半導(dǎo)體存儲器ppt課件(已修改)
2025-05-18 12:44 本頁面
【正文】 第 6章 第 6章 ： 半導(dǎo)體存儲器概述 按速度由快到慢 ， 容量由小到大 ， 存儲器可分為： cpu寄存器 、高速緩沖存儲器 、 主存儲器 、 輔助存儲器 。 本章介紹采用半導(dǎo)體存儲器及其組成主存的方法 CPU CACHE 主存（內(nèi)存） 輔存（外存） 第 6章： 半導(dǎo)體存儲器的分類 按制造工藝分 雙極型存儲器： 速度快 、 集成度低 、 功耗大 MOS型存儲器：速度慢 、 集成度高 、 功耗低 按信息存儲方式分 隨機(jī)存取存儲器 RAM： 可讀可寫 、 斷電丟失 只讀存儲器 ROM：正常只讀 、 斷電不丟失 詳細(xì)分類，請看圖示 半導(dǎo)體 存儲器 只讀存儲器 （ ROM） 隨機(jī)存取存儲器 （ RAM） 靜態(tài) RAM（ SRAM） 動態(tài) RAM（ DRAM） 非易失 RAM（ NVRAM） 掩膜式 ROM 一次性可編程 ROM（ PROM） 紫外線擦除可編程 ROM（ EPROM） 電擦除可編程 ROM（ EEPROM） 詳細(xì)展開，注意對比 第 6章： ⑴ 隨機(jī)存取 存儲器 RAM 組成單元 速度 集成度 應(yīng)用 SRAM 觸發(fā)器 快 低 小容量系統(tǒng) DRAM 極間電容 慢 高 大容量系統(tǒng) NVRAM 帶微型電池 慢 低 小容量非易失 第 6章： ⑵ 只讀存儲器 ROM 掩膜 ROM：信息制作在芯片中 ， 不可更改 PROM：允許一次編程 ， 此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除 ， 擦除后可編程；并允許用戶多次擦除和編程 EEPROM（ E2PROM） ：采用加電方法在線進(jìn)行擦除和編程 ，也可多次擦寫 Flash Memory（ 閃存 ） ：能夠快速擦寫的 EEPROM， 但只能按塊 （ Block） 擦除 半導(dǎo)體存儲器的性能指標(biāo) 存儲容量 存儲容量＝ 字?jǐn)?shù) 字長 ＝ N M （ M為 I/O電路數(shù)（ 數(shù)據(jù)線 根數(shù)）） 存儲單元數(shù) 每單元的存儲位數(shù) N=2n(n為 地址線 根數(shù)） 存取速度 一般用最大存取時間或存取周期來描述 。 存取周期愈 短 ， 其存取速度愈 高 功耗 包括 “ 維持功耗 ” 和 “ 操作功耗 ” 。 應(yīng)在保證速度的前提下盡可能減小功耗 ， 特別是 “ 維持功耗 ” 。 可靠性 可靠性一般是指存儲器抗外界電磁場 、 溫度等因素變化干擾的能力 。 平均無故障間隔時間可達(dá)幾千小時以上 。 價格 第 6章： ① 存儲體 存儲器芯片的主要部分 ， 用來存儲信息 ② 地址譯碼電路 根據(jù)輸入的地址編碼來選中芯片內(nèi)某個特定的存儲單元 ③ 片選和讀寫控制邏輯 選中存儲芯片 ， 控制讀寫操作 第 6章： ① 存儲矩陣 （ 存儲體 ） 存儲體是存儲 1或 0信息的電路實(shí)體 ， 它由許多個存儲單元組成 ， 可存儲 1位 （ 位片結(jié)構(gòu) ） 或多位 （ 字片結(jié)構(gòu) ） 二進(jìn)制數(shù)據(jù) ， 每一位二進(jìn)制數(shù) 需要一個基本存儲電路 。 存儲體中的基本電路配置成一定的陣列并進(jìn)行編址 ， 因此也叫存儲矩陣 。 存儲芯片中基本存儲電路的排列通常有： N N N 8三種 。 示例 存儲容量與地址 、 數(shù)據(jù)線個數(shù)有關(guān) ： 芯片的存儲容量 (N M) ＝ 存儲單元數(shù) 存儲單元的位數(shù) ＝ 2n M n：芯片的 地址線 根數(shù) M：芯片的 數(shù)據(jù)線 根數(shù) 譯碼器 A5 A4 A3 A2 A1 A0 63 0 1 存儲單元 64個單元 行譯碼 A2 A1 A0 7 1
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1