第一章集成電路的基本工藝-文庫(kù)吧
2025-04-22 09:31 本頁(yè)面
【正文】 2。高溫時(shí)在 Si中的擴(kuò)散系數(shù)小， 以減小上推 3。 與襯底晶格匹配好，以減小應(yīng)力 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 清洗 — N+擴(kuò)散 (P) SiO2 N+BL PSUB Nepi N+BL epi?csrjsC jcCCBOBVCESVepi?3. 外延層淀積 TepiXjc+Xmc+TBLup+tepiox ▲ VPE（ Vaporous phase epitaxy) 氣相外延生長(zhǎng)硅 SiCl4+H2→Si+HCl ▲ 氧化 4. 第二次光刻 — P+隔離擴(kuò)散孔光刻 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 清洗 — P+擴(kuò)散 (B) 隔離擴(kuò)散的目的是在襯底上形成孤立的外延層島 ,實(shí)現(xiàn)元件的隔離 有 PN結(jié)隔離、介質(zhì)隔離、 PN結(jié)－介質(zhì)混合隔離等 SiO2 N+BL PSUB Nepi N+BL Nepi P+ P+ P+ 5. 第三次光刻 — P型基區(qū)擴(kuò)散孔光刻 決定 NPN管的基區(qū)擴(kuò)散位置范圍 SiO2 去 SiO2— 氧化 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 — 基區(qū)擴(kuò)散 (B) N+BL PSUB Nepi
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