《氧化硅薄膜制備》ppt課件-全文預覽
【正文】 可作為非晶硅太陽電池的薄膜光吸收層 , 以提高光吸收效率 。通常使用 H2SiF6 的水溶液為反應液 , 在溶液中溶入過飽和的 SiO 2 (以 SiO 硅膠或硅酸的形式 ) , 溶液中的反應為 : H2SiF6+ 2H2O SiO 2+ 6HF。同時 , 通過對體系溶膠 2凝膠過程的有效控制 , 使膜層同時具有良好的增透性能及韌性。過去 10 年中 , 人們在此方面已取得了較大進展。 熱氧化法 ?干氧氧化 ?濕氧氧化 ?水汽氧化。3 O 缺點是真空度低 ,從而使薄膜中的雜質含量 (Cl、 O)較高 ,薄膜硬度低 ,沉積速率過快而導致薄膜內柱狀晶嚴重 ,并存在空洞等。 1 二氧化硅薄膜的制備方法 1. 化學氣相淀積法 2. 物理氣相淀積 3. 熱氧化法 4. 溶膠凝膠法 5. 液相沉積法 （ CVD） ? 化學氣相淀積是利用化學反應的方式，在反應室內，將反應物（通常是氣體）生成固態(tài)生成物，并淀積在硅片表面是的一種薄膜淀積技術。 ? 二氧化硅具有硬度高、耐磨性好、絕熱性好、光透過率高、抗侵蝕能力強以及良好的介電性質。論述了有關二氧化硅薄膜的制備方法 ,相應性質及其應用前景。利用納米二氧化硅的多孔性質可應用于過濾薄膜、薄膜反應和相關的吸收劑以及分離技術、分子工程和生物工程等 ,從而在光催化、微電子和透明絕熱等領域具有很好的發(fā)展前景。這種方法的特點是沉積溫度可以降低 ,一般可從LPCVD中的 700℃ 下降至 200℃ ,且生長速率快 ,可準確控制沉積速率 (約 1nm樸 s),生成的薄膜結構致密 。3 ( 195 nm ) O 在 1963年 ,美國 Sandia公司的 先提出離子鍍 (IonPlating)技術 ,1965年 ,美國IBM公司研制出射頻濺射法 ,從而構成了 PVD技術的三大系列 —— 蒸發(fā)鍍 ,濺射鍍和離子鍍。這種方
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