ht7托卡馬克歐姆放電時的電子熱輸運分析-閱讀頁
2025-01-08 19:29本頁面
【正文】 分布硼化前后等離子體壓力的分布硼化前后自舉電流的分布硼化前后自舉電流的分布o硼化前的情況， +硼化后的情況 No. Time (0)Ipexp.) (by四、總四、總 1. 壁處理后比壁處理前輻射損失明顯降低，且占歐姆功率的比例隨等離子體中心弦平均密度增大而增大，隨放電電流的增大而降低。3. HT7裝置上熱傳導(dǎo)損失是電子能量損失的主要機制 。在 1/2a處的值隨等離子體中心弦平均密度增大而降低，隨放電電流的增大而增大，隨縱場的增大而降低。?e值主要是在 r；硼化后 ?e值在整個區(qū)域內(nèi)均降低。 HT7裝置上 ?e值比 INTOR定標(biāo)值小，數(shù)值大小與 Merezhkin定標(biāo)和 CoppiMerezhin定標(biāo)差不多，但比兩個定標(biāo)更依賴于密度。 能量約束時間在所研究參數(shù)范圍內(nèi)隨密度的增大而增大，與等離子體放電電流的關(guān)系不明顯。 在 r， ?e值比較符合 Horton電磁漂移波理論模型；在 r，硅化前符合Parail電磁漂移波模型，硅化后，符合 Waltz硼化后在 r，均比較符合 Horton模型。2. 自舉電流分布占總電流分布來看：到邊界，壁處理后比未做任何壁處理前自舉電流成分大，即壁處理后，靠近邊界，自舉電流分布對等離子體電流分布貢獻較大。由于邊界處對應(yīng)的半徑大，從而對面積分的貢獻大，即自舉電流比例的增大主要是來自等離子體邊界的貢獻。（（ 2）－對）－對 HT7裝置自舉電流進行估算，裝置自舉電流進行估算，得到了比較滿意的結(jié)果。4. 但這些實驗結(jié)論為以后更深入地研究 HT－ HT－ 7U裝置自舉電流提供了基礎(chǔ)。盡可能地擴大研究的實驗參數(shù)范圍；研究輔助加熱情況下的熱輸運；開發(fā)輸運程序，與實驗研究相互補充，進一步對HT輸運的研究需要從 理論、實驗以及 計算模擬 上同時進行，才能給出系統(tǒng)的比較準確的結(jié)論，這需要巨大的財力和人力。展展 張先梅等 , 計算物理 ,(1999)2.Xianmei,al.,scienceTechnology,(2023)295.3.Xianmei,al.,IAEA Chengdu,~,張先梅等 ,物理學(xué)報， 50,715.5.Xianmei,al.,Physics18， (2023)Wan… ZhangetNucl.39, . .. et 2023Conference Plasma (ICPP) 23,2023, City, X. … X. Zhang, al., Phys. Fusion,(1999)1349.9.Gao,M.et,Nucl.279,10.Gao,M.etFusion,(2023)1875.11.J.Mao,.Zhang,al.,Fusion,謝謝首先衷心感謝的是我的導(dǎo)師萬寶年研究員。是他引導(dǎo)著我從熟悉該課題的基礎(chǔ)知識開始，一步步深入地做下去。萬老師扎實的物理基礎(chǔ)、敏銳的洞察力、嚴謹?shù)目蒲凶黠L(fēng)以及對事業(yè)的執(zhí)著和獻身精神將對我以后的學(xué)習(xí)和工作產(chǎn)生巨大影響。感謝張澄研究員、俞國揚研究員以及王少杰研究員曾在百忙中抽出時間為我解答問題。感謝那些為 HT－ 7實驗日日夜夜堅守在工作崗位的老師和同學(xué)。感謝丁伯龍老師、劉勝俠老師、秦國斌同學(xué)以及葉薇薇等診斷組的同事不厭其煩地提供部分處理數(shù)據(jù)，感謝崔凝卓提供反演程序。感謝研究生部董俊國、張英、高成云以及張彥秋四位老師幾年來的熱情關(guān)懷和幫助。謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT
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