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06年4月環(huán)保上崗第一章電離輻射基礎(chǔ)-閱讀頁

2025-02-02 18:24本頁面
  

【正文】 核素,衰變都較快 釷系( 4n系)釷系從 開始,經(jīng)過連續(xù) 10次衰變,最后到達穩(wěn)定核素是 4的整數(shù)倍的質(zhì)量數(shù)子體中半衰期最長為 , 所以 釷系 建立起長期平衡需要幾十年時間 。 錒系( 4n+3系)錒系從 開始,經(jīng)過連續(xù) 11次衰變,最后到達穩(wěn)定核素是 4的整數(shù)倍 +3的質(zhì)量數(shù)子體中半衰期最長為 104a, 所以 錒系 建立起長期平衡需要幾十萬年時間 。衰變規(guī)律的一些應(yīng)用 P26? 1995年 5月,各為 10mCi的放射性核素226Ra、 137Cs、 60Co和 125I, 到 2023年 5月(經(jīng)過 10年)時它們的活度是多少?分別占原來活度的百分比。最高能量可達 10GeV(1010eV)。 在緯度高于 45度的海平面, 宇宙射線平均注量率 1/cm2 隨高度變化,海平面為 1,則海拔 2km為 3,海拔 12km為 20~ 30。在 15 Km處完成轉(zhuǎn)換。 以 14C為例, 14C的生成過程: 次極宇宙射線中的熱中子與大氣中的 N核發(fā)生核反應(yīng): 14C具有放射性, 14C與大氣中作用形成通過生物作用和自然界的交換,分布于大氣、海洋及生物界,總量達 3000Mci。 以 40K為例,以 為主40K的天然豐度為 %。 Sv) 室 外 室 內(nèi) 合 計陸地 γ 輻射 宇宙射線 天然貫穿輻射 注 :室內(nèi) \外居留因子取 ,屏蔽因子取樓 人工輻射源? 人工輻射源是用人工方法產(chǎn)生的輻射源。? P32密封源 的種 類 很多。? 按放射源的幾何 形狀 可分 為 點源、 線 源、平面源、 圓 柱源、 圓環(huán) 源、 針 狀源、棒狀源等。? 按 用途 可分 為 醫(yī) 療 用、工 業(yè) 照相(探 傷 )用、核儀 表用、射 線輻 照用、放射性 測 井用、放射性 測量及 儀 表刻度用等等。例如生產(chǎn) 60Co放射性同位素時,將金屬鈷絲 (或鈷片、鈷棒 )裝于不銹鋼殼內(nèi),用氬弧焊密封。加速器生產(chǎn)放射性同位素 P40 ? 由加速器產(chǎn)生的具有一定能量的 帶電粒子 ,如 質(zhì)子、氘核和粒子 轟擊靶料,通過 (p, n)、 (d, n)、 (d,2n)、 (d, α)、 (d,p)和 (α , n)等反應(yīng) 得到放射性同位素 。 第三節(jié)電離輻射與物質(zhì)的 相互作用 射線 ,指的是如 X射線、 ?射線、 ?射線、 ?射線等,本質(zhì)都是 輻射粒子 。 這里討論的對象為 致電離輻射。 ? 輻射 : 帶電粒子輻射 非帶電粒子輻射 射線與物質(zhì)相互作用的分類帶電粒子輻射 不帶電粒子輻射重帶電粒子中子快電子 X射線和 (b) 輻射損失-帶電粒子與靶原子核的非彈性碰撞過程 。 電離 —— 核外層電子克服束縛成為 自由電子 ,原子成為正離子。 帶電粒子能量損失方式之二 輻射損失 入射帶電粒子與 原子核 之間的 庫侖力作用,使入射帶電粒子的 速度 和 方向 發(fā)生變化,伴隨著發(fā)射 電磁輻射 — 軔致輻射(Bremsstrahlung)。射程 P45 射程 (Range)的定義帶電粒子 沿入射方向 所行徑的 最大距離 ,稱為入射粒子 在該物質(zhì)中 的 射程 R。 重帶電粒子 的 質(zhì)量大 ,與物質(zhì)原子相互作用時,其 運動方向幾乎不變 。? P45對重帶電粒子質(zhì)量大,與物質(zhì)原子的核外電子作用時,運動方向幾乎不變,因此,其 α射程與路程相近。 粒子的射程 由于電子容易物質(zhì)原子的散射,其射程與路徑相差甚遠。 但與 粒子最大能量 相應(yīng)存在一個最大射程 。 而兩個湮沒光子 的發(fā)射 方向相反 ,且發(fā)射是 各向同性 的。 電子對生成效應(yīng): ?光子從原子核旁經(jīng)過,在核的庫侖場作用下, ?光子轉(zhuǎn)化成為正負電子對。 三種效應(yīng)的相互關(guān)系 在 t~ t+dt層內(nèi) 單位時間光子數(shù)的變化 為:等于在該層物質(zhì)內(nèi) 單位時間發(fā)生的作用數(shù)。積累因子是為了考慮散射伽瑪?shù)挠绊懚氲膮?shù) 。3 中子與物質(zhì)相互作用中子的 性質(zhì)2) 中能中子 :: 1KeV~~ 。 包括冷中子、熱中子、超熱中子、共振中子。4) 特快中子 :: 10MeV。費米子電荷:電荷: 0,中性粒子磁矩:磁矩: ?n=- ?N中子壽命:中子壽命: 發(fā)生 ?- 衰變的半衰期 T1/2=241AmBe中子源 。由 241Am放射源放出的 ?粒子,打在 Be上發(fā)生反應(yīng),產(chǎn)生中子。同位素中子源中子能量為 ~, 平均 5MeV;n/?比 (中子 ?強度比 )為 10:1;以 252Cf (锎 )最常用。半衰期: T1/2(自發(fā)裂變 )= , T1/2(?衰變 )= 。 中子與物質(zhì)相互作用 P50 1. 中子的散射2) 非彈性散射 (n,n’?)2. 中子的俘獲中子的俘獲1) 中子的輻射俘獲 (n,?)2) 中子的核反應(yīng) (n,α)演講完畢,謝謝觀看!
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