【文章內(nèi)容簡介】 對數(shù)為，則NO2中氮原子的雜化方式為sp2雜化，故答案為：小于；sp2雜化；（3）Se原子間形成正六棱柱，位于面心與頂點，從晶胞的俯視圖可知晶胞中Se原子數(shù)目為，晶胞質(zhì)量為，晶胞的體積，密度 ，故答案為：?！军c睛】利用均攤法計算晶胞中Se原子，Se原子間形成正六棱柱，注意頂點原子為6個晶胞共用。2．A解析：3d104s24p4 大于 小于 4 原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故CaN、GaP、GaAs的熔點逐漸降低 12 【解析】【分析】(1)基態(tài)硒原子序數(shù)為34，根據(jù)構造原理寫出其核外電子排布式；(2)同一周期中從左到右，原子半徑逐漸減小，同一周期從左到右，元素的第一電離能有增大趨勢，但IIA、VA族第一電離能大于同周期相鄰元素；(3)二氧化硅晶體中含有“SiO4”結構單元，1個Si原子結合4個O原子，同時每個O原子結合2個Si原子；(4)原子晶體中，原子半徑越大，共價鍵鍵長越長，共價鍵越弱，鍵能越小，晶體的熔點越低；(5)①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為12；②均攤法計算晶胞(平行六面體)中Ga、N原子數(shù)目，計算原子總質(zhì)量，根據(jù)晶體密度=晶胞質(zhì)量247。晶胞體積?！驹斀狻?1)Se是34號元素，位于第四周期ⅥA族，核外電子排布式為[Ar]3d104s24p4；(2)根據(jù)元素周期律，Ga與As位于同一周期，Ga原子序數(shù)小于As，故原子半徑Ga大于As，同周期第一電離能變化趨勢是從左到右增大，故第一電離能Ga小于As；(3)水晶中1個硅原子結合4個氧原子，同時每個氧原子結合2個硅原子，所以水晶是以[SiO4]四面體向空間延伸的立體網(wǎng)狀結構，水晶中硅原子的配位數(shù)為4；(4)原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故GaN、GaP、GaAs的熔點逐漸降低；(5)從六方晶胞的面心原子分析，上、中、下層分別有3個配位原子，故配位數(shù)為12。六方晶胞中原子的數(shù)目往往采用均攤法：①位于晶胞頂點的原子為6個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻為；②位于晶胞面心的原子為2個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻為；③位于晶胞側棱的原子為3個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻為；④位于晶胞體心的原子為1個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻為1。GaN晶胞中Ga原子個數(shù)為，N原子個數(shù)為，所以該晶胞化學式為Ga6N6，質(zhì)量為g，該六棱柱的底面為正六邊形，邊長為acm，底面的面積為6個邊長為acm的正三角形面積之和，根據(jù)正三角形面積的計算公式，該底面的面積為，由圖2可知六棱柱的高為，所以晶胞的體積為，密度為g?cm?3?！军c睛】物質(zhì)結構的綜合考題，涉及核外電子排布、電離能、化學鍵、等電子體、晶體類型與性質(zhì)、晶胞結構與計算等知識，理解原子相對位置并計算晶胞的體積是解題關鍵，其中均攤法確定立方晶胞中粒子數(shù)目的方法是：①頂點：每個頂點的原子被8個晶胞共有，所以晶胞對頂點原子只占份額；②棱：每條棱的原子被4個晶胞共有，所以晶胞對頂點原子只占份額；③面上：每個面的原子被2個晶胞共有，所以晶胞對頂點原子只占份額；④內(nèi)部：內(nèi)部原子不與其他晶胞分享，完全屬于該晶胞。3．A解析：d 氧原子 spsp3 氧原子 鐵原子 馬來酸中存在分子內(nèi)氫鍵，提高了羧基的離子性，有利于酸性電離，因此馬來酸電離主要以第一步電離為主 2 2 6 