《氧化硅薄膜制備》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 可作為非晶硅太陽(yáng)電池的薄膜光吸收層 , 以提高光吸收效率 。通常使用 H2SiF6 的水溶液為反應(yīng)液 , 在溶液中溶入過(guò)飽和的 SiO 2 (以 SiO 硅膠或硅酸的形式 ) , 溶液中的反應(yīng)為 : H2SiF6+ 2H2O SiO 2+ 6HF。同時(shí) , 通過(guò)對(duì)體系溶膠 2凝膠過(guò)程的有效控制 , 使膜層同時(shí)具有良好的增透性能及韌性。過(guò)去 10 年中 , 人們?cè)诖朔矫嬉讶〉昧溯^大進(jìn)展。 熱氧化法 ?干氧氧化 ?濕氧氧化 ?水汽氧化。3 O 缺點(diǎn)是真空度低 ,從而使薄膜中的雜質(zhì)含量 (Cl、 O)較高 ,薄膜硬度低 ,沉積速率過(guò)快而導(dǎo)致薄膜內(nèi)柱狀晶嚴(yán)重 ,并存在空洞等。 1 二氧化硅薄膜的制備方法 1. 化學(xué)氣相淀積法 2. 物理氣相淀積 3. 熱氧化法 4. 溶膠凝膠法 5. 液相沉積法 （ CVD） ? 化學(xué)氣相淀積是利用化學(xué)反應(yīng)的方式，在反應(yīng)室內(nèi)，將反應(yīng)物（通常是氣體）生成固態(tài)生成物，并淀積在硅片表面是的一種薄膜淀積技術(shù)。 ? 二氧化硅具有硬度高、耐磨性好、絕熱性好、光透過(guò)率高、抗侵蝕能力強(qiáng)以及良好的介電性質(zhì)。論述了有關(guān)二氧化硅薄膜的制備方法 ,相應(yīng)性質(zhì)及其應(yīng)用前景。利用納米二氧化硅的多孔性質(zhì)可應(yīng)用于過(guò)濾薄膜、薄膜反應(yīng)和相關(guān)的吸收劑以及分離技術(shù)、分子工程和生物工程等 ,從而在光催化、微電子和透明絕熱等領(lǐng)域具有很好的發(fā)展前景。這種方法的特點(diǎn)是沉積溫度可以降低 ,一般可從LPCVD中的 700℃ 下降至 200℃ ,且生長(zhǎng)速率快 ,可準(zhǔn)確控制沉積速率 (約 1nm樸 s),生成的薄膜結(jié)構(gòu)致密 。3 ( 195 nm ) O 在 1963年 ,美國(guó) Sandia公司的 先提出離子鍍 (IonPlating)技術(shù) ,1965年 ,美國(guó)IBM公司研制出射頻濺射法 ,從而構(gòu)成了 PVD技術(shù)的三大系列 —— 蒸發(fā)鍍 ,濺射鍍和離子鍍。這種方
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1