選修3第三章第四節(jié) 離子晶體3-文庫吧
2025-11-01 02:29 本頁面
【正文】 粒子，同時為 4 個晶胞所共有，所以，每個粒子只分攤 1/4 給該晶胞． ③處于面上的粒子，同時為 2 個晶胞所共有，所以，每個粒子只分攤 1/2 給該晶胞． ④處于晶胞內(nèi)部的粒子，則完全屬于該晶胞． 由此算出在 NaCl的晶胞中： 含 ?Na 數(shù)： 414112 ??? 含 ?Cl 數(shù)： 4216818 ???? 故 NaCl晶體中， ?Na 和 ?Cl 數(shù)目之比為 1∶ 1． 例題解析 例 ，可以證明某化合物內(nèi)一定存在離子鍵的是 ( ) A、可溶于水 B、具有較高的熔點 C、水溶液能導電 D、熔融狀態(tài)能導電 解析：本題考查對化學鍵 離子鍵的判斷。只要化合物中存在離子鍵必 為離子晶體，而 離子晶體區(qū)別其它晶體的突出特點是：熔融狀態(tài)下能導電，故 D 正確；至于 A 可溶于水，共價化合物如： HCl 也可以； B具有較高熔點，也可能為原子晶體，如 SiO2； C水溶液能導電，可以是共價化合物如硫酸等。 答案 : D 例 ，回答下列問題。 物 質(zhì) NaF NaCl NaBr NaI NaCl KCl RbCl CsCl 熔點（℃） 995 801 755 651 801 776 715 646 物 質(zhì) SiF4 SiCl4 SiBr4 SiI4 SiCl4 GeCl4 SbCl4 PbCl4 熔點（℃） 120 15 (1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點與鹵離子及堿金屬離子的 __ 有關 ,隨著 增大 ,熔點依次降低 . (2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物熔點與 有關 ,隨著 增大 , 增強，熔點依次升 高 . (3)鈉的鹵化物的熔點比相應的硅的鹵化物的熔點高得多 ,這與 有關 ,因為一般 比 熔點高 . 解析：本題主要考查物質(zhì)溶沸點的高 低與晶體類型和晶體內(nèi)部微粒之間作用力的關系以及分析數(shù)據(jù)進行推理的能力。 （ 1）表中第一欄的熔點明顯高于第二欄的熔點，第一欄為 IA元素與Ⅶ A元素組成的離子晶體，則第二欄為分子晶體。 （ 2）分析比較離子晶體熔點高低的影響因素： 物質(zhì)熔化實質(zhì)是減弱晶體內(nèi)微粒間的作用力，而離子晶體內(nèi)是陰、陽離子，因此離子晶體的熔化實際上是減弱陰、陽離子間的作用力 離子鍵，故離子晶體的熔點與離子鍵的強弱有關。從鈉的鹵化物進行比較：鹵素離子半徑是 r（ F） r(Cl)r(Br)r(I)，說明熔點隨鹵素陰離子半徑 的增大而減小。又從堿金屬的氯化物進行比較：堿金屬陽離子半徑是 r（ Na+） r(K+)r(Rb+)r(Cs+)，說明熔點隨堿金屬陽離子半徑的增大而減小。 （ 3）分析比較分子晶體熔點高低的影響因素： 分子晶體內(nèi)的微粒是分子，因此分子晶體的熔點與分子間的作用力有關。 從硅的鹵化物進行比較：硅的鹵化物分子具有相似的結(jié)構(gòu)，從 SiF4 到 SiI4 相對分子量逐步增大，說明熔點隨化學式的式量的增加而增大。 由從硅、鍺、錫、鉛的氯化物進行比較：這些氯化物具有相似的結(jié)構(gòu)，從 SiCl4到 PbCl4 相對分子質(zhì)量逐步增大，說明熔點 隨化學式的式量的增加而增大。 答案：第一問 半徑，半徑 第二問：相對分子質(zhì)量，相對分子質(zhì)量，分子間作用力。 第三問：晶體類型，離子晶體，分子晶體。 例 3.（ 1）中學化學教材中圖示了 NaCl 晶體結(jié)構(gòu)，它向三維空間延伸得到完美晶體。 NiO（氧化鎳）晶體的結(jié)構(gòu)與 NaCl 相同， Ni2+與最臨近 O2的核間距離為 a 108cm,計算 NiO 晶體的密度（已知 NiO 的摩爾質(zhì)量為 ）。 （ 2）天然和絕大部分人工制備的晶體都存在各種缺陷，例如在某氧化鎳晶體中就存在如圖所示的缺陷：一個 Ni2+空缺，另有兩個 Ni2+被兩個 Ni3+所取代。其結(jié)果晶體仍呈電中性，但化合物中 Ni和 O 的比值卻發(fā)生了變化。某氧化鎳樣品組成 ,試計算該晶體中 Ni3+ 與 Ni2+的離子個數(shù)之比。 解析 :（ 1）如圖所示，以立方體作為計算單元，此結(jié)構(gòu)中含有 Ni2+—— O2離子數(shù)為： 4 18=12（個），所
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