【解析】【分析】【詳解】（1）基態(tài)鐵原子核外電子排布式為[Ar]3d64s2，失去2個電子后變?yōu)閬嗚F離子，基態(tài)亞鐵離子核外電子排布式為[Ar]3d6，因此能表示能量最低的亞鐵離子的電子排布式是d；（2）H、C、O中H元素電負性最小，C、O為同周期元素，原子序數(shù)越大，電負性越大，因此電負性最大的是O；C原子連接4個原子形成共價鍵時，C原子采用sp3雜化，C原子連接3個原子形成共價鍵時，C原子采用sp2雜化，因此丁二酸中碳原子的雜化方式為spsp3；丁二酸中只有氧原子上有孤電子對，亞鐵離子中存在空軌道，因此琥珀酸亞鐵的配位鍵中配位原子為氧原子，中心原子為鐵原子；（3）馬來酸中存在分子內(nèi)氫鍵，提高了羧基的離子性，有利于酸性電離，因此一級電離較為容易，而剩余部分因為形成了分子內(nèi)氫鍵而很穩(wěn)定，相對難以電離，因此馬來酸電離主要以第一步電離為主；（4）該晶胞中，硫酸根離子在空間上的取向有：，一共2種；β硫酸亞鐵的化學式為FeSO4，晶胞中含有亞鐵離子數(shù)目為，則晶胞中所含硫酸根離子數(shù)目為4，從晶胞示意圖中可以發(fā)現(xiàn)有6個硫酸根離子，其中有4個位于面上，故晶胞體內(nèi)有2個硫酸根離子；以體心的亞鐵離子為研究對象，每個硫酸根中均有一個氧原子離鐵原子最近，亞鐵離子周圍最近的氧原子的個數(shù)為6；該晶體的密度?！军c睛】對于晶體的密度計算方法為：先計算一個晶胞的質(zhì)量，然后根據(jù)晶胞參數(shù)計算晶胞的體積，然后利用密度公式計算晶胞密度，其主要易錯點在于單位的換算以及晶胞內(nèi)相關原子個數(shù)的計算。4．F解析：Li、F sp2 加熱破壞了硼酸分子之間的氫鍵，增大了硼酸與水形成氫鍵的幾率 H3BO3+H2O[B(OH)4]+H+ 8 Na3Li(BH4)4 ＜ MgB2 【解析】【分析】【詳解】Ⅰ.（1）B的基態(tài)原子電子排布式為 1s22s22p1，與B的基態(tài)原子電子排布式中成單電子數(shù)相同的第二周期元素還有Li和F，兩種元素最外層只有1個單電子。故答案為：Li、F；Ⅱ.（2）硼酸分子以范德華力、共價鍵和氫鍵形成環(huán)狀結構，每個環(huán)含有2個B原子，每個B被3個環(huán)分攤，每個含有B原子的環(huán)中平均含有B原子的個數(shù)為2=個。由圖可知，B原子形成3個BOσ鍵，沒有孤電子對，B原子雜化軌道數(shù)目為3，B原子采取sp2雜化方式。故答案為：；sp2 ；（3）加熱時，硼酸的溶解度增大，主要原因是加熱破壞了硼酸分子之間的氫鍵，增大了硼酸與水形成氫鍵的幾率。故答案為：加熱破壞了硼酸分子之間的氫鍵，增大了硼酸與水形成氫鍵的幾率；（4）硼酸是一元弱酸，其分子式亦可寫為B(OH)3，在水中電離時，硼酸結合水電離出來OH的而呈酸性，硼酸的電離方程式H3BO3+H2O[B(OH)4]+H+。故答案為：H3BO3+H2O[B(OH)4]+H+；（5）氨硼烷(NH3BH3)是一種新型儲氫材料，B有空軌道，N有孤電子對，其分子中存在配位鍵，則氨硼烷分子的結構式或結構簡式為。故答案為：；Ⅲ.（6）根據(jù)晶胞結構分析，底心Na＋周圍等距且最近的BH4－個數(shù)即為Na＋的配位數(shù)，則Na＋的配位數(shù)為8，故答案為：8；（7）晶胞中頂點粒子占，面心粒子占，棱上粒子占，若硼氫化鈉晶胞上下底心處的 Na＋被 Li＋取代，則BH4－個數(shù)為4，Na＋數(shù)目為3，Li＋數(shù)目為1，所以得到的晶體的化學式為：Na3Li(BH4)4 ，故答案為：Na3Li(BH4)4 ；（8）的C=O雙鍵中氧原子含有2對孤對電子，由于孤對電子與成鍵電子對排斥力大于成鍵電子對之間排斥力，故CH3COOH分子中鍵角2＜鍵角1。故答案為：＜；Ⅳ.（9）該晶體微觀結構的透視圖中，每個Mg原子周圍有6個B原子，每個B原子為3個Mg原子共用，平均一個Mg原子擁有的B原子為6=2，Mg、硼原子個數(shù)比為1：2，硼化鎂的化學式為MgB2，故答案為：MgB2?！军c睛】本題考查物質(zhì)結構知識，涉及到價電子排布，配位鍵的形成，氫鍵的性質(zhì)，雜化軌道理論，晶胞的簡單計算，難點（7）認真觀察結構圖，找出粒子數(shù)之間的關系。5．C解析：3s23p5 sp3 Cl＞S＞P 327kJ?mol1 (SO3)n CuCl是分子晶體，CuF是離子晶體 K3Cu(CN)4 nm 【解析】【分析】【詳解】（1）基態(tài)氯原子有三個電子層，最外層電子數(shù)為7，故其核外價電子排布式為3s23p5；HClO分子的中心原子為氧原子，根據(jù)雜化軌道理論，其雜化軌道類型為 sp3。（2）同周期元素從左到右，電負性越來越強，故P、S、Cl的電負性由大到小的順序為Cl＞S＞P。（3）①由圖（a）可知6F(g)+S(g)=SF6(g) ?H=1962 kJ/mol，則S－F鍵的鍵能為1962 kJ/mol247。6＝327kJ?mol1。②由圖（C）可知，硫和氧形成的鏈狀化合物是由多個SO3分子構成的結構，故其化學式為(SO3)n。（4）①因為CuF是離子晶體，CuCl是分子晶體，故CuF的熔點比CuCl的高。②將CuCl溶入