俄歇電子aes能譜xxxx-全文預(yù)覽
【正文】 膜表面損傷點的俄歇深度分析 圖 18 Si3N4薄膜表面正常點的俄歇深度分析 線掃描分析 微區(qū)分析 (點分析 )在正常樣品區(qū)，表面主要有 Si, N,C和 O元素存在。 (3)束斑漂移對束徑也有限制。216。它是將很細的初級電子束在樣品表面掃描，同時選取某一元素Auger電子峰的能量，使該元素的 Auger電子成像。AES定量分析的主要困難o試樣的復(fù)雜性，即試樣的非均勻性、表面成分的未知性、試樣表面的粗糙度的影響，多晶樣品表面取向不同的影響。o注意 ：由于電子軌道之間可實現(xiàn)不同的俄歇躍遷過程，所以每種元素都有豐富的俄歇譜，由此導(dǎo)致不同元素俄歇峰的干擾。o4）未標(biāo)識峰可能是能量損失峰。 由于微分譜具有比較好的信背比，利于元素的識別，因此， 在定性分析中，一般用微分譜 。 定性分析是進行 AES分析的首要內(nèi)容 ，是根據(jù)測得的 Auger電子譜峰的位置和形狀識別分析區(qū)域內(nèi)所存在的元素 。從而使 Auger電子能譜成為今天的重要表面分析技術(shù)之一。 直接譜v 直接譜根據(jù)能量分辨率的不同設(shè)置方式，也有兩種形式，即 EN(E)~E和 N(E)~E。o 定量分析：以峰 峰值（正負峰高度差）代表俄歇峰強度，用于定量分析。微分譜的特點是靈敏，背底扣除問題自動得到解決，峰明銳且易辨識，特別是如圖中的碳和鈣峰。一般情況下，俄歇電子能譜是迭加在緩慢變化的，非彈性散射電子形成的背底上。v用于分析的 Auger電子的能量一般在0~2023eV，它所對應(yīng)的平均自由程為 ~3o 檢測極限 （靈敏度）。 一般可完成清洗、斷裂、鍍膜、退火等一系列預(yù)處理工作。 離子槍和預(yù)處理室v離子槍是進行樣品表面剖離的裝置，主要用于樣品的清洗和樣品表層成分的深度剖層分析 。 電子能量分析器 在表面分析技術(shù)中使用的電子能量分析器都是 靜電型 的。電子槍是用于激發(fā) Auger電子的裝置。v每種元素的各種Auger電子的能量是識別該元素的重要依據(jù)。 Z33時，俄歇發(fā)射占優(yōu)勢 。 俄歇分析的選擇o對于 Z≤14 的元素，采用 KLL俄歇電子分析 ；o14Z42的元素，采用 LMM俄歇電子較合適；oZ42時，以采用 MNN和 MNO俄歇電子為佳。3d5/23d3/23p3/23p1/23s1/22p3/22p1/22s1/21s1/2? ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? ?????????M5M4M3M2M1L3L2L1KAES一般地說，任意一種 Auger過程均可用WiXpYq來表示。 在原子內(nèi)某一內(nèi)層電子電離而形成空位 (如 K層 )，則該電離原子的去激發(fā)可以有 兩種方式 ：216。目前其已成為許多科學(xué)領(lǐng)域和工業(yè)應(yīng)用中的最重要的表面分析手段之一。Auger電子能譜 (AES)Augero1925年 Pierre Auger在 Wilson云室中發(fā)現(xiàn)了俄歇電子 o1953年 歇電子能譜o1967年在 Harris采用了微分鎖相技術(shù)，使俄歇電子能譜獲得了很高的信背比后，才開始出現(xiàn)了商業(yè)化的俄歇電子能譜儀v現(xiàn) 有很高微區(qū)分辨能力的掃描俄歇微探針（Scanning Auger Microprobe, SAM） , 成為微區(qū)分析的有力工具v電子計算機的引入，使能譜儀的功能更趨完善。外層電子填充空穴向內(nèi)層躍遷過程中所釋放的能量，可能以 X光的形式放出，即產(chǎn)生特征 X射線，也可能又使核外另一電子激發(fā)成為自由電子，這種自由電子就是 俄歇電子 。一個較高能量的電子躍遷到空位，同時另一個電子被激發(fā)發(fā)射，這是一無輻射躍遷過程，這一過程被稱為 Auger效應(yīng) ,被 發(fā)射的電子 稱為 Auger電子。如初態(tài)空位在 K能級， L1能級上的一個電子向下躍遷填充 K空位，同時激發(fā) L3上的一個電子發(fā)射出去便記為KL1L3。?? Auger效應(yīng)v 電子能級、 X射線能級和電子數(shù) EAES與 XAES的比較oXAES 也具有很多優(yōu)點：o（ 1）由于 X射線引發(fā)的二次電子較弱，俄歇峰具有很高的信 /背比；o（ 2） X射線引發(fā)的俄歇電子具有較高的能量分辨率；o（ 3） X射線束對樣品的表面損傷小得多。俄歇電子產(chǎn)額與原子序數(shù)的關(guān)系由圖可知， Z19，發(fā)射俄歇電子的幾率在 90％以上；隨 Z的增加， X射線熒光產(chǎn)額增加，而俄歇電子產(chǎn)額下降。o產(chǎn)生的俄歇電子動
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