半導體材料及其特性(編輯修改稿)
2025-06-17 21:06 本頁面
【文章內容簡介】 ： T=300 K室溫下 ,本征硅的電子和空穴濃度 : n = p = 1010/cm3 1 本征硅的原子濃度 : 5 1022/cm3 2 本征半導體載流子濃度隨著溫度的升高，增加較快，因此 與溫度密切相關。 結論 2： end 雜質半導體 Extrinsic Semiconductor 在本征半導體中摻入某些微量元素作為雜質，可使半導體的導電特性發(fā)生顯著變化。 摻入雜質的本征半導體稱為 雜質半導體 。 N型半導體 —— 摻入五價雜質元素（如磷）的半導體。 P型半導體 —— 摻入三價雜質元素（如硼）的半導體。 雜質 雜質 雜質半導體 Extrinsic Semiconductor 1. N型半導體 在 N型半導體中 自由
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1