使氣體放電階躍式發(fā)展。 電子復(fù)合和離子復(fù)合： 作用：阻礙放電發(fā)生 復(fù)合 擴(kuò)散 正離子和負(fù)離子或電子相遇時(shí)，發(fā)生電荷的傳遞而相互中和還原為分子的過程。 進(jìn)入電極 作用：阻礙放電發(fā)展 帶電質(zhì)點(diǎn)從濃度較大區(qū)域轉(zhuǎn)移到濃度較小區(qū)域的性質(zhì) 在外電場(chǎng)作用下，氣隙中的正、負(fù)電荷分別向兩電極定向 移動(dòng)的現(xiàn)象 均勻電場(chǎng)中氣體的擊穿過程 一、非自持放電和自持放電 ? 氣體放電實(shí)驗(yàn)的伏安特性曲線 氣體放電伏安特性 左圖表示實(shí)驗(yàn)所得平板電極 (均勻電場(chǎng) )氣體中的電流 I與所加電壓 U的關(guān)系，即伏安特性。 在曲線 OA段， I隨 U的提高而增大，這是由于電極空間的帶電質(zhì)點(diǎn)向電極 運(yùn)動(dòng)加速 而導(dǎo)致復(fù)合數(shù)的 減少 所致。 當(dāng)電壓接近 Ua時(shí)，電流 I0趨向于 飽和值 ，因?yàn)檫@時(shí)外界游離因子所產(chǎn)生的帶電質(zhì)點(diǎn)幾乎能全部抵達(dá)電極，所以電流值 僅取決于游離因子的強(qiáng)弱而與所加電壓無關(guān)。 實(shí)驗(yàn)分析 ? oa段：電流隨電壓升高而升高 ? ab段：電流僅取決于外游離因素與電壓無關(guān) ? bs段：電壓升高碰撞游離增強(qiáng)但仍靠外游離維持 (非自持 ) ? s點(diǎn)后：只靠外加電壓就能維持 (自持 ) 如果取消外游離因素，電流也將消失，這類依靠外游離因素的作用而維持的放電叫 非自持放電 。 外施電壓到達(dá) U0后， 氣隙中游離過程只靠外施電壓已能維持，不再需要外游離因素的放電稱為 自持放電 ， U0稱為 起始放電電壓 。 二、低氣壓下均勻場(chǎng)自持放電的湯遜理論 （ 一 ） 電子崩 (a) 電子崩的形成 (b) 帶電離子在電子 崩中的分布 外界游離因子在陰極附近產(chǎn)生一個(gè) 初始電子 ，如果空間電場(chǎng)強(qiáng)度足夠大，該電子在向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)時(shí)就會(huì)引起碰撞游離，產(chǎn)生一個(gè) 新的電子 ，初始電子和新電子繼續(xù)向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)，又會(huì)引起新的碰撞游離，產(chǎn)生 更多電子 。依此電子將按照 幾何級(jí)數(shù) 不斷增多，類似雪崩似地發(fā)展，這種急劇增大的空間電子流被稱為 電子
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