《薄膜cvd技術(shù)》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 是一種近于電中性的半導(dǎo)體材料； 與 Si的界面上的界面態(tài)少； 有獨(dú)特機(jī)理的表面鈍化作用： a）表面離子沾污的靜電屏蔽 b）提高器件的耐壓水平 利用 SIPOS膜的微弱導(dǎo)電性 ， p+區(qū)所加的負(fù)電位傳到 n區(qū)的表面；與 SiO2膜中的正電荷作用相反 ，這種負(fù)電位使 Si表面附近的電子濃度減少 ， 從而使耗盡區(qū)的表面電場被削弱 。 分解 [CH3]2C2H5N:[AlH3]—DMEAA 200C176。 C分解 a）工藝難點(diǎn)： 純度的保證 —高阻半絕緣性 ~106 ?cm 膜的均勻致密 b）生長時適當(dāng)加入一定濃度的氧（ ~15%），形成的 OSIPOS膜的電阻率可提高（ ~108 ?cm） c）摻入氮（ NSIPOS）可提高抗金屬離子和水汽的浸蝕 d） SIPOS膜的表面通常覆蓋一層 SiO2膜 e）加入 PH AsH4和 BH4等可生長出高電導(dǎo)的摻雜多晶硅 3）摻雜多晶硅在器件中的作用 a） MOS柵的自對準(zhǔn)工藝 b） MOS感應(yīng)柵 —可讀寫和閃存器件 . 金屬材料 CVD 金屬膜的生長以物理濺射為基本方法，但由于其方向性，使其臺階覆蓋能力不好；合金膜和硅化物的組成配比較難控制。 氮化硅有結(jié)晶化形和無定形兩種 在器件中常希望無定形氮化硅 （？） 用反應(yīng)濺射法等物理方法和低溫 CVD法 可以制備無定形氮化硅膜，但以 CVD為好。 PSG和 BPSG膜的特點(diǎn)： 金屬離子吸除作用和低溫?zé)崛哿魈匦? PSG具有比 SiO2更好的低溫熔流性而用于平坦化工藝， 由于 PSG的穩(wěn)定性較差，且對 Al有腐蝕作用，現(xiàn)多用 BPSG。
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