mos存儲(chǔ)器系統(tǒng)ppt課件(已修改)
2025-05-10 22:22 本頁(yè)面
【正文】 MOS集成電路設(shè)計(jì) ? 、 NMOS電路 ? 電阻 NMOS反相器 MOS集成電路設(shè)計(jì) ? NMOS反相器及版圖（ E/E NMOS） ? NMOS反相器及版圖（ E/D NMOS） ? NMOS與非門電路 ? NMOS或非門電路及版圖 NMOS與或非門電路及版圖 ? CMOS反向器 CMOS電路 N阱 CMOS – （ 1）初始氧化 – （ 2）淀積氮化硅層 – （ 3）光刻一，定義出 N阱 – （ 4）反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層 – （ 5） N阱離子注入，注磷 – （ 6）退火 – （ 7）高溫阱推進(jìn) N阱 N阱 2 有源區(qū)的確定和場(chǎng)氧化 (LOCOS) – N溝道和 P溝道晶體管所在的區(qū)域稱為有源區(qū) – 需首先在不同 MOS管之間進(jìn)行場(chǎng)氧。 ? （ 1）淀積氮化硅層 – (a)生成 N阱后，去掉氧化層。 – (b)重新生長(zhǎng)一層薄的 SiO2層，作為薄氮化硅層與硅之間的緩沖層。 – (c)淀積一層薄氮化硅層，作為場(chǎng)氧氧化的掩膜。 – (d)確定有源區(qū)，即 n型晶體管和 P型晶體管所在區(qū)域。 ? （ 2）光刻二 – 有源區(qū)光刻，將以后作為有源區(qū)的二氧化硅層
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1