俄歇電子能譜(存儲(chǔ)版)
【正文】 。 1rEUr??? ????△ 要求： 不同能量的電子通過分析器后最大限度地被分離，以便選出某種能量的電子 (色散特性－獲得高分辨率 ) 具有相同能量、不同發(fā)射角的電子要盡可能會(huì)聚于一點(diǎn) (聚焦特性－獲得高靈敏度 )。此時(shí) T = 710％。 俄歇電子能譜的特點(diǎn)： 思考題 ? 俄歇能譜產(chǎn)生的原理 ? 俄歇電子能譜的定性和定量分析依據(jù) ? 俄歇電子能譜的應(yīng)用 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH 。 ? 〇 靈敏度 ? 絕對(duì)靈敏度 :最小可檢測(cè)量 (以克表示 ) – 相對(duì)靈敏度：最低檢測(cè)濃度－－ – 從多組分樣品中檢測(cè)出某種元素的比例 – (用百分濃度或 ppm、 ppb表示 ) ? ? 影響檢測(cè)的靈敏度主要因素：儀器傳輸率T和信噪比 傳輸率 T： (Transmission) 當(dāng)入射電子束為單色，并有均勻的角分布時(shí) T = Ω /4π Ω：入射電子的有效立體角 入口立體角大，傳輸率高，靈敏度高 傳輸率與入口和出口縫隙寬度 (半角 Δα)的關(guān)系 T =Δαsinα 0 為兼顧傳輸率與分辨率，一般取 Δα為 6176。若連續(xù)地改變外筒上的偏轉(zhuǎn)電壓，就可在檢測(cè)器上依次接收到具有不同能量的俄歇電子。 ? 入射電子束源 – △ 束斑大小影響微區(qū)分析及掃描 AES的 – 橫向分辨 – △ 束流大小影響信噪比 ? 利用場(chǎng)發(fā)射陰極作為電子束源： ? 小束斑：幾千 幾百 197。探測(cè)靈敏度取決于束流強(qiáng)度。 ? 5 界面分析 ? 利用樣品沖斷裝置，在超高真空中使樣品沿晶界斷裂，得到新鮮的清潔斷口，然后以盡量短的時(shí)間間隔，對(duì)該斷口進(jìn)行俄歇分析。 俄歇電子能譜在 研究固體化學(xué)反應(yīng) 上也有著重要的作用。 圖為 CrSi3薄膜不同深度的 Cr LMM俄歇線形譜。 4. 深度剖面分析 一般采用 500eV~5KeV的離子束作為濺射源。 微分譜 ： dN(E)/dE－ E，是直接譜的微分形式 微分譜將直接譜的每一個(gè)峰轉(zhuǎn)化為一對(duì)正、負(fù)峰。 激發(fā)俄歇電子的總電流： I = (1+r) Ip Ip：入射束流 r：背向散射二次發(fā)射系數(shù) 背向散射電子的作用，將使俄歇信息強(qiáng)度增加百分之幾，這一量值隨 U的增大而增大，隨原子序數(shù)增加而增加。2] 可見： △ U必須 1 即 Ep EA △ 曲線有最大值，當(dāng) U ≈ 時(shí) (Ep為 EA的 ) △ 電離截面取決于束縛能 實(shí)驗(yàn)數(shù)值： 內(nèi)層束縛能： 1keV 入射電子能量： 35keV U: 34 (2) 俄歇躍遷幾率 電離原子去激發(fā)的兩種方式：熒光過程、俄歇過程。 CK躍遷 (CosterKronig躍遷 )： 終態(tài)空位之一與初態(tài)空位處于同一主殼層內(nèi)即 WiWpYq ( p i ) 超 CK躍遷 ： 兩終態(tài)都與初態(tài)空位處于同一主殼層內(nèi) 即 WiWpWq( p i， qi ) CK躍遷速度快 ， △ t小 ， 由測(cè)不準(zhǔn)原理 (△ E)(△ t) h， Δ E大 ， 帶來能量的分散 ， 使譜線展寬 。第 4章 俄歇電子能譜 俄歇電子能譜 (Auger Electron Spectroscopy 簡(jiǎn)稱 AES) 一 、 簡(jiǎn)介
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