半導(dǎo)體工藝概述ppt課件-閱讀頁
2025-05-22 12:40本頁面
【正文】 生長一層 SiO2膜，用作雜質(zhì)擴散掩蔽膜 膜厚 350nm 用第一塊掩膜版，經(jīng)曝光、等離子刻蝕，形成 N阱窗口 在 N2:O2=9:1 的氣氛中退火和驅(qū)進 。 N阱深度為 5~6微米 。 首先生長緩沖 SiO2薄層 ， 厚度 600nm， 目的是減少淀積的氮化硅與硅襯底之間的應(yīng)力 。 利用氮化硅掩蔽氧化的功能，在沒有氮化硅、并經(jīng)硼離子注入的區(qū)域，生長一層場氧化層，厚度 400nm 去除 N阱中非 PMOS有源區(qū)部分的氧化硅和氮化硅 ， 這部分將是場區(qū)的一部分 。 一般采用濕氧氧化或高壓氧化方法生長一層 1微米厚的SiO2 柵氧化及開啟電壓調(diào)整： 去掉氮化硅和緩沖 SiO2。 用硼離子注入調(diào)節(jié)開啟電壓 ，劑量 6*1011cm2，能量 100keV LPCVD淀積多晶硅層，厚度400~500nm，淀積溫度625℃ 光刻 NMOS多晶硅 （ 保持 PMOS區(qū)多晶硅不動 ）， 形成 NMOS多晶硅柵 ， 去掉沒有多晶硅覆蓋的柵氧化層 。 注 入 劑 量3*1015cm2， 典型能量 150keV 保持 NMOS區(qū)不動， 用光刻膠保護 。 硼離子注入 ， 形成PMOS源 、 漏區(qū) 。 化學(xué)氣相淀積磷硅玻璃介質(zhì)層 刻金屬化的接觸孔 磷硅玻璃回流 ， 使接觸孔邊緣臺階坡度平滑 ， 以利于金屬化 。 在N2氣氛下 ， 1150℃回流 30分鐘 。 合金：使金屬化引線與接觸孔處的硅形成良好的歐姆結(jié) 。 P阱 CMOS工藝
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