俄歇電子aes能譜xxxx(存儲(chǔ)版)
【正文】 . 化學(xué)效應(yīng) 216。Energyo由于涉及到樣品在真空中的傳遞和放置，待分析的樣品一般都需要經(jīng)過一定的預(yù)處理。o在物理學(xué)，化學(xué)，材料科學(xué)以及微電子學(xué)等方面有著重要的應(yīng)用。o通過俄歇電子能譜的深度剖析，可以獲得多層膜的厚度。o通過俄歇電子能譜的深度剖析，可以研究各元素沿深度方向的分布，因此可以研究薄膜的界面擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)。AES研究 Cr/Si的界面擴(kuò)散反應(yīng) 固體表面離子注入分布及化學(xué)狀態(tài)的研究 離子注入 Sb的 SnO2氣敏薄膜的俄歇深度分析圖 薄膜制備的研究 o 從圖上可見，除表面有氧化層外，在基底合金材料中，主要是 Fe,Ni， Cr合金，成分分布還是很均勻的。o 從圖上可見，在金剛石表面形成了很好的金屬Cr層。o俄歇電子能譜在摩擦學(xué)研究上也有重要的應(yīng)用。由此，可見該類添加劑的 S能很好地與金屬基底材料作用形成具有抗磨作用的潤滑膜。表明 LaCoO3鈣鈦礦已被破壞，催化劑產(chǎn)生中毒失活。這結(jié)果說明 SO2是很容易與 LaCoO3反應(yīng)的。 o 從圖上可見，鋼試件在摩擦以后，潤滑膜的俄歇分析圖。經(jīng)電遷移處理后薄膜表面的線掃描分析 原始薄膜的俄歇線掃描分析o由于俄歇電子能譜具有很高的表面靈敏度和空間分辨率，非常適合于表面擴(kuò)散過程的研究。o俄歇電子能譜在薄膜的固體化學(xué)反應(yīng)研究上也有著重要的作用。o 元素偏析經(jīng)常是材料失效的重要原因。APCVD法制備的薄膜質(zhì)量最好，單質(zhì)硅的含量較低。僅從 Sb離子的注入量和分布很難解釋離子注入薄膜的電阻率的大幅度降低。此外，界面擴(kuò)散反應(yīng)的產(chǎn)物還可以通過俄歇線形來鑒定。AES測定 TiO2薄膜光催化劑的厚度 薄膜的界面擴(kuò)散反應(yīng)研究 o由于俄歇電子能譜具有很高的表面靈敏度，可以檢測到 1~5原子單層，因此可以很方便和有效地用來研究固體表面的化學(xué)吸附和化學(xué)反應(yīng)。o在材料科學(xué)領(lǐng)域，主要應(yīng)用于材料組分的確定，純度的檢測，材料特別是薄膜材料的生長。經(jīng)過特殊處理，絕緣體固體也可以進(jìn)行分析。所以俄歇電子能譜更適合于表征化學(xué)環(huán)境的作用。o目前解決該問題的方法是采用旋轉(zhuǎn)樣品的方法，以增加離子束的均勻性。O的 SAM和 SEM 面掃描分布圖SEM S的 SAM 216。 線掃描分析AgAu合金超薄膜在單晶硅 這結(jié)果說明在損傷區(qū)發(fā)生了 Si3N4薄膜的分解。因?yàn)椋?(1)束徑越細(xì)，使得信噪比下降。o基體效應(yīng)對(duì)分析結(jié)果的影響。俄歇電子能譜 定性 分析總結(jié)o任務(wù) ：根據(jù)實(shí)測的直接譜 (俄歇峰 )或 微分譜上的負(fù)峰的位置識(shí)別元素。o2）標(biāo)注所有此元素的峰。俄歇圖譜采用微分后曲線的負(fù)峰能量作為俄歇?jiǎng)幽苓M(jìn)行標(biāo)定微分譜Fe經(jīng)輕微氧化的 d[EN(E)]/dE譜和 dN(E)/dE譜 5. AES分析方法 利用俄歇圖像和電子顯微圖像相比較，亦可得到元素分布與表面形貌的相關(guān)性。 因此， Auger電子的信號(hào)強(qiáng)度在整個(gè)電子信號(hào)中所占的比例是相當(dāng)小的，即 AES中有強(qiáng)大的背底。o 譜儀的 空間分辨率 與電子束的最小束斑直徑有關(guān)。216。電子槍的電子束斑直徑，決定著 SAM的空間分辨率。 4f5/24f5/24d5/24d3/24p3/24p1/24s1/2? ??????????????????? ????????????????? ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????N7N6N5N4N3N2N1 EAES與 XAES的比較o用電子束作為激發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)是：o電子束的強(qiáng)度大于 X射線源多個(gè)數(shù)量級(jí)；o電子束可以進(jìn)行聚焦，具有很高的空間分辨率；o電子束可以掃描，具有很強(qiáng)的圖像分析功能；o由于電子束束斑直徑小，具有很強(qiáng)的深度分析能力。Auger躍遷的標(biāo)記以 空位、 躍遷電子、發(fā)射電子 所在的能級(jí)為基礎(chǔ)。 AES的特點(diǎn)o表面性（ 12nm）o具有很高的表面靈敏度，其檢測極限約為 15原子單層 o同時(shí)定性分析除 氫氦 以外的所有元素o半定量分析表面成份o化學(xué)價(jià)態(tài)分析o微區(qū)分析o界面分析 (a) KL1L3 Auger 躍遷 (b) K?1 輻射躍遷 入射電子束和物質(zhì)作用，可以激發(fā)出原子的內(nèi)層電子形成空穴。Electron一個(gè)能量較高態(tài)的電子填充該空位，同時(shí)發(fā)出特征 X射線，即 輻射躍遷 。 此處， Wi, Xp和 Yq代表所對(duì)應(yīng)的電子軌道 。o俄歇電子產(chǎn)額或躍遷幾率決定俄歇譜峰強(qiáng)度，直接
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